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51. 发明专利

JP2021136415A キャパシタ、キャパシタ用基材及びキャパシタの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021136415A
公开(公告)日：2021-09-13
申请号：JP2020034123
申请日：2020-02-28
申请人：大日本印刷株式会社
发明人：後藤正浩 , 関口博 , 吉岡英範
IPC分类号： H01G13/00 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01G4/33
摘要：【課題】製造の容易性と容量の増大とを両立させることができるキャパシタ、キャパシタ用基材及びキャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】キャパシタは、第1方向に沿って所定のピッチで設けられ、第1方向に交差する第2方向に沿って所定の高さを有するように第2方向側に突出した複数の凸部を有する基材と、基材に対して第2方向側に位置する少なくとも1つの導電体層と、基材に対して第2方向側に位置する少なくとも1つの誘電体層と、を備え、凸部の側面は、第2方向に向かうにしたがって第1方向に沿った凸部の幅が小さくなるように第2方向に対して傾斜した傾斜面を有し、凸部の高さは、凸部のピッチ以上である。【選択図】図1

52. 发明专利

JP2021136339A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021136339A
公开(公告)日：2021-09-13
申请号：JP2020031812
申请日：2020-02-27
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：岡村幸雄 , 松山徹
IPC分类号： H01L25/18 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L25/04
摘要：【課題】限られた端子実装面積、及び限られた端子数で多くの機能を実現することができる半導体装置を提供すること。【解決手段】外部メモリー群とメモリーコントローラーとの間で伝搬する第1信号を入力するための複数のメモリー操作端子を含むメモリー操作端子群と、デバックを行うための複数の検査端子を含む検査端子群と、一定の電圧値が保持される複数の定電圧端子を含む定電圧端子群と、メモリー操作端子群、検査端子群、及び定電圧端子群のそれぞれに含まれる端子と異なる端子であって、CPUの動作に伴い電圧値が変化する複数の駆動端子を含む駆動端子群と、端子実装面と、を備え、端子実装面において、検査端子群及び定電圧端子群は、メモリー操作端子群と駆動端子群とを分離するように位置し、メモリー操作端子群は、検査端子群及び定電圧端子群に含まれない端子と隣り合って位置しない、半導体装置。【選択図】図4

53. 发明专利

JP2021136338A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021136338A
公开(公告)日：2021-09-13
申请号：JP2020031811
申请日：2020-02-27
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：岡村幸雄 , 松山徹
IPC分类号： H01L27/04 , G01R31/28 , H01L23/12 , H01L21/82 , H01L21/822
摘要：【課題】端子が実装される面積が肥大化するおそれ低減するとともに、端子間における信号の相互干渉を低減できる半導体装置を提供すること。【解決手段】メモリーコントローラーと、CPUと、高速通信コントローラーと、外部メモリー群とメモリーコントローラーとの間で伝搬する第1信号を入力するための複数のメモリー操作端子を含むメモリー操作端子群と、高速通信コントローラーに第2信号を入力するための複数の高速通信端子を含む高速通信端子群と、CPUからの情報を取得しデバックを行うための複数の検査端子を含む検査端子群と、メモリー操作端子群、高速通信端子群、及び検査端子群が設けられた端子実装面と、を備え、端子実装面において、複数の検査端子の内の第1検査端子は、メモリー操作端子群と高速通信端子群との間に位置している、半導体装置。【選択図】図4

54. 发明专利

JP2021136284A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021136284A
公开(公告)日：2021-09-13
申请号：JP2020030060
申请日：2020-02-26
申请人：日産自動車株式会社 , ルノーエス.ア.エス. , RENAULT S.A.S.
发明人：田中亮太 , 林哲也 , 沼倉啓一郎 , 丸井俊治 , 早見泰明 , 倪威
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822
摘要：【課題】半導体基板の溝の内部に薄膜コンデンサが構成され、かつ耐圧の低下が抑制された半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板10の主面11に形成された溝の側面に交互に配置された導電膜20および側面誘電膜30と、溝の底面に配置されて側面誘電膜30の下端に接続し、側面誘電膜30それぞれの膜厚よりも膜厚が厚い底面誘電膜40を備える。【選択図】図1

