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41. 发明专利

JP5843725B2 単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP5843725B2
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：JP2012175660
申请日：2012-08-08
申请人：三菱電機株式会社
发明人：古庄智明
IPC分类号： C30B29/36 , H01L21/203 , C30B23/06

42. 发明专利

JP5841339B2 100ミリメートル高純度半絶縁単結晶炭化珪素ウエハ有权
标题翻译：百毫米高纯度半绝缘碳化硅单晶晶片
公开(公告)号：JP5841339B2
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：JP2011047944
申请日：2011-03-04
申请人：クリーインコーポレイテッド , CREE INC.
发明人：ジェニー,ジェイソン・ロナルド
IPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36
CPC分类号： C30B29/36 , C30B23/00 , C30B23/025 , C30B33/00 , H01L21/324 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1016 , Y10T428/21 , Y10T428/31

43. 发明专利

JP2015229608A 単結晶製造装置审中-公开
标题翻译：用于生产单晶的装置
公开(公告)号：JP2015229608A
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：JP2014115827
申请日：2014-06-04
申请人：株式会社フジクラ
发明人：畠田真至
IPC分类号： C30B23/06
摘要：【課題】優れた光透過性を有する単結晶を得ることができる単結晶製造装置を提供する。【解決手段】昇華法によって窒化アルミニウム単結晶6を製造する単結晶製造装置1において、原料2を収容する内側容器本体11と、前記内側容器本体11の第1の上部開口113を覆うと共に前記原料2に対向するように種結晶5を保持する内側蓋体12と、を有する内側坩堝10と、前記内側坩堝10を収容すると共に前記内側坩堝10との外側空間に不純物低減用原料13を収容する外側容器本体21と、前記外側容器本体21の第2の上部開口213を覆う外側蓋体22と、を有する外側坩堝20と、を備えることを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够提供具有优异的光透射率的单晶的单晶的制造装置。提供了一种用于制造单晶的装置1，其通过升华法产生氮化铝单晶6，包括：内坩埚10，其具有容纳原料2的内容器主体11和覆盖内容器主体11的第一上开口113并且保持晶种5以与原材料2相对的内盖体12 ; 以及外坩埚20，该外坩埚20具有容纳内坩埚10的外容器主体21，并且在外容器主体21的内部形成的空间和内坩埚10的外部容纳用于杂质还原的原料13，以及外盖主体22，外容器主体21的第二上开口213。

44. 发明专利

JP5808574B2 単結晶製造装置、及び単結晶の製造方法有权
标题翻译：单晶制造装置，以及一种用于制造单晶的方法
公开(公告)号：JP5808574B2
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：JP2011114006
申请日：2011-05-20
申请人：株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社 , 昭和電工株式会社
发明人：郡司島造 , 山田正徳 , 浦上泰 , 近藤宏行 , 安達歩 , 増田隆
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06

45. 发明专利

JP5792675B2 窒化アルミニウム結晶の成長方法有权
公开(公告)号：JP5792675B2
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：JP2012113180
申请日：2012-05-17
IPC分类号： C30B29/38 , C30B23/06 , H01L21/203

