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21. 发明专利

JP2017005243A 垂直磁化膜と垂直磁化膜構造並びに磁気抵抗素子および垂直磁気記録媒体审中-公开
标题翻译：垂直磁化膜和垂直磁记录膜结构和磁阻元件和垂直磁记录介质
公开(公告)号：JP2017005243A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2016084773
申请日：2016-04-20
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構 , サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド
发明人：介川裕章 , リ・ワチョル , 宝野和博 , 三谷誠司 , 大久保忠勝 , 劉軍 , 葛西伸哉 , キム・グワンソク
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01F10/32 , G11B5/39 , G11B5/64 , H01F10/18
CPC分类号： G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要：【課題】飽和磁化が小さく平坦な垂直磁化膜構造を提供すること、およびこの垂直磁化膜構造を用いた垂直トンネル磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】MnGa合金に窒素Nを制御して導入して形成した窒素不足組成の(Mn 1−x Ga x ) 4 N 1−y (0
【選択図】図10
摘要翻译：条件是饱和磁化强度，以提供一个小的平垂直磁化膜的结构，以及使用该正交磁性膜结构的垂直隧道磁阻器件。甲MnGa合金氮（N）的控制，以形成引入（管Mn1-xGax）4N1-y中的氮不足的组合物（0

22. 发明专利

JP6017149B2 スピン注入磁化反転素子および磁気抵抗ランダムアクセスメモリ有权
标题翻译：自旋转移扭矩开关元件和磁阻随机存取存储器
公开(公告)号：JP6017149B2
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：JP2012040639
申请日：2012-02-27
申请人：日本放送協会
发明人：青島賢一 , 町田賢司 , 久我淳 , 菊池宏 , 清水直樹
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01F10/32 , G11C11/15 , H01L21/8246
CPC分类号： G11C11/16

23. 发明专利

JP5982795B2 記憶素子、記憶装置有权
公开(公告)号：JP5982795B2
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：JP2011261522
申请日：2011-11-30
申请人：ソニー株式会社
发明人：肥後豊 , 細見政功 , 大森広之 , 別所和宏 , 浅山徹哉 , 山根一陽 , 内田裕行
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , G11B5/39 , G01R33/02 , H01F10/32 , H01L21/8246
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L29/82 , H01L43/08

24. 发明专利

JP2016063150A 磁気抵抗素子及び磁気メモリ有权
标题翻译：磁阻电阻和磁记忆
公开(公告)号：JP2016063150A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014191669
申请日：2014-09-19
申请人：株式会社東芝
发明人：長谷直基 , 大坊忠臣 , 加藤侑志 , 大嶺俊平 , 伊藤順一
IPC分类号： H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L29/82 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L21/8246
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要：【課題】磁性層の飽和磁化量や保磁力を制御し、その温度依存性も制御する磁気抵抗効果素子および磁気メモリを提供する。【解決手段】垂直磁気異方性を有する第1磁性層2と、垂直磁気異方性を有する第2磁性層6と、第1磁性層と第2磁性層との間の第1非磁性層4と、を備える。Y、La、Ce、Pr、Nd、Smからなる群から選択された少なくとも1つの元素をlRとし、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luからなる群から選択された少なくとも1つの元素をhRとし、Mn、Fe、Co、Niからなる群から選択された少なくとも1つの元素をTMとし、B、C、Mg、Al、Sc、Ti、Cu、Znからなる群から選択された少なくとも1つの元素をZとしたとき、第2磁性層は、(lR 1−x hR x ) z (TM 1−y Z y ) 1−z (0
【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种磁阻效应器件和磁存储器，其被布置为使得磁性层的饱和磁化量及其矫顽力以及其温度依赖性被控制。解决方案：一种磁阻器件包括：具有垂直磁各向异性的第一磁性层2; 具有垂直磁各向异性的第二磁性层6; 以及在第一和第二磁性层之间的第一非磁性层4。第二磁性层包括由（1RR）（TMZ）（其中0

25. 发明专利

JP5899005B2 磁気検出素子及びそれを用いた磁気センサ有权
公开(公告)号：JP5899005B2
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：JP2012046181
申请日：2012-03-02
申请人：アルプス電気株式会社
发明人：小池文人 , 朝妻浩太
IPC分类号： H01L43/10 , G01R33/09 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L43/08

26. 发明专利

JP2016039313A 磁気抵抗素子有权
标题翻译：电磁元件
公开(公告)号：JP2016039313A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2014162820
申请日：2014-08-08
申请人：株式会社デンソー , 国立大学法人東北大学
发明人：矢野敏史 , 青建一 , 安藤康夫 , 大兼幹彦 , 中野貴文
IPC分类号： H01L43/10 , H01F10/16 , H01F10/32 , G01R33/09 , H01L43/08
摘要：【課題】耐熱性を向上させつつ、感度の低下も抑制できる磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】ピン層20、中間層30、フリー層40が順に積層され、フリー層40に磁化方向が膜面の面内方向に対する法線方向に磁化方向を有する磁気抵抗素子において、フリー層40に、単位面積当たりの磁気モーメントの大きさを磁化量としたとき、フリー層40を構成する母材に、磁化量の低下率が異方性磁界の低下率より大きくなる非磁性材料41を添加する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在提高耐热性的同时抑制感觉降低的磁阻元件。解决方案：公开了一种磁阻元件，其中在该层中层叠有销层20，中间层30和自由层40 并且在自由层40中具有相对于膜表面的面内方向的法线方向的磁化方向。在自由层40中，当每单位面积的磁矩的大小是磁化量时，磁化量的下降率变得比各向异性磁场的下降速率大的非磁性材料41被添加到构成自由层的基材40。选择图：图1

