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21. 发明专利

JP2017001916A ナノダイヤモンド粉体製造方法およびナノダイヤモンド粉体审中-公开
标题翻译：纳米金刚石粉末制剂和纳米金刚石粉末
公开(公告)号：JP2017001916A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2015118640
申请日：2015-06-11
申请人：株式会社ダイセル
发明人：木本訓弘
IPC分类号： B01J3/08 , C09C1/44 , C09C3/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/26
摘要：【課題】高い再分散性を有するナノダイヤモンド粉体を得るのに適したナノダイヤモンド粉体製造方法、および、高い再分散性を実現するのに適したナノダイヤモンド粉体を、提供する。【解決手段】本発明のナノダイヤモンド粉体製造方法は、ナトリウム塩化工程S2および噴霧乾燥工程S5を含む。ナトリウム塩化工程S2では、ナノダイヤモンドにナトリウムイオンを付加させる。噴霧乾燥工程S5では、ナトリウム塩化工程S2を経たナノダイヤモンドを含むナノダイヤモンド分散液を噴霧乾燥に付してナノダイヤモンドの紛体を得る。本発明のナノダイヤモンド粉体は、ナトリウム塩化されたナノダイヤモンドを含むナノダイヤモンド分散液を噴霧乾燥に付して得られたものであり、例えば、ナトリウムイオン含有率が0.1〜1.5質量%である。【選択図】図1
摘要翻译：适合于获得具有高再分散性纳米金刚石粉末A纳米金刚石粉末的制造方法，及纳米金刚石粉末适合于实现高再分散性提供。本发明的纳米金刚石粉末的制备方法包括氯化钠步骤S2和喷雾干燥步骤S5。在氯化钠步骤S2中，加法钠离子与纳米金刚石。在喷雾干燥步骤S5中，取得通过该氯化钠步骤S2中进行喷雾干燥含有纳米金刚石纳米金刚石纳米金刚石分散液的粉末。本发明的纳米金刚石粉末是含有纳米金刚石的纳米金刚石的那些分散体获得的进行喷雾干燥，例如，钠离子含量为0.1〜1.5质量％的氯化钠。 1点域

22. 发明专利

JP2021119114A 高双晶化配向多結晶ダイヤモンド膜及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021119114A
公开(公告)日：2021-08-12
申请号：JP2021078802
申请日：2021-05-06
申请人：ツーシックス、インコーポレイテッド , II−VI INCORPORATED
发明人：ウェン−チン、シュ , チャオ、リウ , チャールズ、クライシンガー、ジュニア , チャールズ、ディー.タナー , イアン、カリアー , デイビッド、サベンズ , エルギン、イー.アイスラー , トーマス、イー.アンダーソン
IPC分类号： C30B25/02 , C23C16/511 , C23C16/27 , C01B32/26 , C30B29/04
摘要：【課題】多結晶ダイヤモンド膜を、高成長速度で、大口径基材上に、早期の剥離を防止する穏和な応力レベルで望ましい厚さまで良好に成長させる方法、及び多結晶ダイヤモンド膜を提供する。【解決手段】多結晶ダイヤモンド膜の化学蒸着(CVD)成長をCVD反応器中で行う方法において、気体水素及び気体炭化水素の気体混合物が、CVD反応器中に導入される。ガス混合物から形成されたプラズマは、CVD反応器中に配置された導電性基材の表面上に維持され、導電性基材の表面上に多結晶ダイヤモンド膜を成長させる。多結晶ダイヤモンド膜の中央部分における温度Tは、多結晶ダイヤモンド膜の成長の過程で制御される。CVD成長多結晶ダイヤモンド膜は、多結晶ダイヤモンド膜を形成するダイヤモンド結晶子の総数の>70%の割合が[110]ダイヤモンド格子方向に沿って配向し得るダイヤモンド結晶子を含む。【選択図】図1

23. 发明专利

JP2021084837A 異原子ドープダイヤモンド审中-公开
公开(公告)号：JP2021084837A
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：JP2019215405
申请日：2019-11-28
申请人：国立大学法人熊本大学 , 株式会社日本触媒
发明人：速水真也 , 福田将大 , 郷田隼 , 小野博信 , 鴻巣修
IPC分类号： H01B12/00 , C01B32/26
摘要：【課題】異原子のドープ量が多く、高温で超伝導特性を示す異原子ドープダイヤモンドを提供する。【解決手段】酸素原子及び/又は窒素原子が1原子%以上ドープされていることを特徴とする異原子ドープダイヤモンド。【選択図】図3

