专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明专利

JP6021803B2 ウエハ形状物品を保持するための装置有权
标题翻译：装置用于保持晶片状物品
公开(公告)号：JP6021803B2
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：JP2013508589
申请日：2011-04-26
申请人：ラム・リサーチ・アーゲー , LAM RESEARCH AG
发明人：フランク・ディーター , パグル・ミハエル , フックス・ローマン , ラッハ・オット
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68785 , H01L21/68728 , H01L21/68792

22. 发明专利

JP5898236B2 電力導入装置及び電力導入装置を用いた真空処理装置有权
标题翻译：使用功率引入装置和功率引入装置的真空处理装置
公开(公告)号：JP5898236B2
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：JP2013549064
申请日：2012-09-03
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：杉恭輔
IPC分类号： F16C33/74 , H01L21/683
CPC分类号： H05K7/2089 , H01J37/32715 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/68792 , H05K7/20009

23. 发明专利

JP5872744B2 回転ポジショニング装置有权
标题翻译：旋转定位装置
公开(公告)号：JP5872744B2
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：JP2015535159
申请日：2013-10-05
申请人：コーニンクレッカフィリップスエヌヴェ , KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
发明人：ファンリーフェノーヘン,アンネヨハネスウィルヘルミュス , アンゲリス,ゲオルゴゾルズ , ポスト,ユストゥスビョルン
IPC分类号： H02P25/06 , H01L21/68 , H02K41/06
CPC分类号： H02N15/00 , H01L21/67115 , H01L21/68 , H01L21/68792 , H02K41/031 , H02K7/09 , H02K2201/18

26. 发明专利

JP2015115531A 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2015115531A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：JP2013258193
申请日：2013-12-13
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：石坂忠大 , 宮谷光太郎 , 黒鳥託也
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/28 , H01L21/283 , C23C14/14 , C23C16/14 , C23C16/56 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76826 , C23C14/046 , C23C14/165 , H01J37/321 , H01J37/32724 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01L21/31058 , H01L21/67184 , H01L21/67207 , H01L21/76814 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/67109 , H01L21/68742 , H01L21/68792
摘要：【課題】強度の高い低誘電率膜を用い、Cu配線の低抵抗化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】表面に所定パターンの凹部が形成された、フッ素添加カーボン膜からなる層間絶縁膜を有する基板に対し、窒素プラズマ処理を施す工程と、その後、窒素プラズマ処理が施されたフッ素添加カーボン膜上にRu膜を直接形成する工程と、前記凹部内にCu配線となるCu膜を埋め込む工程とを有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件制造方法，其可以通过使用高强度的低介电常数膜来实现Cu布线的低电阻。解决方案：一种半导体器件制造方法包括：进行氮等离子体处理在具有在表面上形成有规定图案的凹部的含氟碳膜构成的层间绝缘膜的基板上，在经受氮等离子体处理的氟加成碳膜上随后直接形成Ru膜的工序; 以及在凹部中嵌入作为Cu布线的Cu膜的工序。

27. 发明专利

JP2015512565A キー付きウエハキャリア有权
标题翻译：键控晶片载体
公开(公告)号：JP2015512565A
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：JP2015501689
申请日：2013-03-01
申请人：ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド
发明人：クリシュナン，サンディープ , モイ，ケン , ガラリー，アレクサンダー・アイ , キング，マシュー , ボグスラフスキー，ヴァディム , クロメンホーク，スティーヴン
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4584 , C23C16/4586 , C23C16/46 , H01L21/6719 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68792
摘要：化学蒸着反応器のための構造体(10)は、望ましくは、内部(26)を有する反応チャンバ(12)と、反応チャンバ内に取り付けられたスピンドル(30)と、スピンドルと共に回転するように、スピンドル上に取外し可能に取り付けられたウエハキャリア(40)と、を備えている。スピンドルは、望ましくは、垂直回転軸(32)に沿って延在するシャフト(36)およびシャフトから外方に突出するキー(80)を有している。ウエハキャリア(40)は、好ましくは、上面(41)および底面(44)を画定する本体(40a)およびウエハ(50)を保持するように構成された少なくとも1つのウエハ保持特徴部(43)を有している。ウエハキャリア(40)は、望ましくは、底面(44)から本体内に延在する凹部(47)および横断軸(106)に沿って凹部の周縁(104)から外方に突出するキー溝(48)をさらに有している。シャフト36は、好ましくは、凹部(47)に係合されるようになっており、キー(80)は、好ましくは、キー溝(48)に係合されるようになっている。
摘要翻译：用于化学气相沉积反应器（10）结构优选为内部（26）的反应具有腔室（12），主轴（30）安装在所述反应室中，以便与主轴旋转，晶片载体可拆装地安装在主轴（40），和一个。主轴，优选为延伸到所述轴（36）和沿一垂直转轴（32），所述轴具有向外突出的键（80）。晶片载体（40）优选地具有上表面（41）和底部主体（40A），其限定（44）和构造成保持晶片（50）的至少一个晶片的保持特征（43）它有。晶片载体（40）理想的是键槽（48从在所述主体（47）和横向从（44延伸）的底面凹部突出的轴沿着（106凹部的外周）（104）向外）还包括一。轴36优选地被适配为与所述凹部（47）相接合，所述键（80）优选地适于与所述键槽（48）接合。

