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41. 发明专利

JP2021077815A 真空処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021077815A
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：JP2019205132
申请日：2019-11-13
申请人：株式会社日立ハイテク
发明人：廣實一幸
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/3065
摘要：【課題】組立中に調整が不要で、高精度な組み立てが可能な真空処理装置を提供する。【解決手段】真空処理装置は、筐体1の片側に上蓋5を開閉するためのヒンジ機構4を持ち、ヒンジ機構4に備えられた長穴ヒンジ穴7、ヒンジ軸6、及びバネ機構8により上蓋5が上下に変位することができる。ヒンジ軸6が上下方向に変位できるため、組み立て工程中にヒンジ機構4の高さ調整が必要ない。これにより、組み立て時間を短縮できるため製造コストの上昇を抑えることができる。【選択図】図3

42. 发明专利

JP2021072405A ガス供給システム、基板処理装置及びガス供給システムの制御方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021072405A
公开(公告)日：2021-05-06
申请号：JP2019199623
申请日：2019-11-01
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：澤地淳 , 網倉紀彦
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/3065
摘要：【課題】配管の上流側へのパージガスの逆流を抑制する。【解決手段】ガス供給システムは、基板処理に用いられる処理ガスが通流する配管と、配管に接続され、配管へパージガスを導入するパージガス導入管と、配管の、パージガス導入管との接続点よりも上流側に設けられた第1バルブと、配管の、第1バルブよりも上流側に設けられた第2バルブと、配管に処理ガスを通流させる場合、第1バルブ及び第2バルブを開状態に維持し、配管を通流するガスを処理ガスからパージガスへ切り替える場合、第1バルブ及び第2バルブを開状態から閉状態へ切り替える制御部と、を有する。【選択図】図2

43. 发明专利

JP2021068871A エピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021068871A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：JP2019195389
申请日：2019-10-28
申请人：株式会社SUMCO
发明人：胡盛珀 , 楢原和宏
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/458 , H01L21/205
摘要：【課題】エピタキシャル成長装置内の構成部材を破損させることなく、プリヒートリングと下部ライナとの間の発塵を防止することができるエピタキシャル成長装置を提案する。【解決手段】チャンバと、チャンバの内壁に配置された環状の上部ライナおよび下部ライナ16と、チャンバ内の互いに対向する位置に設けられたガス導入口およびガス排出口と、チャンバの内部に設けられた、半導体ウェーハWを載置するサセプタ4とを備え、半導体ウェーハWは、チャンバに設けられたウェーハ搬入口からチャンバの内部に搬入され、下部ライナ16を経由してサセプタ4上に載置されるように構成されているエピタキシャル成長装置において、下部ライナ16の内周面とサセプタ4の側面とが直接対向していることを特徴とする。【選択図】図4

44. 发明专利

JP6863199B2 プラズマ処理装置有权
公开(公告)号：JP6863199B2
公开(公告)日：2021-04-21
申请号：JP2017183356
申请日：2017-09-25
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：加藤典之
IPC分类号： C23C16/503 , C23C16/44 , H05H1/46

