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31. 发明专利

JPWO2015119238A1 透明導電性積層体、透明導電性積層体の製造方法、及び透明導電性積層体を用いてなる電子デバイス审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015119238A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：JP2015561050
申请日：2015-02-06
申请人：リンテック株式会社
发明人：務原 , 務原 , 智史永縄 , 智史永縄 , 公市永元 , 公市永元
IPC分类号： H01B5/14 , B32B7/02 , B32B9/00 , C01G15/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01B13/00
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/086 , H01L51/5203
摘要：優れた湿熱特性を有する透明導電性積層体、透明導電性積層体の製造方法及びそのような透明導電性積層体を用いてなる電子デバイスを提供する。基材の少なくとも片面に、スパッタリング法によって形成してなる酸化亜鉛膜を備えた透明導電性積層体等であって、酸化亜鉛膜が、酸化亜鉛を含むとともに、ガリウム及びインジウムをドープしてなる酸化亜鉛膜であり、当該酸化亜鉛膜が、膜厚方向のXPS分析によって測定される亜鉛量、ガリウム量、酸素量、及びインジウム量に関して、不均一な濃度分布を有する複数領域、すなわち、[In]/[Ga]の値が異なる第1領域及び第2領域を含むことを特徴とする。

33. 发明专利

JPWO2015115237A1 透明電極付き基板およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015115237A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015559875
申请日：2015-01-19
申请人：株式会社カネカ
发明人：崇口山 , 崇口山 , 弘毅早川 , 弘毅早川 , 拓明上田 , 拓明上田 , 裕二元原 , 裕二元原 , 山本　憲治 , 憲治山本
IPC分类号： H01B5/14 , B32B7/02 , B32B9/00 , G06F3/041 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L33/42 , C23C14/024 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01L31/0224 , H01L31/022425 , H01L31/022483
摘要：本発明は、熱処理時の結晶化促進および常温環境下での結晶化抑制を同時に達成可能な透明電極付き基板を提供する。透明電極付き基板は、フィルム基板(100)上に、透明導電性酸化物からなる透明電極薄膜(300)が形成されている。上記フィルム基板(100)と上記透明電極薄膜(300)との間には、金属酸化物を主成分として含有する下地層(200)が形成されている。上記下地層(200)と上記透明電極薄膜(300)とは接している。上記透明電極薄膜(300)は非晶質であり、上記下地層(200)は誘電体かつ結晶質である。

35. 发明专利

JPWO2015033808A1 酸化物層の成膜方法、並びにエピタキシャル成長用積層基材及びその製造方法审中-公开
标题翻译：用于外延生长形成氧化物层，和层叠基板和其制造方法法
公开(公告)号：JPWO2015033808A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015535428
申请日：2014-08-25
申请人：東洋鋼鈑株式会社
发明人：裕介橋本 , 哲平黒川 , 貴史神代 , 浩直岡山 , 竜起永石 , 康太郎大木 , 元気本田
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/083 , C23C14/541 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/3455 , C30B23/02 , C30B29/16 , C30B29/22 , H01L39/2461
摘要：金属基板の最表層に比べて結晶配向がより改善した酸化物層を形成し得る、金属基板上への酸化物層の成膜方法を提供することを目的とする。RFマグネトロンスパッタ法により金属基板20上へ酸化物層を成膜する方法であって、最表層のc軸配向率が99%以上である結晶配向した金属基板20上に、前記金属基板20上の成膜位置20aにおける垂線と、前記成膜位置20aから最短距離にあるターゲット10上の垂直方向の磁束密度0地点10aへ至る線とが成す角度αを15°以内にしてRFマグネトロンスパッタリングを行う工程を含むことを特徴とする。
摘要翻译：晶体取向比金属基体的最外层可以形成更加改善的氧化物层，其目的是提供一种用于在金属基材上沉积氧化物膜层的方法。形成氧化物层，以在RF磁控溅射法在金属基板20，c轴取向比的金属基板20的最上层上的方法是晶体取向为99％以上，在金属基板20上执行在沉积位置20a的垂直线的步骤，RF磁控与由在磁通密度0点10a的垂直方向上的目标10中的最短距离从成膜位置20a延伸的线所形成的15°的角度α溅射其特征在于它包括：a。

36. 发明专利

JPWO2014192209A1 スパッタリング装置有权
标题翻译：溅射装置
公开(公告)号：JPWO2014192209A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015519617
申请日：2014-03-31
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：聡山田 , 隆嗣東坂
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： H01J37/347 , C23C14/35 , C23C14/568 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3435 , H01J37/3455 , H01J37/3476 , H01J2237/20235 , H01J2237/24564 , H01J2237/24578 , H01J2237/3323
摘要：スパッタリング装置は、真空容器と、前記真空容器内の所定位置に基板を配置できる基板ホルダーと、前記基板ホルダーによって配置された前記基板に対向するようにターゲットを配置できるターゲット支持体と、前記ターゲット支持体の前記基板とは逆側に配置されたカソード磁石と、前記カソード磁石と前記ターゲット支持体との距離を調整する磁石移動部と、前記ターゲット支持体と前記基板との距離を調整するターゲット移動部と、前記ターゲット移動部及び前記磁石移動部を制御する制御部と、を備える。
摘要翻译：溅射装置，一个真空容器，衬底保持器能够在在真空室中的预定位置放置的衬底，所述目标支持，可以被放置在目标以便面对定位在由衬底保持器的衬底，所述目标支持阴极磁体布置相反侧的基板主体，和一个磁铁移动单元，用于调节所述阴极磁体和目标支撑件之间的距离，目标移动来调整基板和靶衬底之间的距离包括部分，以及用于控制目标移动部分和所述磁铁移动单元的控制单元。