28. 发明专利

JP2015046533A サセプタ有权
标题翻译： SUSCEPTOR
公开(公告)号：JP2015046533A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：JP2013177762
申请日：2013-08-29
申请人：株式会社ブリヂストン , Bridgestone Corp
发明人： KOBAYASHI BUNYA
IPC分类号： H01L21/683 , C23C16/458 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67103 , C23C16/4584 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68785 , H01L21/68792
摘要：【課題】サセプタの軸受けとスピンドルとの嵌合力の低下を抑制しながら、軸受けの近傍におけるサセプタの温度低下を抑制することを可能とするサセプタを提供することができる。【解決手段】サセプタ10の下面10Bには、スピンドル20を受け入れる凹部である軸受け12が設けられる。軸受け12は、下面10Bから上面10Aに向けて先細りのテーパ形状を有する。軸受け12の側壁12Aには、水平方向において軸受け12とスピンドル20との嵌合面12Xよりも軸受け12の外側に空隙12Bが設けられている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制轴承附近的基座的温度降低的基座，同时抑制轴承与基座的主轴之间的配合力的降低。解决方案：在基座的下表面10B上如图10所示，设置有轴承12，该轴承是在其中容纳主轴20的凹部。轴承12具有从下表面10B向上表面10A渐缩的锥形形状。在轴承12的侧壁12A上，在轴承12的外侧，在轴承12与主轴20的水平方向的嵌合面12X之间设置空间12B。

29. 发明专利

JP2015002218A ＳｉＣ基板の表面処理方法有权
标题翻译： SIC基板表面处理方法
公开(公告)号：JP2015002218A
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：JP2013125020
申请日：2013-06-13
申请人：学校法人関西学院 , Kwansei Gakuin Univ
发明人： KANEKO TADAAKI , OTANI NOBORU , HAGIWARA KENTA
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/0475 , C30B29/36 , C30B33/00 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/302 , H01L21/30604 , H01L21/30625 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/68792
摘要：【課題】バルク基板に機械研磨を行うことで発生する変質層を短時間で除去するとともに、エピタキシャル層に生じたマクロステップバンチングを除去可能なSiC基板の表面処理方法を提供する。【解決手段】このSiC基板の表面処理方法では、以下の第1工程及び第2工程の何れかを含む。第1除去工程では、基板70に機械的研磨や化学機械研磨を行うことで生じた変質層を、当該基板70をSi蒸気圧下で加熱することで除去する。第2除去工程では、エピタキシャル層71に生じたマクロステップバンチングを、基板70をSi蒸気圧下で加熱することで除去する。なお、エッチング速度は可変であるので、第1除去工程のエッチング速度を速くすることで、変質層を短時間で除去できる。一方、第2除去工程のエッチング速度を比較的遅くすることで、エピタキシャル層71の過剰な除去を防止できる。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：去除通过在体基板上进行机械抛光而产生的改变的层，并且提供一种用于处理能够去除在外延层上产生的宏步骤聚集的SiC衬底的表面的方法。解决方案：一种处理方法该SiC衬底的表面包括第一步骤和第二步骤中的一个。在第一去除步骤中，通过在Si蒸气压下加热衬底70来去除通过在衬底70上进行机械抛光或化学机械抛光而产生的改变层。在第二去除步骤中，通过在Si蒸气压下加热衬底70来除去在外延层71上产生的宏观步骤聚束。此外，由于蚀刻速度是可变的，所以通过在第一移除步骤中增加蚀刻速度，可以在短时间内去除改变的层。另一方面，通过在第二去除步骤中相对降低蚀刻速度，可以防止外延层过度去除。

30. 发明专利

JP5496966B2 Liquid processing equipment 有权
公开(公告)号：JP5496966B2
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：JP2011172158
申请日：2011-08-05
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：藤規宏伊 , 浦一博相 , 藤尚樹新 , 谷洋介八
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02041 , H01L21/465 , H01L21/67051 , H01L21/6719 , H01L21/68785 , H01L21/68792

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式