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    • 48. 发明专利
    • 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび酸化物薄膜
    • JPWO2019131876A1
    • 2020-12-10
    • JP2018048135
    • 2018-12-27
    • 三井金属鉱業株式会社
    • 寺村 享祐
    • C04B35/01C23C14/34
    • 実施形態の一様態に係る酸化物焼結体は、インジウム(In)と、ガリウム(Ga)と、亜鉛(Zn)と、スズ(Sn)と、アルミニウム(Al)と、酸素(O)と、不可避不純物とからなる酸化物焼結体であって、各元素の原子比が下記式(1)〜(4)を満たす。 0.70≦(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≦0.98 ・・(1) 0.01≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≦0.29 ・・(2) 0.01≦Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≦0.10 ・・(3) 0.50




      (81)指定国・地域 AP(BW,GH,GM,KE,LR,LS,MW,MZ,NA,RW,SD,SL,ST,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,RU,T J,TM),EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,R O,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GQ,GW,KM,ML,MR,NE,SN,TD,TG),AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ, BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CZ,DE,DJ,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,G T,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IR,IS,JO,JP,KE,KG,KH,KN,KP,KR,KW,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,ME,MG,MK,MN,MW,MX ,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SA,SC,SD,SE,SG,SK,SL,SM,ST,SV,SY,TH,TJ,TM, TN,TR,TT (注)この公表は、国際事務局(WIPO)により国際公開された公報を基に作成したものである。なおこの公表に 係る日本語特許出願(日本語実用新案登録出願)の国際公開の効果は、特許法第184条の10第1項(実用新案法 第48条の13第2項)により生ずるものであり、本掲載とは関係ありません。