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51. 发明专利

JP6279619B2 半導体基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6279619B2
公开(公告)日：2018-02-14
申请号：JP2015559639
申请日：2014-01-28
申请人：住友化学株式会社
发明人：柴田真佐知 , 吉田丈洋 , 北村寿朗 , 阿部由起雄
IPC分类号： C30B25/18 , C30B33/00 , H01L21/304 , B24B1/00 , B23K26/361 , H01L21/205 , C30B29/38
CPC分类号： C30B33/00 , B28D5/021 , B28D5/047 , C30B23/00 , C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/605 , C30B33/06 , H01L29/045 , H01L29/2003

52. 发明专利

JP6129784B2 III族窒化物基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6129784B2
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2014108255
申请日：2014-05-26
申请人：住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/20 , C23C16/34 , C23C16/01 , H01L21/205 , H01L21/301 , B23K26/364 , C30B29/38
CPC分类号： C30B25/186 , B23K26/364 , B23K26/402 , B28D5/0011 , C23C16/01 , C23C16/34 , C30B25/20 , C30B29/38 , C30B29/406 , H01L21/02005 , B23K2203/56

53. 发明专利

JP2017014106A III族窒化物基板の製造方法有权
标题翻译：用于制造第III族氮化物基板的制造方法
公开(公告)号：JP2017014106A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2016182170
申请日：2016-09-16
申请人：住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋
IPC分类号： C30B29/38 , C23C16/34 , C23C16/01 , H01L21/205 , C30B25/20
摘要：【課題】複数の種結晶基板を並べて形成した種結晶基板上に結晶成長を行うIII族窒化物基板の作製に関し、新規な技術を提供する。【解決手段】 III族窒化物基板の製造方法は、側面同士を対向させて並べられるような形状に成形された複数の種結晶基板を用意する工程と、隣り合う前記種結晶基板の側面同士が対向して並んだ配置となるように、複数の種結晶基板を、基材上に配置する工程と、複数の種結晶基板の主面上方に、各々の主面上方に成長した結晶同士が結合して一体化するように、III族窒化物結晶を成長させる工程と、を有し、複数の種結晶基板を基材上に配置する工程では、複数の種結晶基板が、円板状に組み合わされて配置される。【選択図】図1
摘要翻译：阿涉及III族氮化物衬底的制备通过侧形成晶种基板进行晶体生长成多个籽晶衬底的一面，是提供一种新颖的技术。一种用于制造III族氮化物衬底的方法包括提供多个籽晶衬底，其上形成为一定的形状，例如那些布置成面对所述侧面，邻近于晶种基板的侧面的步骤使得相对布置的对齐，所述多个籽晶基板，将所述基板上，在所述多个籽晶衬底的主表面上，晶体相互结合生长上述各主表面上通过具有生长III族氮化物晶体的步骤集成，并且在放置多个籽晶衬底的基板，多个籽晶衬底，结合为盘形上的步骤它被布置成。点域1

54. 发明专利

JP6978343B2 窒化物結晶基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6978343B2
公开(公告)日：2021-12-08
申请号：JP2018034763
申请日：2018-02-28
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/20 , H01L21/205 , H01L21/304 , C30B29/38

55. 发明专利

JP6951236B2 GaN基板およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6951236B2
公开(公告)日：2021-10-20
申请号：JP2017248172
申请日：2017-12-25
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/20 , H01L21/205 , C30B29/38

56. 发明专利

JP2021147264A 窒化物結晶基板の製造方法、積層構造体の製造方法、窒化物結晶基板および積層構造体审中-公开
公开(公告)号：JP2021147264A
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2020047411
申请日：2020-03-18
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/20 , C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38
摘要：【課題】結晶品質が良好な窒化物結晶基板を得る。【解決手段】気相成長法を用いた窒化物結晶基板の製造方法であって、少なくとも表層がマンガンを含むIII族窒化物半導体の単結晶からなる下地構造体を準備する工程と、下地構造体の表層のマンガン濃度よりも低いマンガン濃度を有するIII族窒化物半導体の単結晶からなる本成長層を、下地構造体上にエピタキシャル成長させる工程と、本成長層から、自立する少なくとも1つの窒化物結晶基板を取得する工程と、を有する。【選択図】図1

57. 发明专利

JP6913626B2 半導体積層物有权
公开(公告)号：JP6913626B2
公开(公告)日：2021-08-04
申请号：JP2017247639
申请日：2017-12-25
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋 , 藤倉序章 , 柴田真佐知 , 堀切文正
IPC分类号： C30B25/02 , C23C16/34 , C30B29/38

58. 发明专利

JP6861522B2 多結晶III族窒化物ターゲットおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6861522B2
公开(公告)日：2021-04-21
申请号：JP2017009664
申请日：2017-01-23
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋 , 柴田真佐知
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/18 , C23C16/34 , C23C14/34

59. 发明专利

JP2020075837A 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体审中-公开
公开(公告)号：JP2020075837A
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：JP2018210536
申请日：2018-11-08
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋
IPC分类号： H01L21/205 , C30B29/38
摘要：【課題】窒化物半導体基板の結晶品質を向上させる。【解決手段】III族窒化物半導体の単結晶からなり、主面に対して最も近い低指数の結晶面が(0001)面である下地基板を準備する工程と、下地基板の主面をエッチングし、該主面を粗面化させるエッチング工程と、下地基板の主面上にIII族窒化物半導体の単結晶をエピタキシャル成長させ、粗面化された下地基板の主面を起因として、(0001)面以外の傾斜界面で構成される複数の凹部を単結晶の表面に生じさせ、下地基板の主面の上方に行くにしたがって複数の凹部の少なくともいずれかを徐々に拡大させ、(0001)面が消失し傾斜界面のみで構成される第1面を有する第1層を成長させる第1工程と、第1層上にIII族窒化物半導体の単結晶をエピタキシャル成長させ、傾斜界面を消失させ、鏡面化された第2面を有する第2層を成長させる第2工程と、を有する。【選択図】図1

60. 发明专利

JP2020070230A 窒化物半導体基板审中-公开
公开(公告)号：JP2020070230A
公开(公告)日：2020-05-07
申请号：JP2019170994
申请日：2019-09-20
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/20 , C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38
摘要：【課題】窒化物半導体基板の結晶品質を向上させる。【解決手段】III族窒化物半導体の単結晶からなる下地基板を準備する工程と、下地基板の主面全体に亘ってランダムに散在した成長阻害部を有する成長阻害層を気相成長装置内でその場形成する成長阻害層形成工程と、そのまま該気相成長装置を用い、(0001)面が露出した頂面を有するIII族窒化物半導体の単結晶を下地基板の主面上に成長阻害層の開口部を介してエピタキシャル成長させ、成長阻害層を起因として、(0001)面以外の傾斜界面で構成される複数の凹部を頂面に生じさせ、下地基板の主面の上方に行くにしたがって該傾斜界面を徐々に拡大させ、(0001)面を頂面から消失させ、表面が傾斜界面のみで構成される第1層を成長させる第1工程と、第1層上にIII族窒化物半導体の単結晶をエピタキシャル成長させ、傾斜界面を消失させ、鏡面化された表面を有する第2層を成長させる第2工程と、を有する。【選択図】図1

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