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41. 发明专利

JP5847745B2 イオン注入装置およびイオン注入装置の状態判定方法有权
标题翻译：的离子注入装置的状态确定的方法和离子注入装置
公开(公告)号：JP5847745B2
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：JP2013036260
申请日：2013-02-26
申请人：株式会社東芝
发明人：神宮司雅之 , 服部圭 , 藤田敬次 , 永松貴人
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/026 , H01J2237/24564 , H01J2237/304

42. 发明专利

JP2015122524A 断面システムおよび方法有权
标题翻译：交叉系统和方法
公开(公告)号：JP2015122524A
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：JP2015016616
申请日：2015-01-30
申请人：カールツァイスマイクロスコーピーエルエルシー
发明人：ローレンスシピオニ , レイナーニッペルメイヤー , クリストフリーデゼル , ジョンモーガン , ウルリッヒマンツ , ウルリッヒヴァーゲマン
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N1/286 , H01J2237/0807 , H01J2237/304 , H01J2237/31745 , H01L22/12 , H01L2924/0002
摘要：【課題】半導体製品等の試料の断面を形成し、形成した断面上またはその周辺の対象領域を検査や修正をする断面システムおよび方法を提供する。【解決手段】システム400は筐体405を備える。筐体405は、試料の断面を切断するデバイス410A〜410Jをさらに有する。システム400において、デバイス220A〜220Jを用いて、各試料の比較的粗い初期断面を形成し、続いて、デバイス410A〜410Jにて対応する各試料のその断面を比較的平滑な(より微細な)断面とする。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供横截面系统和方法以形成诸如半导体制品的样品的横截面，并且随后检查或修改形成的横截面处或附近的感兴趣区域。解决方案：系统400包括壳体405.壳体405还具有用于切割样品的横截面的装置410A-410J。在系统400中，装置220A-220J用于形成每个样品的初始的相对粗糙的横截面，并且器件410A-410J随后使得横截面在每个对应的横截面中相对平滑（更精细化）样品。

43. 发明专利

JP2015103281A 高エネルギーイオン注入装置、ビーム電流調整装置、及びビーム電流調整方法有权
标题翻译：高能离子植入装置，光束电流调节装置和光束电流调节方法
公开(公告)号：JP2015103281A
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：JP2013240647
申请日：2013-11-21
申请人：株式会社SEN
发明人：稲田耕二 , 加藤浩二
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/304 , H01J37/04 , H01J37/3171 , H01J2237/0455 , H01J2237/08 , H01J2237/24535 , H01J2237/304 , H01J2237/30472 , H01J2237/31701
摘要：【課題】例えば高エネルギーイオン注入装置において注入ビーム電流を調整する。【解決手段】イオン注入装置のためのビーム電流調整装置300は、イオンビームの収束点Pまたはその近傍に配置されている可変アパチャー302を備える。可変アパチャー302は、注入ビーム電流を制御するために、収束点Pにおけるイオンビームの収束方向に垂直な方向のビーム幅を調整するよう構成されている。可変アパチャー302は、質量分析スリット22bの直後に配置されていてもよい。ビーム電流調整装置300は、高エネルギー多段直線加速ユニット14を有する高エネルギーイオン注入装置100に設けられていてもよい。【選択図】図19
摘要翻译：要解决的问题：例如在高能离子注入装置中调整注入束电流。解决方案：用于离子注入装置的束电流调节装置300包括布置在离子束的会聚点P处的可变孔302 ，或其附近。为了控制注入光束电流，可变光圈302被配置为在会聚点P处调节垂直于其收敛方向的离子束的光束宽度。可变光圈302可以紧接在质谱狭缝22b。束电流调节装置300可以设置在具有高能量多级线性加速单元14的高能离子注入装置100中。

