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61. 发明专利

JP2016004966A 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016004966A
公开(公告)日：2016-01-12
申请号：JP2014126260
申请日：2014-06-19
申请人：富士電機株式会社
发明人：木下明将 , 星保幸 , 原田祐一
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/78
摘要：【課題】高耐圧を維持しオン抵抗を下げること。【解決手段】n + 型炭化珪素基板と、n型炭化珪素エピタキシャル層と、n型炭化珪素エピタキシャル層の表面層に選択的に形成されたp + 型領域3と、n型炭化珪素エピタキシャル層とp + 型領域3の上に形成された、pベース層と、pベース層の表面層に選択的に形成されたn + ソース領域と、pベース層に形成されたp + コンタクト領域と、表面からpベース層を貫通してn型炭化珪素エピタキシャル層に達するように形成されたn型ウェル領域と、ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、を備え、p + 型領域3の平面形状が方形で隣り合うp + 型領域3との辺は平行となるように周期的に配置され、対向する2箇所の角部3aで隣接するp + 型領域3と連結し、n + ソース領域とp + コンタクト領域が複数のセルに分かれている。【選択図】図2B
摘要翻译：要解决的问题：保持高击穿电压并降低导通电阻。解决方案：半导体器件包括：n型碳化硅衬底; n型碳化硅外延层; p型区域3，其选择性地形成在n型碳化硅外延层的表面层上; 形成在n型碳化硅外延层和p型区3上的p基层; 选择性地形成在p基层的表面层上的源极区; 形成在p基层上的pcontact区; 形成为从其表面穿透p基底层并到达n型碳化硅外延层的n型阱区; 经由栅极绝缘膜提供的栅电极; 源电极; 和漏电极。 p型区域3周期性地布置成其平面形状变为矩形，并且其侧面变得平行于相邻p型区域3的侧面。p型区域3在两个相对的角部3a处连接到相邻的p型区域3，并且该nsource区域和pcontact区域被分成多个单元。

62. 发明专利

JP5818099B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5818099B2
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：JP2012104230
申请日：2012-04-27
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 富士電機株式会社
发明人：岩室憲幸 , 星保幸 , 原田祐一 , 原田信介
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L29/0615 , H01L29/0661 , H01L29/1095 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/78 , H01L29/7811 , H01L29/0878 , H01L29/402 , H01L29/41741 , H01L29/8611 , H01L29/872

63. 发明专利

JP2015115375A 炭化珪素半導体装置审中-公开
标题翻译：硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2015115375A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：JP2013254569
申请日：2013-12-09
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 富士電機株式会社
发明人：木下明将 , 星保幸 , 原田祐一 , 大西泰彦 , 原田信介
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/78
摘要：【課題】耐圧が低下することを抑制することができ、かつオン抵抗が増加することを抑制することができる炭化珪素半導体装置を提供すること。【解決手段】n型SiC基板1のおもて面には積層されたn - 型SiC層2の、n型SiC基板1側に対して反対側の表面層に、p型ベース領域となる複数のp型領域3が選択的に設けられている。p型領域3は、n型SiC基板1側よりもゲート電極7側の不純物濃度が低いのが好ましい。隣り合うp型領域3間の間隔Lは、所定耐圧を確保可能な3μm以下であるのがよい。n - 型SiC層2の、隣り合うp型領域3間に挟まれた領域には、n - 型SiC層2よりも不純物濃度が高いn型領域21が設けられている。n型領域21は、n型SiC基板1側の部分21bよりもゲート電極7側の部分21aの不純物濃度が高くなっている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制耐压降低和导通电阻增加的碳化硅半导体器件。解决方案：碳化硅半导体器件包括多个p型区域3，其为p型基极区域，选择性地设置在n型SiC衬底1的表面上与n型SiC衬底1的相反侧的层叠n型SiC层2的表面层中。p型的杂质浓度优选栅极电极7侧的区域3比n型SiC基板1侧低。相邻p型区域3之间的距离L优选为3μm，能够确保预定的耐压。在n型SiC层2上，在相邻p型区域3之间的w区域中，具有比n型SiC层2的杂质浓度高的n型区域21.n型区域21在部分21a中具有较高的杂质区域在栅电极7侧比在n型SiC衬底1侧的部分21b中。

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