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41. 发明专利

JP6542243B2 発光素子、表示装置および照明装置有权
公开(公告)号：JP6542243B2
公开(公告)日：2019-07-10
申请号：JP2016548916
申请日：2015-09-16
申请人：国立研究開発法人科学技術振興機構 , 国立大学法人東京工業大学 , AGC株式会社
发明人：細野秀雄 , 戸田喜丈 , 中村伸宏 , 宮川直通 , 渡邉暁 , 渡邉俊成
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/12 , H01L27/32 , G09F9/30 , H05B33/26

42. 发明专利

JP2019075264A 負イオン源审中-公开
公开(公告)号：JP2019075264A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：JP2017200259
申请日：2017-10-16
申请人：学校法人同志社 , 国立大学法人東京工業大学 , 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 , AGC株式会社
发明人：和田元 , 笹尾眞實子 , 細野秀雄 , 津守克嘉 , 渡邉暁 , 宮川直通
IPC分类号： H01J27/16 , H05H1/46 , H01J37/08
摘要：【課題】分解掃除や加熱を必要としない、保守性に優れた負イオン源を提供する。【解決手段】本発明に係る負イオン源は、放電により内部空間に水素同位体のプラズマが生成される放電容器2と、プラズマ中の正イオンを負イオンに変換するコンバータ9と、コンバータ9により変換された水素同位体の負イオンを静電的に外部に引き出してイオンビームを生成する引出電極部7とを備え、コンバータ9として、低仕事関数の導電性セラミックスを用いている。【選択図】図1

43. 发明专利

JPWO2018030394A1 アンモニア合成用触媒の製造方法及びアンモニアの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018030394A1
公开(公告)日：2019-04-18
申请号：JP2017028739
申请日：2017-08-08
申请人：国立大学法人東京工業大学 , つばめBHB株式会社
发明人：細野秀雄 , 北野政明 , 横山壽治 , 李江 , 河村重喜 , 岸田和久
IPC分类号： B01J37/03 , B01J37/10 , B01J23/58 , B01J35/10 , C01C1/04 , B01J37/18
摘要：製造方法や製造設備の面の制約があり、特に工業スケールでの製造に制約が大きいアンモニア合成用の担持金属触媒を、より簡便で、かつ得られる触媒の活性が高い触媒の製造方法を提供する。本発明のアンモニア合成用触媒の製造方法は、比表面積が5m 2 /g以上の12CaO・7Al 2 O 3 を調製する第一の工程と、前記12CaO・7Al 2 O 3 に、ルテニウム化合物を担持する第二の工程と、前記第二の工程で得られたルテニウム化合物を担持した12CaO・7Al 2 O 3 を還元処理する第三の工程と、を含む。前記還元処理を、前記還元処理後のルテニウムの平均粒子径が、前記還元処理前のルテニウムの平均粒子径に対し、15%以上増大するまで行なうことを特徴とする。

44. 发明专利

JP6062192B2 マイエナイト複合材および電子放出用陰極有权
标题翻译：钙铝石复合材料和电子发射阴极
公开(公告)号：JP6062192B2
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：JP2012199624
申请日：2012-09-11
申请人：国立大学法人東京工業大学 , 国立研究開発法人科学技術振興機構
发明人：林克郎 , 細野秀雄
IPC分类号： H01J1/14 , C22C1/05 , C22C32/00 , C22C14/00 , C01F7/16 , H01J1/304 , H01J1/30 , C22C29/12

45. 发明专利

JP2016157856A シリコン系薄膜半導体装置、およびシリコン系薄膜半導体装置の製造方法有权
标题翻译：硅基薄膜半导体器件和基于硅的薄膜半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2016157856A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：JP2015035534
申请日：2015-02-25
申请人：エルジーディスプレイカンパニーリミテッド , 国立大学法人東京工業大学 , 旭硝子株式会社
发明人：小穴保久 , 細野秀雄 , 戸田喜丈 , 渡邉俊成 , 宮川直通
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L29/786
摘要：【課題】リーク電流の低減および低消費電力化を実現する電極構造を備えたシリコン系薄膜半導体装置およびシリコン系薄膜半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】結晶シリコンのバンドギャップの3倍以上のバンドギャップを有し、電子または正孔の移動による電気伝導性を有する物質を、ソース電極およびドレーン電極のそれぞれと、シリコン系薄膜との間に設けており、この物質の具体例として、非晶質エレクトライドC12A7:e − を適用することができる。【選択図】図9
摘要翻译：要解决的问题：提供一种包括电极结构的硅基薄膜半导体器件，其实现漏电流的降低和低功耗; 并提供硅基薄膜半导体器件的制造方法。解决方案：在硅基薄膜半导体器件中，具有比晶体硅的带隙宽三倍的带隙的材料，并且通过转移在硅基薄膜和源极电极和漏极电极之间提供电子或空穴。作为材料的具体实例，可以应用非晶电化学C12A7：可选择：图9

