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31. 发明专利

JP5701754B2 III族金属窒化物単結晶の育成方法およびこれに用いる反応容器有权
标题翻译：不断增长的使用的方法和反应容器在该III族金属氮化物单晶
公开(公告)号：JP5701754B2
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：JP2011518601
申请日：2010-06-10
申请人：日本碍子株式会社 , 森勇介 , 北岡康夫 , 三好直哉
发明人：岩井真 , 東原周平 , 森勇介 , 北岡康夫 , 三好直哉
IPC分类号： C30B9/00 , C30B29/38
CPC分类号： C30B29/403 , C30B35/002 , C30B9/10

32. 发明专利

JP6816008B2 下地基板、下地基板の製法及び13族窒化物結晶の製法有权
公开(公告)号：JP6816008B2
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：JP2017546474
申请日：2016-09-30
申请人：日本碍子株式会社
发明人：平尾崇行 , 岩井真 , 今井克宏 , 吉野隆史
IPC分类号： C30B19/12 , H01L21/20 , C30B29/38

33. 发明专利

JP6718932B2 13族元素窒化物層の分離方法有权
公开(公告)号：JP6718932B2
公开(公告)日：2020-07-08
申请号：JP2018168702
申请日：2018-09-10
申请人：日本碍子株式会社
发明人：岩井真 , 吉野隆史
IPC分类号： C30B19/04 , C30B25/20 , C30B33/02 , C30B29/38

34. 发明专利

JP6487989B2 13族窒化物複合基板、半導体素子、および13族窒化物複合基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6487989B2
公开(公告)日：2019-03-20
申请号：JP2017220051
申请日：2017-11-15
申请人：日本碍子株式会社
发明人：倉岡義孝 , 市村幹也 , 岩井真
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , C30B29/38 , C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/208 , H01L21/205 , H01L21/338

35. 发明专利

JP6344987B2 13族元素窒化物結晶層および機能素子有权
公开(公告)号：JP6344987B2
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：JP2014120572
申请日：2014-06-11
申请人：日本碍子株式会社
发明人：岩井真 , 吉野隆史
IPC分类号： H01L21/20 , C30B29/38 , H01L33/32

36. 发明专利

JP2018064103A 13族窒化物複合基板、半導体素子、および13族窒化物複合基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018064103A
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：JP2017220051
申请日：2017-11-15
申请人：日本碍子株式会社
发明人：倉岡義孝 , 市村幹也 , 岩井真
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , C30B29/38 , C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/208 , H01L21/205 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L29/1029 , H01L29/1033 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L29/7786
摘要：【課題】導電性のGaN基板を用いつつも高周波用途に適した半導体素子を実現可能な13族窒化物複合基板を提供する。【解決手段】13族窒化物複合基板が、GaNからなり、n型の導電性を呈する基材と、基材の上に形成された、Al p Ga 1−p N(0.1≦p≦0.98)からなり1×10 6 Ωcm以上の比抵抗を有するAlGaN層下地層の上に形成された、不純物濃度の総和が1×10 17 /cm 3 以下のGaN層であるチャネル層と、チャネル層の上に形成された、Al x In y Ga 1−x−y N(0≦x≦1、0≦y≦1)なる組成の13族窒化物からなる障壁層と、を備えるようにする。【選択図】図1

37. 发明专利

JP6265995B2 13族元素窒化物結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6265995B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2015527693
申请日：2015-03-09
申请人：日本碍子株式会社
发明人：今井克宏 , 岩井真 , 坂井正宏 , 下平孝直 , 東原周平 , 平尾崇行
IPC分类号： C30B19/04 , C30B29/38
CPC分类号： C30B9/12 , C30B9/00 , C30B9/06 , C30B29/38 , C30B29/406

38. 发明专利

JP6030762B2 窒化ガリウム基板および機能素子有权
标题翻译：氮化镓基板与所述功能元件
公开(公告)号：JP6030762B2
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2015523317
申请日：2014-12-04
申请人：日本碍子株式会社
发明人：岩井真 , 坂井正宏 , 今井克宏 , 倉岡義孝
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/00 , H01L21/66 , C30B19/02 , C30B29/38
CPC分类号： H01L33/32 , C30B19/02 , C30B29/406 , C30B9/10 , H01L33/20 , C30B25/02 , H01L33/02

39. 发明专利

JP6004550B2 種結晶基板、複合基板および機能素子有权
标题翻译：晶种基板，复合基板，所述功能元件
公开(公告)号：JP6004550B2
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：JP2014553238
申请日：2013-12-19
申请人：日本碍子株式会社
发明人：東原周平 , 岩井真
IPC分类号： C30B19/12 , H01L21/205 , C30B29/38
CPC分类号： H01L33/32 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/406 , C30B9/10 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/12

40. 发明专利

JP2016060675A 13族元素窒化物層の分離方法审中-公开
标题翻译：分离第13组元素层的方法
公开(公告)号：JP2016060675A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014190756
申请日：2014-09-19
申请人：日本碍子株式会社
发明人：岩井真 , 吉野隆史
IPC分类号： C30B33/00 , C23C16/01 , C23C16/34 , C23C16/56 , C30B29/38
摘要：【課題】支持基板に対してレーザ光を照射して13族元素窒化物層を分離するのに際して、複合基板を基台に対して接合したり、基台から分離する工程を不要とし、分離の際の窒化物層のクラックを抑制する。【解決手段】支持基板2Aと、支持基板2A上に設けられた窒化物層3Aとを備え、反りを有する複合基板1Aを、基台5とレーザ光透過性板7との間に挟む。レーザ光透過性板7側に支持基板2Aを配置する。基台5とレーザ光透過性板7との間に応力を加えて複合基板1Aを基台とレーザ光透過性板との間に拘束した状態でレーザ光透過性板7に対してレーザ光を照射し、支持基板2Aと窒化物層3Aとの界面の結晶格子結合を分解する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：为了在分离过程中抑制氮化物层的裂纹，而不用将激光束照射支撑衬底同时将复合衬底接合到基底并与基底分离的步骤，以分离第13族元素氮化物层。解决方案：分离第13族元素氮化物层的方法包括：夹持包括支撑基板2A和设置在支撑基板2A上的氮化物层3A的复合基板1A，并且在基体5和激光束可透过板7之间具有经线; 将支撑基板2A布置在激光束可透过板7的侧面上; 并且通过在基体5和激光束透过性板7之间施加应力而分解支撑基板2A和氮化物层3A之间的界面的晶格结合，并将激光束透射板7用激光束照射在在基底和激光束可透过板之间结合复合基片1A的状态。图2

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