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51. 发明专利

JP2021044578A 半導体装置有权
公开(公告)号：JP2021044578A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：JP2020200381
申请日：2020-12-02
申请人：ローム株式会社
发明人：奥田肇 , 福田泰詔 , 宅間徹 , 高橋俊太郎 , ▲高▼橋直樹
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L27/088 , H01L21/76 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/78
摘要：【課題】オン抵抗可変の半導体装置を提供する。優れたオン抵抗および優れたアクティブクランプ耐量を両立できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体層2と、半導体層2に形成された絶縁ゲート型の複数のトランジスタ56、57と、半導体層2に形成され、アクティブクランプ動作時のオン抵抗が通常動作時のオン抵抗と異なるように複数のトランジスタ56、57をオンオフ制御する制御回路と、を含む、半導体装置1を提供する。【選択図】図15B

52. 发明专利

JP6844635B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6844635B2
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：JP2019029872
申请日：2019-02-21
申请人：富士電機株式会社
发明人：根本道生 , 吉村尚
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/265 , H01L29/78

53. 发明专利

JP2021040027A 横型ダイオードの製造方法及びバイポーラトランジスタの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021040027A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：JP2019160277
申请日：2019-09-03
申请人：国立大学法人九州大学
发明人：藤田克彦 , 筒井猛壮
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/861 , H01L51/05 , H01L21/331 , H01L29/73 , H01L51/40 , H01L21/329
摘要：【課題】製造コストを低減可能な横型ダイオードの製造方法を提供すること。【解決手段】本開示の一側面は、基板と、上記基板上の所定領域に設けられた第一の導電層及び上記第一の導電層上に設けられた支持体と、を有する基材を用意する工程と、上記基板上の第一の導電層が設けられていない領域に、上記第一の導電層と離間させて第二の導電層を設ける工程と、上記第二の導電層と、上記基板の上記第一の導電層及び上記第二の導電層の間の領域の少なくとも一部と、を覆うように第一の有機半導体層を設ける工程と、上記支持体をはく離する工程と、上記第一の導電層と、上記第一の有機半導体層の少なくとも一部と、を覆うように第二の有機半導体層を設ける工程と、を備え、上記第一の有機半導体層及び上記第二の有機半導体層を設ける工程が、ホスト有機半導体、ドーパント及び溶媒を含む分散液をエアロゾル化し、上記エアロゾル中の溶媒量を低減し微粒子化させて対象に付着させることで行われる、横型ダイオードの製造方法を提供する。【選択図】図1

54. 发明专利

JP6839791B2 環状アンテナに用いられるGaAs/Ge/GaAs異質SPiNダイオードの製造方法有权
公开(公告)号：JP6839791B2
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：JP2019534803
申请日：2017-11-14
申请人：西安科鋭盛創新科技有限公司 , XI’AN CREATION KEJI CO., LTD.
发明人：尹暁雪 , 張亮
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/861 , H01Q13/08 , H01Q3/24 , H01L21/329

55. 发明专利

JP6833848B2 面積効率の良いフローティングフィールドリング終端有权
公开(公告)号：JP6833848B2
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：JP2018527092
申请日：2016-09-21
申请人：アーベーベー・シュバイツ・アーゲー , ABB Schweiz AG
发明人：バウアー,フリートヘルム , ベムラパティ,ウママヘスワラ
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/861

56. 发明专利

JP6832156B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6832156B2
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：JP2016255594
申请日：2016-12-28
申请人：新電元工業株式会社
发明人：前山雄介 , 大澤良平
IPC分类号： H01L29/47 , H01L21/28 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/872

57. 发明专利

JP6830767B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6830767B2
公开(公告)日：2021-02-17
申请号：JP2016118218
申请日：2016-06-14
申请人：株式会社デンソー
发明人：荒川隆史 , 高橋茂樹
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/739

58. 发明专利

JPWO2020036015A1 半導体装置および製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2020036015A1
公开(公告)日：2021-02-15
申请号：JP2019026974
申请日：2019-07-08
申请人：富士電機株式会社
发明人：窪内源宜
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/12 , H01L27/06 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/322 , H01L21/265 , H01L21/336
摘要：トランジスタ部とダイオード部と、を有する半導体基板を備え、トランジスタ部およびダイオード部の双方が、半導体基板の内部に設けられた第1導電型のドリフト領域と、半導体基板の内部において、ドリフト領域の上方に設けられた第2導電型のベース領域と、を有し、半導体基板の内部において、ベース領域の下方に、トランジスタ部の少なくとも一部からダイオード部にわたって、ライフタイムキラーを含むライフタイム制御領域が設けられ、トランジスタ部において、半導体基板の上面視でライフタイム制御領域と重なって、トランジスタ部の閾値を調整する閾値調整部が設けられた、半導体装置を提供する。

59. 发明专利

JP2021019156A 炭化珪素半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021019156A
公开(公告)日：2021-02-15
申请号：JP2019135540
申请日：2019-07-23
申请人：富士電機株式会社
发明人：水島智教
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/861
摘要：【課題】逆回復耐量を向上させることができる炭化珪素半導体装置を提供すること。【解決手段】pinダイオードは、n - 型ドリフト領域(i層)3となるn - 型エピタキシャル層33上に順にエピタキシャル成長させたp型エピタキシャル層34およびp ++ 型エピタキシャル層35をエッチングにより選択的に残してそれぞれp型アノード領域4およびp ++ 型アノードコンタクト領域5とした構造を備える。p ++ 型アノードコンタクト領域5は、活性端部41にのみ設けられ、活性端部41においてアノード電極12に接触している。p型エピタキシャル層34は、活性端部から、活性領域41とエッジ終端領域42との間の遷移領域43に延在し、遷移領域43においてアノード電極12に接触している。エッジ終端領域42には、p型エピタキシャル層34に接してJTE構造が設けられている。【選択図】図2

60. 发明专利

JP6828697B2 III族窒化物半導体装置およびIII族窒化物半導体基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6828697B2
公开(公告)日：2021-02-10
申请号：JP2018019460
申请日：2018-02-06
申请人：株式会社豊田中央研究所
发明人：片岡恵太 , 成田哲生
IPC分类号： C30B29/38 , C30B31/22 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/329 , H01L21/265

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