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52. 发明专利

JP2016119462A 基板ストリップ及びこれを利用した半導体パッケージ审中-公开
标题翻译：板条和半导体封装使用它
公开(公告)号：JP2016119462A
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：JP2015244747
申请日：2015-12-16
申请人：三星電子株式会社 , Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：金京範 , 林元チョル , 金東淑 , 金容勲
IPC分类号： H01L23/28 , H05K1/02 , H01L23/12
CPC分类号： H01L23/3121 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/60 , H01L21/561 , H01L2224/16227 , H01L2224/81005 , H01L2224/97 , H01L23/145 , H01L23/3128 , H01L23/49827 , H01L2924/15311
摘要：【課題】半導体チップのパッケージング工程において、外部から流れ込む瞬間的な靜電放電又は高電流サージから半導体チップを保護できる基板ストリップ及びこれを利用した半導体パッケージの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る基板ストリップは、複数のチップマウンティング領域及び前記複数のチップマウンティング領域の全部又は一部を囲む周辺領域を含み、前記チップマウンティング領域の各々が導電性平面を含む、基板本体と、前記周辺領域に位置する導電性支持構造体と、隣接する前記チップマウンティング領域の前記導電性平面を連結する第1導電ラインと、前記周辺領域に隣接するように配置された前記チップマウンティング領域の前記導電性平面と、前記導電性支持構造体を連結する第2導電ラインと、を含む。【選択図】図9
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在半导体芯片封装步骤中保护半导体芯片免受从外部流出的瞬时静电放电或高电流浪涌的板条，以及使用其的半导体封装的制造方法。解决方案：板条包括：基板主体，包括多个芯片安装区域和围绕多个芯片安装区域的整个或一部分的周边区域，每个芯片安装区域包括导电平面; 位于周边区域周围的导电支撑结构; 用于耦合相邻芯片安装区域的导电平面的第一导电线; 芯片安装区域的导电平面布置成与周边区域相邻; 以及用于联接导电支撑结构的第二导电线。选择图：图9

53. 发明专利

JP5943086B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5943086B2
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：JP2014536651
申请日：2013-07-19
申请人：三菱電機株式会社
发明人：横山吉典 , 遠藤加寿代 , 藤田淳 , 曽田真之介 , 西川和康 , 野上洋一 , 山本佳嗣 , 井上晃
IPC分类号： H01L23/15 , H01L23/02
CPC分类号： H01L21/52 , H01L21/50 , H01L21/561 , H01L21/78 , H01L23/10 , H01L2924/0002

54. 发明专利

JPWO2014010405A1 トランジスタの製造方法有权
标题翻译：的晶体管的制造方法
公开(公告)号：JPWO2014010405A1
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：JP2014524720
申请日：2013-06-25
申请人：株式会社村田製作所
发明人：聖人荒木 , 聖人荒木 , 正太郎橋本 , 正太郎橋本 , 将和高尾 , 将和高尾
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/316 , H01L29/78 , H01L29/80
CPC分类号： H01L29/517 , H01L21/02178 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/561 , H01L21/823462 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L27/088 , H01L29/2003 , H01L29/408 , H01L29/513 , H01L29/66462 , H01L29/66477 , H01L29/7786 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本発明の目的は、ドレイン・ソース電極間を流れる電流の低下を抑制しつつ、ゲート絶縁膜の絶縁破壊電圧が高いトランジスタを提供することである。トランジスタ100は、半導体層2と、半導体層2上に形成されたゲート絶縁膜7と、ゲート絶縁膜7上に形成されたゲート電極8と、半導体層2上にゲート電極8を挟んで形成されたソース電極5およびドレイン電極6を備え、ゲート絶縁膜7に含まれる不純物の濃度が、ゲート絶縁膜7の半導体層2側の表面からゲート絶縁膜7のゲート電極8側の表面にかけて減少していることを特徴とする。
摘要翻译：本发明的目的，同时抑制了漏极和源极之间流动的电流的减少，是栅极绝缘膜的击穿电压，以提供高的晶体管。晶体管100包括半导体层2，栅极绝缘形成在半导体层2上膜7，形成在栅极绝缘膜7通过在栅电极8上形成栅电极8的半导体层2上形成与源电极5和漏电极6，包含在栅极绝缘膜7的杂质的浓度，并从栅极绝缘膜7向栅极绝缘膜7的栅电极8侧的面的表面的半导体层2侧减小并说，你是。

