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    • 34. 发明专利
    • 光電変換装置
    • 光电转换器件
    • JP2016066825A
    • 2016-04-28
    • JP2016018635
    • 2016-02-03
    • セイコーエプソン株式会社
    • 田中 英樹古沢 昌宏
    • H01L31/076H01L31/075
    • Y02E10/542
    • 【課題】特性の良好な光電変換装置を提供する。 【解決手段】ナノ結晶粒(d)と、半導体層と、を有し、前記ナノ結晶粒は第1の半導体からなり、前記半導体層は、第2の半導体のアモルファス層に前記ナノ結晶粒を含有した第1の半導体層(7)を含む光電変換装置とする。前記第1の半導体と、前記第2の半導体とが同じ半導体である。かかる構成によれば、ナノ結晶粒と当該ナノ結晶粒を構成する前記半導体のアモルファス層とのバンドギャップ差に起因する量子井戸が形成され、光電変換効率の高い光電変換装置となる。特に、結晶性の異なる同一材料を用いることで、バンドギャップ差が比較的小さくなり、量子井戸の深さを浅くできる。その結果、キャリアが取り出しやすくなり、装置特性が向上する。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供特性优异的光电转换装置。解决方案:一种光电转换装置,包括:纳米晶粒(d); 和半导体层。 纳米晶体颗粒由第一半导体组成。 半导体层包括在第二半导体的非晶层中含有纳米晶体粒子的第一半导体层(7)。 第一半导体和第二半导体是相同的半导体。 在如上所述的结构中,形成由于构成纳米晶粒的半导体纳米晶粒与非晶层之间的带隙差而产生的量子阱,光电转换装置具有高的光电转换效率。 特别地,通过使用具有不同结晶度的相同材料,带隙差变得相对较小并且量子阱的深度可以变浅。 结果,载体容易取出,装置特性得到改善。选择图:图1