专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

31. 发明专利

JP2016100455A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016100455A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：JP2014236248
申请日：2014-11-21
申请人：三菱電機株式会社
发明人：田口健介 , 海老原洪平
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要：【課題】半導体装置のターンオフ時に、活性領域と終端領域の接続部で引き起こされる熱破壊を抑制させた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】炭化珪素基板30を用いた半導体装置であって、炭化珪素基板30の一部であり、炭化珪素基板30内に形成されたpn接合を含み、半導体装置に電圧を印加したときに電流が流れる活性領域15と、炭化珪素基板30の一部であり、活性領域15の周囲に沿って形成された終端領域16とを備え、活性領域15内の少数キャリアのライフタイムが、終端領域16内の少数キャリアのライフタイムよりも長いことを特徴とする。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在半导体器件关断时抑制在有源区和终端区的连接部处发生热破坏的半导体器件。解决方案：使用碳化硅衬底30的半导体器件包括：有源区15，其是碳化硅衬底30的一部分并且包括形成在碳化硅衬底30中的pn结，并且当电压施加到半导体器件时电流流动; 以及终止区域16，其是碳化硅衬底30的沿着有源区域15的周边形成的一部分，其中有源区域15中的少数载流子寿命长于终止区域中的少数载流子寿命图2

32. 发明专利

JP2015076437A 半導体装置およびその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015076437A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：JP2013210167
申请日：2013-10-07
申请人：三菱電機株式会社
发明人：田口健介 , 高橋徹雄 , 藤井亮一 , 鈴木裕一郎 , 楢崎敦司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/417 , H01L29/41 , H01L29/06
摘要：【課題】装置サイズを大きくすることなく、耐圧性能を向上させた半導体装置及びその製造方法を得る。【解決手段】終端領域32に形成される環状のP型不純物領域2は、平面視してIGBT31の外周部を囲んで形成され、直線部R10とコーナー部R11とを有する。直線部R10は直線部不純物領域2sを含んでおり、コーナー部R11はコーナー部不純物領域2cを含んでおり、濃度緩和領域14は直線部不純物領域2s及びコーナー部不純物領域2c間に形成される。そして、P型の不純物濃度の高さは、高い方から直線部不純物領域2s、濃度緩和領域14、コーナー部不純物領域2c順に高低差をつけて設定される。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：为了获得具有改善的耐压性能而不增加装置尺寸的半导体器件; 并获得半导体器件的制造方法。解决方案：半导体器件包括环形P型杂质区2，其形成在终端区32中，以便在平面图中围绕IGBT 31的外周部分，并且具有直线部分R10和拐角部分R11。直线部分R10包括线性部分杂质区域2s，角部分R11包括角部杂质区域2c。半导体器件包括形成在线性部分杂质区域2s和角部杂质区域2c之间的浓度降低区域14。按照通过提供浓度差来降低杂质浓度的顺序，对于线性部分杂质区域2s，浓度降低区域14和角部杂质区域2c，依次设置P型杂质浓度。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式