55. 发明专利

JP5934078B2 繊維含有樹脂基板及び半導体装置の製造方法有权
标题翻译：用于制造含纤维树脂基板和半导体器件的方法
公开(公告)号：JP5934078B2
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：JP2012252884
申请日：2012-11-19
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：関口晋 , 塩原利夫 , 秋葉秀樹 , 中村朋陽
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/12 , H01L23/29
CPC分类号： H01L21/78 , B32B27/12 , B32B27/20 , B32B27/283 , B32B27/38 , B32B5/022 , C03C25/26 , C03C25/36 , C08J5/043 , C08J5/08 , C08J5/24 , C08J7/047 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L23/3135 , H01L24/97 , B32B2250/02 , B32B2260/021 , B32B2260/046 , B32B2262/0269 , B32B2262/101 , B32B2262/103 , B32B2262/105 , B32B2262/106 , B32B2264/10 , B32B2307/306 , B32B2307/7265 , B32B2439/00 , B32B2457/14 , C08J2363/04 , C08J2463/00 , H01L2224/32225 , H01L2224/97 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T442/2041

56. 发明专利

JP2016100586A パッケージ基板の分割方法有权
标题翻译：用于分割包装衬底的方法
公开(公告)号：JP2016100586A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：JP2014239165
申请日：2014-11-26
申请人：株式会社ディスコ
发明人：木内逸人 , 栗村茂也
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/67092 , H01L21/67115 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386
摘要：【課題】デバイスパッケージの生産性を高く維持できるパッケージ基板の分割方法を提供する。【解決手段】粘着テープ(31)が裏面側に貼着され、表面の分割予定ライン(19)によって複数のデバイスパッケージ領域(21)に区画されたデバイス部(15)とデバイス部を囲繞する余剰部(17)とを含むパッケージ基板(11)を切削し、複数のデバイスパッケージ(25)に分割するパッケージ基板の分割方法であって、余剰部に対応する領域の粘着テープの粘着力を低下させる余剰部紫外線照射ステップと、余剰部に対応する領域の粘着テープをパッケージ基板から剥離する部分剥離ステップと、切削ブレード(36)でパッケージ基板を切削し、複数のデバイスパッケージに分割する分割ステップと、を含み、分割ステップにおいて、パッケージ基板から分離された余剰部を切削ブレードの回転によって飛散させることで、粘着テープから余剰部を除去する構成とした。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于分割封装基板的方法，由此可以保持器件封装的高生产率。解决方案：一种用于分割封装衬底的方法包括：将粘合带（31）粘贴到包括基板（11）的背面，包括通过所述表面上的划分线（19）而分隔成多个装置封装区域（21）的装置部分（15）和围绕所述装置部分的额外部分（17）; 以及通过切割基板将封装基板分割成多个器件封装（25）的步骤。该方法还包括：额外部分紫外线照射步骤，用于用紫外线照射额外部分，以便降低粘合带在与额外部分相对应的区域中的粘附力; 部分剥离步骤，用于在对应于来自封装基板的额外部分的区域中分层粘合带; 以及通过用切割刀片（36）切割所述封装基板来将所述封装基板分割成所述多个器件封装体的分割步骤。在分割步骤中，通过切割刀片的旋转将从封装基板分离的多余部分从粘合带上除去额外的部分。选择的图示：图4