45. 发明专利

KR102236013B1 KR102236013B1 - A apparatus for depositing the atomic layer 有权
公开(公告)号：KR102236013B1
公开(公告)日：2021-04-05
申请号：KR1020190014677A
申请日：2019-02-08
申请人： 주식회사 엔씨디
发明人： 신웅철 , 최규정 , 백민 , 양철훈
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/4409 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45504 , C23C16/45546 , C23C16/45548 , C23C16/45559
摘要： 본 발명은 이중 챔버가 아닌 단일 챔버 구조를 가지면서도 다수열로 배치되는 다수장의 기판에 대해서 균일한 박막 형성 공정을 수행할 수 있는 원자층 증착장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 원자층 증착장치는, 일측에 개구부가 형성되고 일정한 내부 공간을 가져서, 원자층 증착공정을 수행하는 공정 챔버; 다수개의 기판을 각 기판 사이의 간격이 층상 흐름 간격이 되도록 평행하게 적재하며, 상기 다수개의 기판이 적재된 상태에서 상기 공정 챔버 내부에 로딩되어 원자층 증착 공정이 진행되고 공정 완료 후 외부로 언로딩되는 다수개의 공정용 카세트; 상기 공정 챔버의 개구부 측에 설치되며, 상기 카세트에 적재되어 있는 모든 기판에 대하여 각 기판 사이의 공간에서 층상 흐름이 이루어지도록 상기 기판의 배열 방향과 평행한 방향으로 상기 기판의 선단부에 가스를 공급하는 가스 공급수단; 상기 공정 챔버 중 상기 개구부의 반대 측에 설치되며, 상기 가스공급수단에 의하여 분사되는 공정가스의 층상 흐름을 상기 기판의 후단부까지 유지시키는 배기측 층상흐름 형성부; 상기 공정 챔버 중 상기 배기측 층상흐름 형성부 후측에 설치되며, 상기 공정 챔버 내부의 가스를 흡입하여 배기하는 배기수단; 상기 공정 챔버의 외부에 상기 공정 챔버의 외면을 감싸는 방식으로 구비되며, 상기 공정 챔버를 가열하는 가열수단; 및 상기 개구부를 개폐하는 도어;를 포함한다.

46. 发明专利

JP2021050414A 成膜装置及び成膜方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021050414A
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：JP2020118373
申请日：2020-07-09
申请人：キオクシア株式会社
发明人：昆野優太 , 永瀬俊彦 , 坂田敦子 , 永田幸平 , 北尾良平 , 側瀬聡文 , 岩崎剛之
IPC分类号： C23C14/52 , C23C16/44 , C23C16/52 , C23C14/00
摘要：【課題】水素化ガスの装置外への漏出を抑制する成膜装置を提供する。【解決手段】実施形態の成膜装置は、基板の上に膜を形成するプロセスチャンバと、プロセスチャンバから排気される第1の排気ガスを無害化する除害装置と、プロセスチャンバに水を含むガスを供給する第1の供給管と、プロセスチャンバと除害装置との間の第1の排気ガスの第1の流路に設けられる第1の真空ポンプと、第1の真空ポンプと除害装置との間の第1の流路に設けられる第2の真空ポンプと、第2の真空ポンプと除害装置との間の第1の流路に設けられ、水素化ガスを検知可能な第1の検知部と、を備える。【選択図】図1

47. 发明专利

KR20210035287A KR20210035287A - Substrate processing apparatus, substrate holding part, manufacturing method and program of semiconductor device 审中-公开
公开(公告)号：KR20210035287A
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：KR1020217006014A
申请日：2018-09-12
申请人： 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
发明人： 다이스케 하라 , 타카시 야하타 , 츠요시 타케다 , 켄지 오노 , 카즈히코 야마자키
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/687
CPC分类号： C23C16/4583 , C23C16/4412 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 반응관 내에서의 이물을 효율적으로 제거하는 것이 가능한 기술을 제공한다.
기판을 보지하는 기판 보지부; 상기 기판 보지부를 수용하고 상기 기판을 처리하는 반응관; 상기 반응관 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급계; 상기 반응관 내의 분위기를 배기하는 배기계를 포함하고, 상기 기판 보지부는, 상기 기판을 보지하는 복수의 지주와, 적어도 1개의 상기 지주에 불활성 가스를 공급하는 중공부; 및 상기 반응관의 내벽에 대하여 상기 불활성 가스를 공급하는 가스 공급구를 포함하는 기술이 제공된다.