55. 发明专利

JP2021136241A 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021136241A
公开(公告)日：2021-09-13
申请号：JP2020028468
申请日：2020-02-21
申请人：富士電機株式会社
发明人：三塚要 , 小野澤勇一
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/739 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/41 , H01L27/06 , H01L21/8249 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/78
摘要：【課題】センスIGBTの破壊を回避することが好ましい。【解決手段】半導体基板と、半導体基板に設けられたトランジスタ部と、トランジスタ部に流れる電流を検出するための電流センス部と、トランジスタ部のエミッタ電位に設定されたエミッタ電極と、電流センス部と電気的に接続されたセンス電極と、エミッタ電極とセンス電極との間で電気的に接続されたツェナーダイオードとを備える半導体装置を提供する。トランジスタ部に半導体基板を設ける段階と、トランジスタ部に流れる電流を検出する電流センス部を設ける段階と、トランジスタ部のエミッタ電位に設定されたエミッタ電極を設ける段階と、電流センス部と電気的に接続されたセンス電極を設ける段階と、エミッタ電極とセンス電極との間で電気的に接続されたツェナーダイオードを設ける段階と、を備える半導体装置の製造方法を提供する。【選択図】図2B

56. 发明专利

JP2021131856A デジタル故障注入検出器审中-公开
公开(公告)号：JP2021131856A
公开(公告)日：2021-09-09
申请号：JP2021019528
申请日：2021-02-10
申请人：新唐科技股▲ふん▼有限公司
发明人：キルシュナー,ユヴァル , ハーシュマン,ジヴ , ゴーラン,タミル
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , G06F21/75
摘要：【課題】デジタル故障注入検出器を提供する。【解決手段】セキュア集積回路(IC)は、機能回路、および、故障注入攻撃に対抗する機能回路を保護する保護回路を有する。保護回路は、複数のデジタル検出セル、および、保護ロジックを有する。検出セルは、対応する入力と出力を有し、且つ、出力入力接続の方式で、少なくとも一つのチェーンを形成する。故障注入攻撃に対応するため、チェーン中の所定の検出セルが設置されて、チェーン中の後続の検出セルの入力を駆動する一出力を切り替え(toggle)、これにより、パルスを、チェーンに沿って伝播させる。保護ロジックが設置されて、チェーンからパルスを受信するとともに、反応動作を起動する。【選択図】図1

57. 发明专利

JP2021129111A 高エネルギー散逸および線形容量を有するTVSダイオード回路审中-公开
公开(公告)号：JP2021129111A
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：JP2021018745
申请日：2021-02-09
申请人：セムテック・コーポレーション
发明人：リピン・レン , ウィリアム・アレン・ラッセル
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L29/861 , H03K19/003 , H01L21/822
摘要：【課題】高エネルギー散逸および線形容量を有するTVSダイオード回路を提供すること。【解決手段】陰極が第1の端子に結合され陽極が第1のノードに結合された第1のダイオードを有するTVS回路。第2のダイオードは、第2のノードに結合された陽極と、第3のノードに結合された陰極とを有する。第3のダイオードは、第1のノードと第2のノードとの間に結合される。第4のダイオードは、第1のノードと第3のノードとの間に結合される。第5のダイオードは、第2のノードと第2の端子との間に結合される。第6のダイオードは、第2の端子と第3のノードとの間に結合される。第7のダイオードは、第2の端子と、第5のダイオードと第6のダイオードとの間の中間ノードとの間に結合されることが可能である。第1のダイオードは第1の半導体ダイに配置される一方、第2のダイオードは第2の半導体ダイに配置される。あるいは、第1のダイオードおよび第2のダイオードは単一の半導体ダイに配置される。【選択図】図4

58. 发明专利

JP2021129070A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021129070A
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：JP2020024173
申请日：2020-02-17
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：橋本ちえみ , 矢山浩輔 , 俵英一
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822
摘要：【課題】抵抗素子に用いられる金属層の時効による抵抗値変動率を低減させる。【解決手段】抵抗素子は、半導体基板上の第1の層間絶縁層に形成される第1導電層と、前記第1の層間絶縁層とは異なる第2の層間絶縁層に形成される第2導電層と、第1導電層と第2導電層とを接続する層間導電層との繰り返しパターンを有する導体と、を備え、第2導電層が、第1導電層の熱処理後の抵抗値変動特性に対して逆の抵抗値変動特性を有する。【選択図】図3

59. 发明专利

JP2021128986A 電子制御装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021128986A
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：JP2020021636
申请日：2020-02-12
申请人：株式会社デンソー
发明人：川野真広 , 久野良太郎 , 伊東陽人
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/82 , G06F15/78 , H01L21/822
摘要：【課題】車載電子制御装置の開発期間を短縮する。【解決手段】電子制御装置は、車両に搭載されるインジェクタの電磁弁4を制御する。電子制御装置は、CMOS31、コンパレータ32およびアンプ33を含む複数の入出力回路11と、ゲートアレイ12とを有する機能IC3を備える。機能IC3は、コンパレータ32およびアンプ33とゲートアレイ12とが金属配線171,172,173によって接続されることでインジェクタの電磁弁4を制御する機能が実現される。【選択図】図3

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