46. 发明专利

JP2016150861A 遷移金属ニクタイド化合物及びその製造法审中-公开
标题翻译：过渡金属PNICTIDE化合物及其制造方法
公开(公告)号：JP2016150861A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：JP2015027978
申请日：2015-02-16
申请人：国立大学法人東京工業大学
发明人：細野秀雄 , 松石聡 , 雲見日出也
IPC分类号： H01F1/14 , H01B12/00 , C01B21/00
CPC分类号： Y02E40/64
摘要：【課題】転移温度が室温以上の反強磁性と金属伝導性を併せ持ち、構成元素の部分置換により転移温度の制御等が可能な遍歴電子反強磁性化合物及びその製造方法の提供。【解決手段】化学式RETM 2 PnN(REはY,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luから選ばれる希土類元素の少なくとも1種類、TMはCr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ru,Rh,Pd,Ag,Os,Ir,Ptから選ばれる遷移金属元素の少なくとも1種類,PnはP,As,Sb,Biから選ばれるニクトゲン元素の少なくとも1種類、Nは窒素)で表される遷移金属ニクタイド化合物であり、RE:TM:Pn:N=1:2:1:1の原子比の割合で原料混合し、1〜10GPaの高圧下、800〜1500℃に加熱焼結して得られる斜方晶系の空間群Cmcmに属する結晶からなる遍歴電子反強磁性化合物。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有室温以上的转变温度，反铁磁性和金属导电性并能够通过部分取代构成元素来控制转变温度的流动电子反铁磁性化合物及其制造方法。解决方案：存在提供了由化学式RETMPnN表示的过渡金属催化剂化合物的流动电子反铁磁性化合物，其中RE是选自Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb中的至少一种稀土元素，Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Lu中的至少一种，Tm是选自Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Ru，Rh，Pd，Ag，Os，Ir中的至少一种过渡金属元素 Pt，Pn是选自P，As，Sb和Bi中的至少一种pnictide元素，N是氮，并且由属于由原料与原子比原子共价获得的菱形系统Cmcm的区域组成的晶体组成比值：RE：TM：Pn：N = 1 ：2:1:1，并在1〜10GPa的高压下在800〜1500℃下进行加热烧结。图1

47. 发明专利

JP6951734B2 窒化銅半導体およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6951734B2
公开(公告)日：2021-10-20
申请号：JP2017041774
申请日：2017-03-06
申请人：国立大学法人東京工業大学
发明人：松崎功佑 , 細野秀雄 , 大場史康 , 熊谷悠 , 原田航 , 雲見日出也
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/072 , H01L31/18 , C23C14/58 , C23C14/06 , C23C16/34 , C23C16/56 , C01B21/06 , H01L21/363

48. 发明专利

JP6802544B2 金属担持物、担持金属触媒及び該触媒を用いるアンモニア合成法有权
公开(公告)号：JP6802544B2
公开(公告)日：2020-12-16
申请号：JP2017550340
申请日：2016-11-09
申请人：国立研究開発法人科学技術振興機構 , 国立大学法人東京工業大学
发明人：細野秀雄 , 原亨和 , 北野政明 , 溝口拓 , 横山壽治 , 山縣亨介
IPC分类号： C01C1/04 , B01J31/12

49. 发明专利

JP2020138902A 成形焼結体および成形焼結体の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020138902A
公开(公告)日：2020-09-03
申请号：JP2020030140
申请日：2020-02-26
申请人：つばめBHB株式会社 , 国立大学法人東京工業大学
发明人：井上泰徳 , 伊藤宗宣 , 岸田和久 , 細野秀雄 , 北野政明 , 横山壽治
IPC分类号： C01F7/16 , B01J23/58 , B01J37/10 , C04B35/44 , C04B41/85 , C04B38/00
摘要：【課題】マイエナイト型化合物およびマイエナイト型化合物に担持した遷移金属を含む、触媒活性が高く、かつ圧壊強度が高い成形焼結体、およびその成形焼結体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の成形焼結体の製造方法はマイエナイト型化合物の前駆体および無機バインダー焼結物の原料を混合して混合物を作製する工程、混合物を成形して混合物の成形体を作製する工程、成形体を焼成して焼成物を作製する工程、および焼成物に遷移金属を担持して成形焼結体を作製する工程を含み、混合物を作製する工程は、無機バインダー焼結物の含有量が、成形焼結体100質量部に対して3〜30質量部になるように、無機バインダー焼結物の原料を配合する。【選択図】図1

50. 发明专利

JP6712798B2 窒化銅半導体およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6712798B2
公开(公告)日：2020-06-24
申请号：JP2016015961
申请日：2016-01-29
申请人：国立大学法人東京工業大学
发明人：松崎功佑 , 須崎友文 , 細野秀雄 , 前田祥宏 , 岡崎哲士 , 李奕樞
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0256 , C01B21/06 , C23C14/06 , C23C14/58 , H01L21/20 , H01L21/365

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