24. 发明专利

JPWO2020070776A1 ダイヤモンド多結晶体、ダイヤモンド多結晶体を備える工具及びダイヤモンド多結晶体の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2020070776A1
公开(公告)日：2021-02-15
申请号：JP2018036706
申请日：2018-10-01
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：角谷均 , 山本佳津子
IPC分类号： C01B32/28 , C01B32/26 , B01J3/06 , B23B27/14 , B23B27/20 , B23B51/00 , B23C5/16 , B23F21/00 , B23D77/00 , B23G5/06 , C04B35/528
摘要：ダイヤモンド粒子を含むダイヤモンド多結晶体であって、立方晶ダイヤモンドと6H型六方晶ダイヤモンドとを含み、上記立方晶ダイヤモンドと上記6H型六方晶ダイヤモンドとは、それぞれ同一又は異なる上記ダイヤモンド粒子中に存在し、赤外吸収スペクトルにおける1200cm −1 以上1300cm −1 以下の範囲にある吸収の最大値Ab 1 と、1900cm −1 以上2100cm −1 以下の範囲にある吸収の最大値Ab 2 との比Ab 1 /Ab 2 が0.4以上1以下である、ダイヤモンド多結晶体である。

25. 发明专利

JP6772743B2 ダイヤモンド多結晶体の製造方法、ダイヤモンド多結晶体、切削工具、耐摩工具および研削工具有权
公开(公告)号：JP6772743B2
公开(公告)日：2020-10-21
申请号：JP2016199433
申请日：2016-10-07
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：石田雄 , 角谷均
IPC分类号： C04B35/52 , B24D3/00 , B23B27/14 , B23B27/20 , B23C5/16 , B23B51/00 , C01B32/26

27. 发明专利

JP2020102598A 多結晶ダイヤモンド自立基板及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020102598A
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：JP2018241750
申请日：2018-12-25
申请人：株式会社SUMCO
发明人：古賀祥泰
IPC分类号： C01B32/26 , C23C16/27 , C23C16/02 , C23C16/01 , H01L21/02
摘要：【課題】高品質な化合物半導体層が積層された多結晶ダイヤモンド自立基板を製造することが可能な、多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶シリコン基板10上に付着させたダイヤモンド粒子14を核として、化学気相成長法により、単結晶シリコン基板10上に厚さが100μm以上の多結晶ダイヤモンド層16を成長させる。その際、多結晶ダイヤモンド層の表面16Aにおける結晶粒の最大粒径を多結晶ダイヤモンド層16の厚さで割った値を0.20以下とする。その後、多結晶ダイヤモンド層の表面16Aを平坦化する。その後、真空常温接合法又はプラズマ接合法により、多結晶ダイヤモンド層16に化合物半導体基板20を貼り合わせる。その後、化合物半導体基板20を減厚して、化合物半導体層22とする。単結晶シリコン基板10を除去する。こうして、多結晶ダイヤモンド層16が化合物半導体層22の支持基板として機能する多結晶ダイヤモンド自立基板100を得る。【選択図】図1

28. 发明专利

JP2020029472A 多結晶YAG研磨用スラリー組成物审中-公开
公开(公告)号：JP2020029472A
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：JP2018153833
申请日：2018-08-20
申请人：株式会社ダイセル
发明人：後藤友尋 , 鈴木浩文 , 岡田睦
IPC分类号： B24B37/00 , C01B32/15 , C01B32/25 , C01B32/26 , C01B32/28 , C09K3/14
摘要：【課題】多結晶YAGを高い研磨精度で効率よく研磨することができる多結晶YAG研磨用スラリーを提供する。【解決手段】本発明の多結晶YAG研磨用スラリー組成物は、分散媒と、粒径D50が10nm以下であるナノダイヤモンド粒子を含む。前記ナノダイヤモンド粒子の含有量は、スラリー組成物全量の0.01〜10重量%であることが好ましい。分散媒は極性溶媒であることが好ましい。前記ナノダイヤモンド粒子は爆轟法ナノダイヤモンド粒子であることが好ましい。スラリーのpHは4〜10であることが好ましい。前記ナノダイヤモンド粒子のpH9〜10におけるゼータ電位は、例えば−30mV以下である。【選択図】なし

29. 发明专利

JP6634573B2 ダイヤモンド基板及びダイヤモンド基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6634573B2
公开(公告)日：2020-01-22
申请号：JP2016527790
申请日：2015-06-08
申请人：アダマンド並木精密宝石株式会社
发明人：会田英雄 , 小山浩司 , 池尻憲次朗 , 金聖祐 , 矢口洋一
IPC分类号： C30B25/02 , C30B25/18 , C23C16/27 , C01B32/26 , C30B29/04

30. 发明专利

JPWO2019098172A1 ダイヤモンド多結晶体及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019098172A1
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：JP2018041931
申请日：2018-11-13
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：角谷均 , 石田雄 , 濱木健成 , 山本佳津子
IPC分类号： C30B1/02 , C01B32/25 , C01B32/26 , C30B29/04
摘要：ダイヤモンド多結晶体は、ダイヤモンド単相を基本組成とするダイヤモンド多結晶体であって、前記ダイヤモンド多結晶体は、平均粒径が30nm以下の複数のダイヤモンド粒子から構成され、前記ダイヤモンド多結晶体は、炭素ダングリングボンド密度が10ppm以上である。

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