44. 发明专利

JP2014238402A 荷電粒子ビームリソグラフィシステム及びターゲット位置決め装置有权
标题翻译：充电颗粒光束光刻系统和目标定位装置
公开(公告)号：JP2014238402A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2014136143
申请日：2014-07-01
申请人：マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. , Mapper Lithography Ip Bv
发明人： JERRY PEIJSTER , GUIDO DE BOER
IPC分类号： G12B5/00 , G03F7/20 , G12B17/02 , H01J37/305 , H01L21/027 , H01L21/68
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/20 , H01J37/26 , H01J2237/026 , H01J2237/202 , H01J2237/304
摘要：【課題】荷電粒子ビームリソグラフィシステムのために最適化されたターゲット位置決め装置を使用する動作方法を提供する。【解決手段】ターゲット3上に荷電粒子ビーム2を投影するための真空チャンバ50に配置され、荷電粒子ビーム2を偏向方向に偏向させるための偏向手段を有する荷電粒子光学カラム4と、ターゲット3を保持するためのキャリア51及び偏向方向とは異なる第1の方向に沿ってキャリア51を保持し移動させるためのステージ52を有するターゲット位置決め装置5と、を具備し、このターゲット位置決め装置5は、荷電粒子光学カラム4に対する第1の方向にステージ52を移動させるための第1のアクチュエータ53を有し、キャリア51は、ステージ52に移動可能に配置されており、ターゲット位置決め装置5は、第1の相対位置にステージ52に対してキャリア51を保持するための保持手段を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用针对带电粒子束光刻系统优化的目标定位装置的操作方法。解决方案：带电粒子束光刻系统包括：带电粒子光学柱4，设置在真空室50中，用于突出带电粒子束2到目标3上，该列包括用于使带电粒子束2在偏转方向上偏转的偏转装置; 以及包括用于保持目标3的载体51的目标定位装置5和用于沿着与偏转方向不同的第一方向保持和移动载体51的台52。目标定位装置5具有第一致动器53，用于相对于带电粒子光学柱4在第一方向上移动平台52; 并且载体51被设置为在平台52上可移动。目标定位装置5具有用于将托架51保持在相对于平台52的第一相对位置的保持装置。

45. 发明专利

JP2014137901A Ion implanter and operation method of ion implanter 审中-公开
标题翻译：离子植入物的离子植入物和操作方法
公开(公告)号：JP2014137901A
公开(公告)日：2014-07-28
申请号：JP2013005803
申请日：2013-01-16
申请人： Nissin Ion Equipment Co Ltd , 日新イオン機器株式会社
发明人： MATSUMOTO TAKESHI
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： C23C14/48 , C23C14/564 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/304
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To carry out the re-start-up processing of an ion beam, in a short period of time, after cleaning the interior of an ion source.SOLUTION: In the ion implantation processing, process gas is introduced into an ion source IS, a ribbon-like ion beam 3 is withdrawn from the ion source IS by using an extraction electrode system 2 including a plurality of electrodes, and a substrate 4 disposed in a processing chamber 5 is irradiated with the ion beam 3. At the time other than the ion implantation processing, cleaning gas is introduced into the ion source IS, and the interior of the ion source IS is cleaned. In such an ion implanter IM, when re-starting the ion beam 3 after cleaning, a predetermined voltage is applied to the extraction electrode system 2, and then the operation parameters of the ion source IS are set to the operation parameters corresponding to the implantation recipe of a processed substrate 4.
摘要翻译：要解决的问题：在清洁离子源的内部之后，在短时间内执行离子束的再启动处理。解决方案：在离子注入处理中，将工艺气体引入离子源IS，通过使用包括多个电极的引出电极系统2，从离子源IS取出带状离子束3，并且在离子束3中照射设置在处理室5中的基板4.在除了离子注入处理之外的时间，将清洁气体引入离子源IS，并且清洁离子源IS的内部。在这样的离子注入机IM中，在清洗后重新开始离子束3时，向提取电极系统2施加规定的电压，然后将离子源IS的运转参数设定为与植入对应的运转参数处理基板的配方4。

46. 发明专利

JP5539468B2 Charged particle beam lithography system and the target positioning device 有权
公开(公告)号：JP5539468B2
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：JP2012181421
申请日：2012-08-20
申请人：マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ.
发明人：イェリー・ペイーステル , グイド・デ・ボエル
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , H01J37/20 , H01J37/305 , H01L21/68
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/20 , H01J37/26 , H01J2237/026 , H01J2237/202 , H01J2237/304