48. 发明专利

KR102234404B1 KR102234404B1 - Substrate processing system, control device, and film deposition method and program 有权
公开(公告)号：KR102234404B1
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020180033813A
申请日：2018-03-23
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 유이치 다케나가 , 다카히토 가사이
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/44 , H01L21/67
CPC分类号： H01L22/20 , C23C16/44 , C23C16/4583 , C23C16/52 , G05B19/188 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/67242 , G05B2219/40066 , H01L21/67017 , H01L22/12
摘要： 본 발명은 외란의 영향을 제거하여 성막 처리를 행하는 것이 가능한 기판 처리 시스템을 제공하는 것을 과제로 한다.
일실시형태의 기판 처리 시스템은, 처리 용기 내에 수용된 복수의 기판에 대하여, 상기 복수의 기판 중 적어도 하나의 기판에 성막된 막의 특성에 기초하여 산출되는 성막 조건을 이용하여, 상기 복수의 기판에 성막 처리를 행하는 것이 가능한 기판 처리 시스템으로서, 상기 기판의 표면 상태가 상기 하나의 기판에 성막되는 막의 특성에 미치는 영향을 나타내는 표면 상태 정보 및 상기 기판의 상기 처리 용기 내에서의 배치 상태가 상기 하나의 기판에 성막되는 막의 특성에 미치는 영향을 나타내는 배치 상태 정보를 기억하는 기억부와, 상기 기억부에 기억된 상기 표면 상태 정보 및 상기 배치 상태 정보에 기초하여, 상기 복수의 기판이 상기 하나의 기판의 막의 특성에 미치는 영향을 나타내는 정보를 산출하는 산출부와, 상기 산출부가 산출한 상기 정보에 기초하여, 상기 하나의 기판에 성막되는 막의 특성을 보정하는 보정부를 갖는다.

49. 发明专利

KR102233249B1 KR102233249B1 - Tungsten film forming method, film forming system and film forming apparatus 有权
公开(公告)号：KR102233249B1
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020190005709A
申请日：2019-01-16
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 다카시 사메시마 , 코지 마에카와 , 가츠마사 야마구치
IPC分类号： H01L21/285 , C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/28568 , C23C16/14 , C23C16/0272 , C23C16/12 , C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/4408 , C23C16/45525 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/02271 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/324 , H01L21/67017 , H01L21/67098 , H01L21/76831 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/28088 , H01L21/76843 , H01L21/76895 , H01L2924/01074
摘要： 본 발명은, 박막화한 경우에도 텅스텐막의 저저항화를 도모하는 것이다. 표면에 TiN막이 형성된 기판을 처리 용기 내에 배치하고, 감압 분위기에서 기판을 가열하면서 기판의 표면에 텅스텐막을 성막하는 텅스텐막의 성막 방법은, 기판에, 알루미늄 함유 재료에 의한 제1 막을 성막하는 공정과, 제1 막 상에 텅스텐막을 성막하는 공정을 갖는다.

50. 发明专利

KR20210033538A KR20210033538A - Intake device and atomic layer deposition device used in the atomic layer deposition process 审中-公开
公开(公告)号：KR20210033538A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020217006442A
申请日：2019-09-19
申请人： 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
发明人： 징펑 웨이 , 얀동 롱 , 신유 푸
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/4409 , C23C16/455 , C23C16/45544
摘要： 본 발명의 실시예는 원자층 증착 공정에 사용되는 흡기 장치 및 원자층 증착 디바이스를 개시한다. 상기 장치는 흡기 본체를 포함하고, 상기 흡기 본체에는 적어도 2개의 캐비티, 흡기 채널 및 적어도 2개의 가스 균일화 채널이 설치된다. 여기에서 적어도 2개의 캐비티는 모두 서로 이격되며, 각각의 캐비티는 모두 흡기구를 구비하고, 상기 흡기구는 전구체관과 연결하는 데 사용된다. 각각의 가스 균일화 채널은 각각의 캐비티를 흡기 채널과 일대일 대응하도록 연통시키는 데 사용되며, 흡기 채널은 공정 챔버와 연통시키는 데 사용된다. 본 발명에서 제공하는 원자층 증착 공정에 사용되는 흡기 장치 및 원자층 증착 디바이스의 기술적 해결책은 공용 완충 캐비티로 인해 서로 다른 전구체가 혼합되어 화학 반응이 일어나는 것을 방지할 수 있다. 또한 흡기 장치에서 반응으로 형성된 침전물 입자를 효과적으로 감소시켜 흡기 장치에 고장이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 초기 가스 균일화 효과를 개선하여 유지보수 주기를 연장시킬 수도 있다.

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