27. 发明专利

JP2016015490A 磁気接合及びそれを含む磁気装置並びに磁気接合提供方法审中-公开
标题翻译：磁连接，包括它们的磁性装置和磁性连接提供方法
公开(公告)号：JP2016015490A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：JP2015133791
申请日：2015-07-02
申请人：三星電子株式会社 , Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：李將銀 , 唐学体
IPC分类号： H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L29/82 , H01F10/32 , H01F10/30 , H01L21/8246
CPC分类号： H01L43/02 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L27/228
摘要：【課題】スピントランスファートルクを利用してプログラム可能な磁気メモリに使用され、非対称自由層を含む磁気接合を提供する。【解決手段】磁気装置用の磁気接合100であって、固定層110と、非磁性スペーサ層120と、非対称自由層130と、PMA誘導層140とを有する。非磁性スペーサ層120は、固定層110と非対称自由層130との間に存在する。非対称自由層130は、第1ボロン含有量を有する第1強磁性層136と、第2ボロン含有量を有する第2強磁性層132とを含み、第2ボロン含有量は、第1ボロン含有量より小さく、第1及び第2ボロン含有量は0原子百分率より大きい。非対称自由層130は、PMA誘導層140と非磁性スペーサ層120との間に存在する。磁気接合は、書き込み電流が磁気接合を通るとき、非対称自由層130が複数の安定な磁気状態の間で切替え可能である。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：通过使用自旋转移扭矩来提供用于可编程磁存储器的包括不对称自由层的磁结。解决方案：用于磁性装置的磁结100包括：固定层110; 非磁性间隔层120; 非对称自由层130; 非磁性间隔层120位于固定层110和不对称自由层130之间。不对称自由层130包括：具有第一硼含量的第一铁磁层136; 以及具有第二硼含量的第二铁磁层132。第二硼含量小于第一硼含量。第一和第二硼含量大于0原子百分比。不对称自由层130位于PMA感应层140和非磁性间隔层120之间。磁结使得当写入电流通过磁结时，非对称自由层130可在多个稳定磁状态之间切换。

28. 发明专利

JP5795763B2 信頼性のある書き込み能力および消去を有する磁気記録媒体有权
标题翻译：具有写能力和擦除可靠的磁记录介质
公开(公告)号：JP5795763B2
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：JP2012525688
申请日：2010-08-19
申请人：シーゲイトテクノロジーエルエルシー
发明人：ノーラン,トーマス・ピィ , バルク,ボグダン・エフ , タン,リ
IPC分类号： G11B5/738 , H01F10/32 , H01F10/30 , G11B5/667
CPC分类号： G11B5/82 , G11B5/667

29. 发明专利

JP2015176930A 磁気抵抗素子および磁気メモリ有权
标题翻译：磁性元件和磁记忆
公开(公告)号：JP2015176930A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014050839
申请日：2014-03-13
申请人：株式会社東芝
发明人：大坊忠臣 , 加藤侑志 , 大嶺俊平 , 長谷直基 , 伊藤順一
IPC分类号： H01L43/10 , H01L29/82 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01F10/32 , H01F10/16 , G11B9/00 , G11B5/39 , G01R33/09 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/10 , G11C11/16 , H01L27/228
摘要：【課題】垂直磁気異方性を有するとともにより大きな磁気抵抗効果を発現することが可能な磁気抵抗素子およびこれを用いた磁気メモリを提供する。【解決手段】本実施形態の磁気抵抗素子は、Mnと、Ga、Ge、およびAlの群から選択された少なくとも一つの元素と、を含む第1磁性層と、第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、前記第1磁性層と前記第1非磁性層との間に設けられた第3磁性層と、前記第1磁性層と前記第3磁性層との間に設けられ、Mg、Ba、Ca、C、Sr、Sc、Y、Nb、Gd、Tb、Dy、Ce、Ho、Yb、Er、およびBの群から選択された少なくとも一つの元素を含む第2非磁性層と、を備えた積層構造を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有垂直磁各向异性并且能够表现出大的磁阻效应的磁阻元件，并提供使用该磁阻效应的磁存储器。解决方案：磁阻元件具有层压结构，其包括含有Mn的第一磁性层以及选自Ga，Ge和Al的组中的至少一种元素，第二磁性层，设置在第一磁性层和第二磁性层之间的第一非磁性层，设置在第一磁性层和第一磁性层之间的第三磁性层非磁性层和设置在第一磁性层和第三磁性层之间并且包含选自Mg，Ba，Ca，C，Sr，Sc，Y，Nb，Gd中的至少一种元素的第二非磁性层，Tb，Dy，Ce，Ho，Yb，Er和B.

30. 发明专利

JP5750211B2 TMR素子およびその形成方法有权
公开(公告)号：JP5750211B2
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：JP2008288177
申请日：2008-11-10
申请人：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド
发明人：王 ▲恵▼娟 , ▲赴▼ ▲丹▼ , 李民 , 張坤亮
IPC分类号： H01L43/10 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L43/12 , H01L43/08
CPC分类号： H01L43/10 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/18 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11B5/3912 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F10/3295 , H01L43/08 , H01L43/12 , G11B2005/3996 , H01F10/3272

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