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51. 发明专利

JP2013021165A Mask for vapor deposition, manufacturing method of mask for vapor deposition, electronic element, and manufacturing method of electronic element 审中-公开
标题翻译：蒸发沉积掩模，蒸发沉积掩模的制造方法，电子元件和电子元件的制造方法
公开(公告)号：JP2013021165A
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：JP2011153872
申请日：2011-07-12
申请人： Sony Corp , ソニー株式会社
发明人： HIRAI CHOICHI
IPC分类号： H01L21/285 , C23C14/04 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号： C23C14/042 , C23C14/044 , H01L51/0011
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask for vapor deposition which enables a vapor-deposited film to be formed with a high definition pattern.SOLUTION: A mask for vapor deposition includes: a substrate having one or multiple first openings; and a polymer film provided on the first main surface side of the substrate and having one or multiple second openings so as to face each first opening. During the vapor deposition, vapor deposition materials pass through the first opening and the second opening and thereby forming a vapor deposited film with a predetermined pattern corresponding to the second opening. The combined use of the substrate and the polymer film realizes finer and more accurate opening shape in the second opening while maintaining mechanical strength compared to the case where the mask is formed by a metal film.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够以高清晰度图案形成气相沉积膜的气相沉积掩模。解决方案：用于气相沉积的掩模包括：具有一个或多个第一开口的基底; 以及设置在所述基板的所述第一主表面侧上并且具有面对每个第一开口的一个或多个第二开口的聚合物膜。在气相沉积期间，气相沉积材料通过第一开口和第二开口，从而形成具有对应于第二开口的预定图案的气相沉积膜。与通过金属膜形成掩模的情况相比，基板和聚合物膜的组合使用在第二开口中实现更精细和更精确的开口形状，同时保持机械强度。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

52. 发明专利

JP2012160475A Display device 审中-公开
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：JP2012160475A
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：JP2012097639
申请日：2012-04-23
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI
IPC分类号： H05B33/22 , H01L51/50 , H05B33/12
CPC分类号： H01L27/3248 , H01L27/1222 , H01L27/1277 , H01L27/1288 , H01L27/153 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L29/78675 , H01L51/001 , H01L51/0011 , H01L51/0097 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2251/5338
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technique capable of manufacturing a highly reliable display device with high image quality, with high yield and at low cost.SOLUTION: A spacer is provided on a pixel electrode layer in a pixel region, and on an insulation layer serving as a partition wall covering the periphery of the pixel electrode layer. When a light-emitting material is formed on the pixel electrode layer, this spacer supports a mask used for selective formation to prevent the mask from being in contact with the pixel electrode layer due to bending, warping, or the like of the mask. Thus, the damage due to a scratch caused by the mask does not occur in the pixel electrode layer and the pixel electrode layer does not have a defective shape; accordingly, a highly reliable display device that performs high-definition display can be manufactured.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够以高产率和低成本制造具有高图像质量的高可靠性显示装置的技术。解决方案：在像素区域中的像素电极层上以及用作覆盖像素电极层周围的分隔壁的绝缘层上设置间隔物。当在像素电极层上形成发光材料时，该间隔物支持用于选择性形成的掩模，以防止掩模由于掩模的弯曲，翘曲等而与像素电极层接触。因此，在像素电极层中不会发生由掩模引起的划痕的损伤，并且像素电极层不具有缺陷形状; 因此，可以制造执行高清晰度显示的高度可靠的显示装置。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

53. 发明专利

JP4974671B2 Display element manufacturing mask 有权
公开(公告)号：JP4974671B2
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：JP2006354480
申请日：2006-12-28
申请人：エルジーディスプレイカンパニーリミテッド
发明人：ゾンヒョンパク
IPC分类号： H05B33/10 , C23C14/04 , C23C14/12 , C23C14/24 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L51/50
CPC分类号： C23C14/042 , H01L51/0011 , H01L51/56

54. 发明专利

JP4971723B2 Method of manufacturing an organic light emitting display device 有权
公开(公告)号：JP4971723B2
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：JP2006231472
申请日：2006-08-29
申请人：キヤノン株式会社
发明人：孝志森山
IPC分类号： H05B33/10 , C23C14/04 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L51/50
CPC分类号： C23C14/042 , H01L51/0011 , H01L51/56

56. 发明专利

JP2011077470A Method for manufacturing semiconductor device 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2011077470A
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：JP2009230234
申请日：2009-10-02
申请人： Sony Corp , ソニー株式会社
发明人： NOMOTO AKIHIRO , ONO HIDEKI
IPC分类号： H01L51/40 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC分类号： H01L51/0015 , H01L51/0011 , H01L51/0545 , H01L51/0558
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a semiconductor device which forms patterns on organic semiconductor layers with the state of the surfaces and the quality of the fims kept uniformed.
SOLUTION: This method includes: a first step for forming an organic semiconductor film 9 on a substrate 1; a second step for forming a protective pattern 11 on the organic semiconductor film 9; and a third step for dissolving the organic semiconductor film 9 by an organic solvent using the protective pattern 11 as a mask or for sublimating the organic semiconductor film 9, which forms patterns on the organic semiconductor film 9 without changing the quality of the patterned surface of the film 9.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造半导体器件的方法，该半导体器件在有机半导体层上形成图案状态，并且具有均匀的表面和质量。解决方案：该方法包括：用于在衬底1上形成有机半导体膜9的第一步骤; 用于在有机半导体膜9上形成保护图案11的第二步骤; 以及第三步骤，使用保护图案11作为掩模，通过有机溶剂溶解有机半导体膜9，或者升华有机半导体膜9，从而在有机半导体膜9上形成图案，而不改变图案化表面的质量电影9.版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