57. 发明专利

JP2016100389A 半導体装置の製造方法及び半導体装置有权
标题翻译：制造半导体器件和半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2016100389A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：JP2014234396
申请日：2014-11-19
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：中村朋陽 , 秋葉秀樹 , 塩原利夫
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC分类号： H01L24/96 , H01L21/561 , H01L21/78 , H01L24/97 , H01L2224/16227 , H01L2224/97 , H01L23/3121 , H01L2924/3511
摘要：【課題】大面積・薄型の基板を封止した場合でも反りを抑制することができ、フリップチップ実装された半導体素子のアンダーフィルが十分に行われ、かつ封止層のボイドや未充填がなく、耐熱、耐湿信頼性等の封止性能に優れた半導体装置を得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基材と該基材の一方の表面に形成された熱硬化性樹脂層とを有する基材付封止材を用いて、フリップチップ実装により半導体素子が搭載された半導体素子搭載基板の素子搭載面を一括封止する封止工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記封止工程は、真空度10kPa以下の減圧条件下で、前記半導体素子搭載基板と前記基材付封止材を一体化する一体化段階と、前記一体化した基板を0.2MPa以上の圧力で加圧する加圧段階とを含む半導体装置の製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种制造半导体器件的方法，即使在密封大面积薄的衬底的情况下也能够抑制翘曲，并且可以充分地进行底片填充的半导体芯片安装半导体元件的充填而没有导致密封层中的空隙或不填充，并且可以提供诸如耐热性和耐湿性的可靠性等密封性能优异的半导体器件。解决方案：一种半导体器件的制造方法，包括：密封步骤，在基材的一个表面上形成具有基材和热固化性树脂层的基材附着密封材料，用于通过翻转将由半导体元件安装的半导体元件安装基板的元件安装面芯片安装。密封步骤包括：在真空度为10kPa以下的减压条件下将半导体元件安装基板与基材附着密封材料一体化的一体化步骤; 将压力为0.2MPa以上的加压工序施加到如此一体化的基板上

59. 发明专利

JP2016058628A 半導体装置、及び半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016058628A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014185365
申请日：2014-09-11
申请人：株式会社東芝
发明人：細美英一
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L25/065
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/6835 , H01L24/17 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76898 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/16055 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48106 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48235 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/81005 , H01L2224/83005 , H01L2224/85005 , H01L2224/97 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/45 , H01L25/18 , H01L2924/143 , H01L2924/1431 , H01L2924/14335 , H01L2924/1434 , H01L2924/146 , H01L2924/15311 , H01L2924/181
摘要：【課題】1つの実施形態は、例えば、半導体装置の製造コストを低減することに適した半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】1つの実施形態によれば、第1の半導体チップと第2の半導体チップとを有する半導体装置が提供される。第2の半導体チップは、第1の半導体チップの裏面に搭載されている。第1の半導体チップは、基板と裏面配線と多層配線と貫通電極と表面電極とを有する。裏面配線は、基板の裏面に設けられている。裏面配線は、第2の半導体チップの端子が電気的に接続される。多層配線は、基板の表面に設けられている。貫通電極は、裏面から表面まで基板を貫通する。貫通電極は、裏面配線及び多層配線を電気的に接続する。表面電極は、多層配線の上に設けられている。表面電極は、多層配線に電気的に接続されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种适合于降低半导体器件的制造成本的半导体器件，例如根据一个实施例。根据一个实施例，具有第一半导体芯片和第二半导体芯片的半导体器件提供半导体芯片。第二半导体芯片安装在第一半导体芯片的后表面上。第一半导体芯片具有基板，背面布线，多层布线，贯通电极和表面电极。背面布线设置在基板的背面。背面布线与第二半导体芯片的端子电连接。多层布线设置在基板的正面上。贯通电极从后面穿过基板到前面。通孔电连接在背面布线和多层布线之间。表面电极设置在多层布线上。表面电极与多层布线电连接。图1：

60. 发明专利

JP5903920B2 半導体装置の製造方法及び電子装置の製造方法有权
标题翻译：制造的制造方法和半导体器件的电子装置的方法
公开(公告)号：JP5903920B2
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：JP2012031402
申请日：2012-02-16
申请人：富士通株式会社
发明人：谷元昭 , 石月義克 , 佐々木伸也
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/12
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L21/561 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24195 , H01L2224/97 , H01L23/3128 , H01L2924/10253

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