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    • 54. 发明专利
    • ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
    • 用于形成电阻膜和形成方法的含硅组合物
    • JP2015072329A
    • 2015-04-16
    • JP2013207169
    • 2013-10-02
    • 信越化学工業株式会社
    • 荻原 勤美谷島 祐介
    • G03F7/075H01L21/027C08G77/14G03F7/11
    • H01L21/3086C08L83/04C09D183/04G03F7/0752G03F7/094G03F7/11H01L21/02126H01L21/02282H01L21/3081H01L21/3085H01L21/31116H01L21/31122H01L21/32139C08G77/045C08G77/18
    • 【課題】極めて塗布欠陥が少なく、微細パターンにおける密着性やエッチング選択性に優れるレジスト下層膜を形成するためのケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物を提供する。 【解決手段】1種以上の下記一般式(1)で示される化合物を含むケイ素化合物(A−1)を加水分解もしくは縮合、又はその両方を行うことにより得られるケイ素含有化合物(A 1 )を含有するケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。 【化1】 (式中、Rは炭素数1〜6の有機基であり、R a 、R b 、R c は置換又は非置換の炭素数1〜30の1価の有機基、w=0又は1、x=0、1、2又は3、y=0、1又は2、z=0、1、2又は3である。また、w=0のとき、5≧x+z≧1であり、(x,z)=(1,1)、(3,0)、(0,3)となる場合は含まない。また、w=1のとき、7≧x+y+z≧1であり、(x,y,z)=(1,1,1)となる場合は含まない。) 【選択図】なし
    • 要解决的问题:提供一种用于形成抗蚀底膜的含硅组合物,其用于形成具有极少涂层缺陷和优异的粘附性和蚀刻选择性的抗蚀底膜。精细图案。解决方案:含硅 用于形成抗蚀剂底层膜的组合物包括通过进行水解,缩合或这两者包含至少一种由下述通式(1)表示的化合物的硅化合物(A-1)而获得的含硅化合物(A)。 式中,R表示碳原子数1〜6的有机基团。 R,R和R表示具有1至30个碳原子的取代或未取代的一价有机基团; w为0或1; x为0,1,2或3; y为0,1或2; z为0,1,2或3; 并且当w = 0时,除了(1,1),(3,0)或(0,3)的组合(x,z)之外,5≥x+z≥1。 并且当w = 1时,除了(1,1,1)的组合(x,y,z),7≥x+ y +z≥1。