57. 发明专利

JP2011501380A Patterning method of a light-emitting device 有权
公开(公告)号：JP2011501380A
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：JP2010531001
申请日：2008-10-14
申请人：グローバルオーエルイーディーテクノロジーリミティドライアビリティカンパニー
发明人：スティーブンコック，ロナルド
IPC分类号： H05B33/10 , H01L51/50 , H05B33/14
CPC分类号： H01L51/56 , H01L27/3211 , H01L51/0011
摘要：第１のマスキングフィルムを基板上に機械的に配置し、第１のマスキングフィルムの第１の配置における１つ、又は２つ以上の第１の開口部を除去して、第１のマスキングフィルムに１つ、また２つ以上の第１のマスキング部を形成することによって、基板をパターニングする方法。第１の材料は、基板、及び第１のマスキング部の上に第２のマスキングフィルムを機械的に配置する前に、第１のパターニング領域を形成するために、基板上に成膜される。１つ、又は２つ以上の第２のマスキング部を形成するために、第２のマスキングフィルム、及び第１のマスキング部の双方の、第１の配置と異なる第２の配置の１つ、又は２つ以上の第２の開口部が除去される。第２の材料は、第２のパターニング領域を形成するために、基板上の第２の配置に成膜される。
【選択図】図１

58. 发明专利

JPWO2009034916A1 蒸気放出装置、有機薄膜蒸着装置及び有機薄膜蒸着方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2009034916A1
公开(公告)日：2010-12-24
申请号：JP2009532158
申请日：2008-09-04
申请人：株式会社アルバック
发明人：根岸　敏夫 , 敏夫根岸 , 越田　達彦 , 達彦越田
IPC分类号： C23C14/24 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/12 , C23C14/228 , H01L51/0011
摘要：蒸発材料の使用効率を向上させるとともに、蒸発材料の経時劣化を防止し、さらに、蒸着時の熱によるマスクの変形を確実に防止することができる有機材料蒸着技術を提供する。本発明の有機材料用蒸発源は、複数の放出口12が面内に配列されたシャワープレート型の放出部11と、放出部11内に設けられ、導入される有機蒸発材料の蒸気を噴出口15を介して放出部11の底部11aに向って放出させて放出部11内に供給する供給管14と、少なくとも放出部11の放出口12側の部位に設けられる冷却手段17とを有する。冷却手段17は、例えば放出部11を全体的に覆うように形成され、放出部11の放出口12と対応する部位に、当該有機蒸発材料の蒸気を通過させる蒸気通過孔17aを有する。

59. 发明专利

JP2010251320A Mask frame assembly for thin-film deposition, method of manufacturing the same, and method of manufacturing organic light-emitting display device 有权
标题翻译：用于薄膜沉积的掩模框架组件，其制造方法和制造有机发光显示装置的方法
公开(公告)号：JP2010251320A
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：JP2010092561
申请日：2010-04-13
申请人： Samsung Mobile Display Co Ltd , 三星モバイルディスプレイ株式會社
发明人： KO JUNG-WOO , LEE SANG-SHIN , KANG TAEK KYO , HONG SEUNG JU
IPC分类号： H05B33/10 , C23C14/04 , H01L51/50
CPC分类号： B05C11/00 , C23C14/042 , H01L51/0011 , H01L51/56 , Y10T29/49826 , Y10T29/49885 , Y10T156/10
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask frame assembly for thin-film deposition, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing an organic light-emitting display device. SOLUTION: The mask frame assembly for thin film deposition includes a frame with an opening and a support, and a mask with a deposition area positioned in accordance with the opening. The mask includes a deposition area, a first layer with an edge arranged at an contour of the deposition area and a first and a second surfaces facing with each other. The first surface is provided so as part of the first surface to face to the first layer and at least part of the first surface to be in contact with the edge of the first layer, and the second surface includes a second layer welded at the support. The method of manufacturing the assembly and the method of manufacturing the organic light-emitting display device are also provided. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于薄膜沉积的掩模框架组件，其制造方法以及制造有机发光显示装置的方法。解决方案：用于薄膜沉积的掩模框架组件包括具有开口和支撑的框架，以及具有根据开口定位的沉积区域的掩模。掩模包括沉积区域，具有布置在沉积区域的轮廓处的边缘的第一层和彼此面对的第一和第二表面。第一表面被提供为第一表面的一部分以面对第一层，并且第一表面的至少一部分与第一层的边缘接触，并且第二表面包括在支撑件处焊接的第二层。还提供了制造组件的方法和制造有机发光显示装置的方法。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

60. 发明专利

JP4463492B2 Manufacturing equipment 有权
公开(公告)号：JP4463492B2
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：JP2003106139
申请日：2003-04-10
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：淳一郎坂田 , 舜平山崎 , 秀明桑原
IPC分类号： C23C14/04 , H05B33/10 , C23C14/24 , C23F1/00 , G03F7/20 , H01L21/203 , H01L21/308 , H01L51/00 , H01L51/50 , H05B33/14
CPC分类号： G03F1/66 , C23C14/042 , G03F7/70741 , H01L51/0011

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