46. 发明专利

JP2015129055A 炭化珪素単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：制造单晶碳化硅的方法
公开(公告)号：JP2015129055A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：JP2014000156
申请日：2014-01-06
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：佐々木将 , 竹内栄治 , 堀勉 , 佐々木信 , 上田俊策
IPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36
摘要：【課題】種結晶11を台座41の表面41aに強固に固定することができる。【解決手段】炭化珪素単結晶の製造方法は以下の工程を備えている。表面41aを有する台座41と、炭化珪素からなり、かつ第1の主面11aおよび第1の主面11aと反対側の第2の主面11bを有する種結晶11とが準備される。台座41の表面41aおよび種結晶11の第1の主面11aの間に接着剤31が配置される。接着剤31を硬化させることにより、種結晶11が台座41に固定される。台座41に固定された種結晶11の第2の主面11bに炭化珪素単結晶52が成長する。種結晶11の第1の主面11aの最大径は75mm以上である。接着剤を配置する工程において、接着剤31の質量を種結晶11の第1の主面11aの面積で除した値が5mg/cm 2 以上50mg/cm 2 以下となるように接着剤31が配置される。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：将晶种11紧密地固定到基座41的表面41a上。解决方案：制造碳化硅单晶的方法包括以下步骤：制备具有表面41a的基座41和晶种 11，其由碳化硅制成，并且在与第一主表面11a相反的一侧具有第一主表面11a和第二主表面11b; 在基座41的表面41a和晶种11的第一主表面11a之间布置粘合剂31; 通过硬化粘合剂31将籽晶11固定到基座41上; 并在固定于台座41的晶种11的第二主表面11b上生长碳化硅单晶52.籽晶11的最大直径为75mm以上的第一主表面11a。在布置粘合剂的步骤中，粘合剂31被布置成使得通过将粘合剂31的质量除以晶种11的第一主表面11a的面积获得的值为5mg / cm 3以上且50mg / 不少于

47. 发明专利

JP2015117143A 単結晶の製造方法有权
标题翻译：单晶生产方法
公开(公告)号：JP2015117143A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：JP2013259926
申请日：2013-12-17
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：佐々木信 , 堀勉 , 竹内栄治 , 上田俊策
IPC分类号： C30B23/06
摘要：【課題】反りやうねりを有する種基板を用いても結晶性の高い炭化珪素単結晶を得ることができる、単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】第1の面(第2の主面10B)を有する種基板10と、第2の面(第3の主面20A)を有する台座20と、台座20と種基板10とを接着するための接着剤とを準備する工程(S10)と、第1の面(第2の主面10B)と第2の面(第3の主面20A)とが対向するように、台座20の第2の面上に接着剤30を用いて種基板10を固定する工程(S20)と、台座20上に固定されている種基板10上に単結晶を成長させる工程(S30)とを備え、準備する工程(S10)では、無負荷状態における第1の面(第2の主面10B)のSORI値と無負荷状態における第2の面(第3の主面20A)のSORI値との和が70μm以下となるように、種基板10と台座20とが準備される。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供即使通过使用具有翘曲和波纹的种子基底也可获得具有高结晶度的碳化硅单晶的单晶的制造方法。解决方案包括：制备步骤（S10）具有第一面（第二主面10B）的种子基板10，具有第二面（第三主面20A）的基座20和用于接合基座10和种子基板10的粘合剂30; 通过使用粘合剂30将种子基板10固定在基座20的第二面上的步骤（S20），使得第一面（第二主面）与第二面（第三主面20A）相对; 以及用于在固定到基座20的种子基板上生长单晶的步骤（S30）。在准备步骤（S10）中，准备种子基板10和基座20，使得第一面的SORI值之和（第二主面10B）处于无负载状态，第二面（第三主面）的SORI值为70μm以下。

48. 发明专利

JP2015063435A 単結晶インゴットの製造方法、単結晶基板の製造方法、および半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造单晶体的方法，制造单晶衬底的方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015063435A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2013199567
申请日：2013-09-26
申请人：三菱電機株式会社
发明人：古庄智明 , 鈴木裕彌
IPC分类号： C30B23/06 , C30B33/00 , H01L21/205 , H01L29/12 , H01L29/78 , C30B29/36
摘要：【課題】結晶欠陥の少ない単結晶インゴットを提供する。【解決手段】{0001}面に垂直な第1の面PL1が設けられた第1の種結晶11上に第1の単結晶インゴット12が成長させられる。{0001}面から10°未満のオフ角を有する第2の面PL2が設けられた第2の種結晶21が第1の単結晶インゴット12から切り出される。第1の単結晶インゴット12を成長させる上記工程は、第2の面PL2の10mm角の範囲内における第2の種結晶21の方位のばらつきが0.15°未満となるように行われる。第2の種結晶21上に第2の単結晶インゴット22が成長させられる。【選択図】図10
摘要翻译：要解决的问题：提供具有较少晶体缺陷的单晶锭。解决方案：第一单晶锭12生长在设置有垂直于{0001}面的第一平面PL1的第一晶种11上。从第一单晶锭12切出具有从{0001}面偏离小于10°的偏离角的第二平面PL2的第二晶种21。生长第一单晶锭12的过程是所以使得第二晶种21的<0001>取向在第二平面PL2的10mm见方的范围内的变化小于0.15°。在第二晶种21上生长第二单晶锭22。

