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    • 22. 发明专利
    • 半導体装置及び半導体装置の製造方法
    • 半导体器件和半导体器件制造方法
    • JP2016021508A
    • 2016-02-04
    • JP2014144861
    • 2014-07-15
    • 富士電機株式会社
    • 鈴木 健司
    • H01L23/40
    • B23K1/19B23K1/0006B23K1/0016H01L21/4882H01L23/3735H01L23/42B23K2203/02B23K2203/08B23K2203/12B23K2203/18B23K2203/56H01L2224/32225
    • 【課題】はんだに発生する熱歪みの集中を抑制し、高い信頼性を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】半導体装置10は、半導体素子と、平面矩形状である回路板22、絶縁板21及び金属板23が積層して構成され、回路板22に半導体素子が固定され、金属板23の四隅に設けられた少なくとも1以上の第1溝部23aを有する絶縁基板20と、絶縁基板20が所定の配置領域に配置され、配置領域の四隅に設けられた少なくとも1以上の第2溝部30aを有する金属製の放熱部材30と、金属板23の四隅と放熱部材30の四隅との間に配置され、第1溝部23aと第2溝部30aとにそれぞれ嵌合された位置決め部材50と、絶縁基板23と放熱部材30との間に充填され、位置決め部材50を覆っているはんだ42とを有する。 【選択図】図8
    • 要解决的问题:提供抑制在焊料处发生的热应变的浓度以实现高可靠性的半导体器件; 并提供半导体器件的制造方法。解决方案:半导体器件10包括:半导体元件; 绝缘基板20具有电路基板22,绝缘基板21和金属板23,它们均具有俯视图的矩形形状,并被层叠并且其中半导体元件被紧固到电路板22并且具有 设置在金属板23的四个角的每一个处的至少一个第一槽23a; 金属散热构件30,绝缘基板20布置在预定布置区域中,并且在布置区域的四个角中的每一个处具有至少一个第二凹槽30a; 布置在金属板23的四个角部和散热构件30的四个角部之间的定位构件50,其各自嵌合在第一槽23a和第二槽30a中; 以及填充在绝缘基板23和散热构件30之间并覆盖定位构件50的焊料42.选择的图:图8