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42. 发明专利

JP2021517550A カーボンナノチューブ製造システム有权
公开(公告)号：JP2021517550A
公开(公告)日：2021-07-26
申请号：JP2021501062
申请日：2018-03-26
申请人：スーチョウ・ジェルナノ・カーボン・カンパニー・リミテッド
发明人：勇振中 , 李清文 , 金赫▲華▼ , 李 ▲達▼ , 李志
IPC分类号： B82Y40/00 , B05B7/08 , B05B17/06 , C01B32/164
摘要：カーボンナノチューブの原料を霧化して予備成長管(210)内に噴射する。アトマイザ(220)は、予備成長管(210)の前端に設置され、噴霧吐出管(221)を有し、噴霧吐出管(221)は、予備成長管(210)内までに延びる。成長管(230)は、カーボンナノチューブの生成及び生成したカーボンナノチューブの連続的な成長のためのものである。成長管(230)の前端は、予備成長管(210)の後端に封止接続される。ガスカーテン発生器(240)は前記噴霧吐出管(221)の出口の周りに噴霧気流を包むガスカーテンを形成し、前記ガスカーテンは、前記予備成長管(210)の伸び方向に平行に延伸する。ガスカーテン発生器(240)は前記予備成長管(210)内に設置される。このシステムは、噴霧吐出管の周囲にガスカーテンを形成し、ガスカーテンにより予備成長管に層流を形成して気流を安定させる。一方、不純物やカーボンナノチューブの粘着が回避され、カーボンナノチューブの成長の連続性は確保される。

43. 发明专利

JP2021031322A カーボンナノチューブ(CNT)連続製造装置有权
公开(公告)号：JP2021031322A
公开(公告)日：2021-03-01
申请号：JP2019151005
申请日：2019-08-21
申请人： D−POWER株式会社
发明人：山岡照幸 , 寺田常徳
IPC分类号： B82Y40/00 , C01B32/164
摘要：【課題】装置の構成が簡単で、かつトレイの搬送機構が反応炉を貫通することのない小型化されたCNTの製造に好適なCNT連続製造装置を提供する【解決手段】昇温域200、反応域100、冷却域300を備えたカーボンナノチューブ(CNT)成長用の反応炉500の反応域内に始端及び終端を有し、互いに平行に設置され、CNTを成長させる基板を保持するトレイ110を第1位置に載置する固定ガイド部材102と;昇温域内に始端を有し、冷却域内に終端を有し、固定ガイド部材に沿って平行に設置され、固定ガイド部材上に載置されたトレイを所定のタイミングでピックアップして移動させる移動ガイド部材104と;移動ガイド部材の始端と終端とをそれぞれ回動可能に把持し、同期して同一方向に回動することにより、固定ガイド部材上に載置されているトレイを第1位置から第2位置に移動させる移動ガイド駆動機構106a,106bと;を備える。【選択図】図1

44. 发明专利

JP6786638B2 カーボンナノチューブの製造装置および製造方法有权
公开(公告)号：JP6786638B2
公开(公告)日：2020-11-18
申请号：JP2019018631
申请日：2019-02-05
申请人：株式会社名城ナノカーボン
发明人：橋本剛 , 高野慶
IPC分类号： C23C16/26 , C01B32/159 , C01B32/164

45. 发明专利

JP2020119891A カーボンナノ構造化フィラメントによって支持される自立電極の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020119891A
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：JP2020002026
申请日：2020-01-09
申请人：本田技研工業株式会社
发明人：アヴェティク・アール.・ハルティウニアン
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/505 , C01B32/159 , C01B32/164 , C01B32/174 , C01B32/168 , H01M4/525
摘要：【課題】カーボンナノチューブ及び電極活物質の液体分散体から複合材を生成するための方法の提供。【解決手段】自立電極の製造方法に関し、方法は、カーボンナノチューブ又は炭素繊維及び液体媒体を含む液体分散体を提供することと、カーボンナノチューブ又は炭素繊維を液体分散体から、電極活物質が事前堆積された移動基材に湿式堆積させて、カーボンナノチューブ又は炭素繊維及び電極活物質の両方を含む複合材を形成することと、を含む。【選択図】図1