37. 发明专利

JPWO2014112369A1 スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びこれらの製造方法审中-公开
标题翻译：溅射靶，在氧化物半导体薄膜和用于制备它们的方法
公开(公告)号：JPWO2014112369A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2014557405
申请日：2014-01-15
申请人：出光興産株式会社
发明人：一晃江端 , 一晃江端 , 望但馬 , 望但馬
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/00 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/76 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/35 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要：インジウム元素(In)、スズ元素(Sn)、亜鉛元素(Zn)及びアルミニウム元素(Al)を含有する酸化物からなり、InAlO3(ZnO)m(mは0.1〜10)で表わされるホモロガス構造化合物、In2O3で表わされるビックスバイト構造化合物、及びZn2SnO4で表わされるスピネル構造化合物を含むスパッタリングターゲット。
摘要翻译：铟元素（In），锡元素（Sn）的，含锌元素（Zn）和铝元素（Al），通过InAlO3（ZnO）的m（m为0.1至10）表示的同源结构化合物的氧化物，通过输入2 O 3表示方铁锰矿结构化合物，以及含有由Zn2SnO4表示的尖晶石结构化合物的溅射靶。

39. 发明专利

JP2016191157A 透明導電フィルムおよびその製造方法有权
标题翻译：透明导电薄膜及其制造方法
公开(公告)号：JP2016191157A
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：JP2016142728
申请日：2016-07-20
申请人：日東電工株式会社
发明人：佐々和明 , 山本祐輔 , 待永広宣
IPC分类号： H01B13/00 , B32B7/02 , B32B9/00 , C23C14/08 , C23C14/58 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要：【課題】有機高分子フィルム基材上に、低い比抵抗値及び表面抵抗値を有し、かつ内部応力が小さく結晶質膜からなる透明導電膜を有する透明導電性フィルムを提供すること。【解決手段】本発明の透明導電性フィルムの製造方法は、有機高分子フィルム基材の少なくとも一方の面に、{4価金属元素の酸化物/(4価金属元素の酸化物+酸化インジウム)}×100(%)で表される4価金属元素の酸化物の割合が7〜15重量%であるインジウム系複合酸化物のターゲットを用いて、当該ターゲット表面での水平磁場が85〜200mTの高磁場で、不活性ガスの存在下に、RF重畳DCスパッタ成膜法により、透明導電膜を形成する工程(A)を有することを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在有机聚合物膜基底上具有低电阻值和表面电阻值的透明导电膜，其具有小的内应力并由结晶膜组成的透明导电膜。解决方案：制造透明导电膜的方法包括在至少在惰性气体存在下在靶的表面上形成具有85至200mT的水平磁场的高磁场的透明导电膜的步骤（A）通过RF叠加DC溅射沉积法的有机聚合物膜基材的一个表面，使用由{四价金属元素氧化物/（（四氢呋喃））表示的四价金属元素氧化物的比例为7〜15重量％的铟系复合氧化物靶，四价金属元素氧化物+氧化铟）}×100（％）。选择图：图1

40. 发明专利

JP2016191156A 透明導電フィルムおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：透明导电薄膜及其制造方法
公开(公告)号：JP2016191156A
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：JP2016142727
申请日：2016-07-20
申请人：日東電工株式会社
发明人：佐々和明 , 山本祐輔 , 待永広宣
IPC分类号： H01B5/14 , H01B13/00 , B32B7/02 , C23C14/58 , C23C14/44 , C23C14/34 , C23C14/08
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要：【課題】有機高分子フィルム基材上に、低い比抵抗値及び表面抵抗値を有し、かつ内部応力が小さく結晶質膜からなる透明導電膜を有する透明導電性フィルムを提供すること。【解決手段】本発明の透明導電性フィルムは、有機高分子フィルム基材上の少なくとも一方の面に透明導電膜を有し、前記透明導電膜は、{4価金属元素の酸化物/(4価金属元素の酸化物+酸化インジウム)}×100(%)で表される4価金属元素の酸化物の割合が7〜15重量%であるインジウム系複合酸化物の結晶質膜であり、比抵抗値が1.2×10 −4 〜2.0×10 −4 Ω・cmであり、X線回折ピークの主ピークを(222)面と(440)面に有し、(222)面のピークの強度(I 222 )と(440)面のピークの強度(I 440 )のピーク強度比(I 440 /I 222 )が0.3未満であり、かつ、X線応力測定法による内部応力が、700MPa以下である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在有机聚合物膜基底上具有低电阻值和表面电阻值的透明导电膜，其具有小的内应力并由结晶膜组成的透明导电膜。解决方案：透明导电膜在有机聚合物膜基材的至少一个表面上具有透明导电膜。透明导电膜是由{四价金属元素氧化物/（四价金属元素氧化物+氧化铟）}×100表示的四价金属元素氧化物的比例为7〜15重量％的铟系复合氧化物的结晶性材料膜（％），电阻值为1.2×10〜2.0×10Ωcm; （222）面和（440）面的X射线衍射峰的主峰; （222）面的峰强度（I）与（440）面的峰强度（I）的峰强度比（I / I）小于0.3; 并且通过X射线应力测量方法测量的内部应力为700MPa或更小。选择图1：

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