47. 发明专利

JP2013089839A Charged particle beam lithography apparatus and charged particle beam lithography method 有权
标题翻译：充电颗粒光束光刻装置和充电颗粒光束光刻方法
公开(公告)号：JP2013089839A
公开(公告)日：2013-05-13
申请号：JP2011230464
申请日：2011-10-20
申请人： Nuflare Technology Inc , 株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人： KATO YASUO , YASHIMA JUN
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J2237/304 , H01J2237/31769
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus capable of correcting dimensional variation of a pattern due to a phenomenon having an influence radius of several μm or less together with other dimensional variation factors.SOLUTION: A lithography apparatus 100 comprises: a gradient calculation unit 44 calculating the gradient of the amount of convolution by using an amount of convolution obtained by performing convolution operation of area density and distribution function; a small influence radius phenomenon correction irradiation coefficient calculation unit 46 operating a small influence radius phenomenon correction irradiation coefficient for correcting dimensional variation due to a phenomenon having an influence radius of micron order or less by using the amount of convolution and gradient; a proximity effect correction irradiation coefficient calculation unit 50 operating a proximity effect correction irradiation coefficient for correcting dimensional variation due to proximity effect; an irradiation level calculation unit 56 operating an irradiation level by using the proximity effect correction irradiation coefficient and the small influence radius phenomenon correction irradiation coefficient; and a drawing unit 150 drawing a figure pattern on a sample by using a charged particle beam based on the irradiation level.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够根据具有几μm以下的影响半径的现象以及其他尺寸变化因素来校正图案的尺寸变化的装置。解决方案：光刻设备100包括：梯度计算单元44，通过使用通过进行区域密度和分布函数的卷积运算获得的卷积量来计算卷积量的梯度; 小影响半径现象校正照射系数计算单元46通过使用卷积和梯度的量来操作由于具有微米级或更小的影响半径的现象引起的尺寸变化的小影响半径现象校正照射系数; 邻近效应校正照射系数计算单元50操作用于校正由于邻近效应引起的尺寸变化的邻近效应校正照射系数; 照射度计算单元56通过使用接近效应校正照射系数和小影响半径现象校正照射系数来操作照射水平; 以及绘制单元150，其通过使用基于照射水平的带电粒子束在样本上绘制图形图案。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

48. 发明专利

JP4915671B2 Ion source, an ion implantation apparatus and ion implantation method 有权
公开(公告)号：JP4915671B2
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：JP2007243308
申请日：2007-09-20
申请人：日新イオン機器株式会社
发明人：啓子久澤 , 貴敏山下 , 忠司池尻 , 秀行藤原
IPC分类号： H01J27/02 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J27/14 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/082 , H01J2237/083 , H01J2237/24542 , H01J2237/304 , H01J2237/30472 , H01J2237/31708 , H01J2237/3171

49. 发明专利

JP4299195B2 Charged particle beam device and its optical axis adjusting method 有权
公开(公告)号：JP4299195B2
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：JP2004189442
申请日：2004-06-28
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：佐藤　　貢 , 山口　　聡 , 真江角
IPC分类号： H01J37/153 , G01N23/225 , H01J37/04 , H01J37/21 , H01J37/26 , H01J37/28
CPC分类号： H01J37/265 , H01J2237/1501 , H01J2237/28 , H01J2237/304

50. 发明专利

JP2009076287A Ion source, ion implanting device, and ion implantation method 有权
标题翻译：离子源，离子植入装置和离子植入方法
公开(公告)号：JP2009076287A
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：JP2007243308
申请日：2007-09-20
申请人： Nissin Ion Equipment Co Ltd , 日新イオン機器株式会社
发明人： YAMASHITA TAKATOSHI , IKEJIRI TADASHI , HISAZAWA KEIKO , FUJIWARA HIDEYUKI
IPC分类号： H01J27/02 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J27/14 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/082 , H01J2237/083 , H01J2237/24542 , H01J2237/304 , H01J2237/30472 , H01J2237/31708 , H01J2237/3171
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion source achieving improvement in uniformity of a beam current density distribution in a Y-direction of ribbon-like ion beams and a given uneven distribution, by making partially controllable a plasma density in the Y-direction inside a plasma generating vessel. SOLUTION: The ion source 10b generates ribbon-like ion beams with a dimension in a Y-direction larger than that in an X-direction. The ion source 10b is provided with a plasma generating vessel 12 with an ion extracting port 14 extended in a Y-direction, a plurality of cathodes 20 arranged in a plurality of steps along a Y-direction at one side in an X-direction inside the plasma generating vessel 12, a reflecting electrode 32 set in opposition to the cathodes 20 at the other side in an X-direction inside the plasma generating vessel 12, and electromagnets 40 for generating magnetic fields 50 along the X-direction in a region including the plurality of cathodes 20 inside the plasma generating vessel 12. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种离子源，其实现了带状离子束的Y方向上的束电流密度分布的均匀性和给定的不均匀分布，通过使Y中的等离子体密度部分可控等离子体发生容器内的方向。解决方案：离子源10b产生尺寸在Y方向上大于X方向的带状离子束。离子源10b设置有等离子体发生容器12，其具有在Y方向上延伸的离子提取口14，多个阴极20沿着沿X方向内侧的一侧的Y方向以多个台阶布置等离子体发生容器12，与等离子体发生容器12内的X方向另一侧的阴极20相对设置的反射电极32，以及用于沿着X方向产生磁场50的电磁体40，等离子体发生容器12内的多个阴极20。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

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