47. 发明专利

JP2020507195A CNTパルプのネットワークにより画定された構造物を製造するための系および方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020507195A
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：JP2019546761
申请日：2017-11-07
申请人：ナノコンプテクノロジーズ,インク.
发明人：シャウアー,マーク・ダブリュ , ゼイラ,エイタン , ガイラス,デービッド , ホワイト,ブライアン
IPC分类号： H01M4/62 , H01M4/525 , H01M4/58 , H01M4/505 , H01M4/38 , H01G11/22 , H01G11/36 , H01G11/86 , C01B32/168 , C01B32/164 , H01M4/13
摘要：本明細書には、構造物全体の電子伝達を可能にするための、前記構造物の浸透(percolation)閾値を超える長距離接続性(long−range connection)を有するカーボンナノチューブ(CNT)パルプネットワークにより画定された(defined)本体、前記本体内に分散された活性物質、および前記活性物質を前記本体内の前記CNTパルプネットワークに結合する結合物質、を有する構造物を製造するための生成物(products)および方法が提供される。【選択図】図1

48. 发明专利

JP2019525026A 整列度が向上したカーボンナノチューブ纎維集合体の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019525026A
公开(公告)日：2019-09-05
申请号：JP2019524010
申请日：2017-10-27
申请人：エルジー・ケム・リミテッド , ポステック・アカデミー‐インダストリー・ファウンデーション
发明人：ユージーン・オウ , チュハン・キム , チ・ウン・キム , ウォン・チェ・イ , ヒョンジュン・チョ , クン−ホン・イ
IPC分类号： D01F9/127 , B01J27/043 , C01B32/164 , C01B32/168 , D06B13/00
摘要：本発明は、カーボンナノチューブ纎維集合体の製造方法に関するものであって、超音波印加及び低速回収を通じて整列度が向上したカーボンナノチューブ纎維集合体が得られる。

49. 发明专利

JP2019112656A 炭素ナノ構造体成長用CVD装置及び炭素ナノ構造体の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019112656A
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：JP2017244799
申请日：2017-12-21
申请人：株式会社アルバック
发明人：中野美尚 , 福田義朗 , 塚原尚希 , 村上裕彦 , 大西洋平 , 山口広一 , 吉田篤史 , 小室健司
IPC分类号： C23C16/26 , C01B32/186 , C01B32/164 , B82Y40/00 , B65H20/06 , B65H23/14 , C23C16/54
摘要：【課題】基材として例えば表面に触媒層を有する帯状の銅箔を用いるような場合でも、この基材を移送しながら基材表面に炭素ナノ構造体を連続して成長させることができる炭素ナノ構造体成長用CVD装置及び炭素ナノ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】炭素含有の原料ガスを導入した加熱雰囲気の処理炉1内で帯状の基材Fmを移送し、この基材の表面に炭素ナノ構造体を成長させる本発明の炭素ナノ構造体成長用CVD装置Mは、ロール状に巻回された帯状の基材を所定速度で繰り出す繰出手段2と、処理炉を通過することで表面に炭素ナノ構造体が成長した基材を巻き取る巻取手段3と、繰出手段と巻取手段との間に設けられて処理炉内に存する基材の部分に加わる張力をキャンセルして弛ませる弛ませ手段5a,5bと、この弛んだ基材の部分を担持しながら移送するベルトコンベア6とを備える。【選択図】図1

50. 发明专利

JP2019052060A 炭素ナノ構造体成長用のCVD装置及び炭素ナノ構造体の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019052060A
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：JP2017177166
申请日：2017-09-14
申请人：株式会社アルバック
发明人：中野美尚 , 福田義朗 , 塚原尚希 , 村上裕彦
IPC分类号： C01B32/15 , C01B32/164
摘要：【課題】処理対象物表面全体に亘って炭素ナノ構造体を成長させることができる炭素ナノ構造体成長用のCVD装置及び炭素ナノ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】処理炉1と、処理炉内を通過するように処理対象物Fmを搬送する搬送手段15と、処理炉内に炭素含有の原料ガスを導入するガス導入手段11,12と、原料ガスを加熱する加熱手段13とを備え、処理室内を通過する処理対象物の表面に炭素ナノ構造体を成長させる本発明の炭素ナノ構造体成長用CVD装置Mは、搬送手段が、処理対象物が載置されて所定速度で走行される帯状体Vmを有し、この帯状体に、処理対象物の載置面Fm1側への炭素ナノ構造体の成長を許容する複数の開口が形成され、帯状体の表面に起毛層Rrを設ける。【選択図】図1

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