49. 发明专利

JP2014234331A 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法及び炭化珪素単結晶インゴット有权
标题翻译：碳化硅单晶和单晶碳化硅的制造方法
公开(公告)号：JP2014234331A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：JP2013117639
申请日：2013-06-04
申请人：新日鐵住金株式会社 , Nippon Steel & Sumitomo Metal
发明人： TSUGE HIROSHI , FUJIMOTO TATSUO , KATSUNO MASAKAZU , SATO SHINYA , TANI KOMOMO , USHIO MASASHI
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06
摘要：【課題】炭化珪素単結晶インゴットの製造時に炭化珪素原料部分の温度分布を変化させ、坩堝に装填した原料を効率良く昇華させながら、大口径かつ長尺の炭化珪素単結晶インゴットを製造する。【解決手段】昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させて炭化珪素単結晶インゴットを製造する方法であって、単結晶の成長中に、炭化珪素原料の底部に対して、高周波誘導加熱により発熱する発熱部材及び断熱部材のうちの1つ以上の部材を相対的に移動させ、炭化珪素原料の底部の周辺端部と中心部との間の温度差を低減させるように温度分布の制御を行う炭化珪素単結晶インゴットの製造方法である。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：通过改变碳化硅原料的温度分布来制造具有大直径和长度的碳化硅单晶锭，并且在制造碳化硅单晶锭时有效地升华装载在坩埚中的原料。：通过升华重结晶法在晶种上生长碳化硅单晶来制造碳化硅单晶锭。当生长单晶以控制温度分布时，通过高频感应加热产生热的放热构件中的一个或多个构件和绝缘构件相对于碳化硅原料的底部移动，以便降低温度分布周边部分和碳化硅原料底部的中心部分。

50. 发明专利

JP2014159347A Manufacturing apparatus and method of silicon carbide single crystal substrate 审中-公开
标题翻译：碳化硅单晶基板的制造装置及方法
公开(公告)号：JP2014159347A
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：JP2013030782
申请日：2013-02-20
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： OI NAOKI , KAWASE TOMOHIRO , FUJIWARA SHINSUKE , SASAKI MAKOTO , NISHIGUCHI TARO , HORI TSUTOMU , UEDA SHUNSAKU
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing apparatus and method of a silicon carbide single crystal substrate that can reduce a variation of crystal quality in the surface of a silicon carbide single crystal substrate and reduce a stress generated in a silicon carbide single crystal during growth of the silicon carbide single crystal.SOLUTION: A manufacturing apparatus 11 of a silicon carbide single crystal substrate 100a includes a raw material housing part 8 and a seed substrate holding part 1. The seed substrate holding part 1 is disposed at a position opposed to the raw material housing part 8. The seed substrate holding part 1 comprises a plate part 2 having a first principal surface 2a and a second principal surface 2b which are opposed to each other, a body part 4 in contact with the first principal surface 2a of the plate part 2, and a connection part 3 for fixing the plate part 2 to the body part 4. The thickness T1 of the plate part 2 is less than the thickness T2 of the body part 4.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种碳化硅单晶基板的制造装置和方法，其可以减少碳化硅单晶基板的表面的晶体质量的变化，并减少生长期间在碳化硅单晶中产生的应力的碳化硅单晶。解决方案：碳化硅单晶基板100a的制造装置11包括原料收容部8和种子基板保持部1.种子基板保持部1配置在与种子基板保持部分1包括具有彼此相对的第一主表面2a和第二主表面2b的板部分2，与第一主表面2a接触的主体部分4 板部2，以及用于将板部2固定在主体部4上的连接部3.板部2的厚度T1小于第 e身体部分4。

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