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    • 21. 发明专利
    • Phosphor and its manufacturing method, and light-emitting element
    • 磷光体及其制造方法和发光元件
    • JP2007177156A
    • 2007-07-12
    • JP2005379588
    • 2005-12-28
    • Ulvac Japan Ltd株式会社アルバック
    • HIRAKAWA MASAAKIMURAKAMI HIROHIKO
    • C09K11/78C09K11/08H01J29/20H01J31/12
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a phosphor that is not deteriorated by low-accelerated electron beams and gives high intensity luminance, its manufacturing method and a light-emitting element containing the phosphor.
      SOLUTION: The phosphor comprises a matrix comprised of at least one selected between Y
      2 O
      3 and Gd
      2 O
      3 and, added thereto as activating metals, 0.5-5 mol% of Eu and 5-25 mol% of Zn, each based on the total molar number of the metal constituting the matrix and the activating metals. The manufacturing method of the phosphor comprises dissolving or dispersing at least one inorganic salt selected from among inorganic salts of Y and Gd, inorganic salts of Eu and Zn, and an organic acid in a solvent followed by baking. The light-emitting element comprises the nanoparticle phosphor.
      COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:提供不被低加速电子束劣化并且提供高强度亮度的荧光体,其制造方法和含有荧光体的发光元件。 解决方案:荧光体包括由选自Y SB / O 3 / SB 3和/或SB 3之间的至少一种的基体 ,作为活化金属添加0.5-5mol%的Eu和5-25mol%的Zn,各自以构成基体的金属的总摩尔数和活化金属为基准。 荧光体的制造方法包括将选自Y和Gd的无机盐,Eu和Zn的无机盐和有机酸中的至少一种无机盐溶解或分散在溶剂中,然后进行烘焙。 发光元件包括纳米颗粒磷光体。 版权所有(C)2007,JPO&INPIT
    • 22. 发明专利
    • Method for producing carbon nanotube and its fixing method
    • 生产碳纳米管的方法及其固定方法
    • JP2007076925A
    • 2007-03-29
    • JP2005262727
    • 2005-09-09
    • Ulvac Japan Ltd株式会社アルバック
    • NAKANO MINAOHIRAKAWA MASAAKIMURAKAMI HIROHIKO
    • C01B31/02B82B3/00
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a carbon nanotube (CNT) which is not unstuck to the extent that a substrate surface is touched and whose adhesiveness is not lost by stronger shock because of the enhancement of the adhesiveness between the CNT and a substrate and which is excellent in electrical conductivity and thermal conductivity and has low contact resistance and to provide its fixing method. SOLUTION: The CNT is grown on the substrate where a catalyst is prepared on a metal film having a higher melting point than the temperature to grow the CNT. The metal film is melted and the lower edge part of the CNT is coated with the molten metal and fixed. The length of the lower edge part of the coated CNT is 1/3 or less of the length of the grown CNT. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
    • 解决问题的方法:提供一种碳纳米管(CNT)的制造方法,其不脱离到接触基板表面的程度,并且由于强化冲击而不会损失粘合性,因为增强了粘合性 CNT和基板,其导电性和导热性优异,并且具有低接触电阻并提供其固定方法。 解决方案:在衬底上生长CNT,其中在具有比用于生长CNT的温度高的熔点的金属膜上制备催化剂。 金属膜熔化,CNT的下边缘部分被熔融金属涂覆并固定。 涂覆的CNT的下边缘部分的长度是生长的CNT的长度的1/3或更小。 版权所有(C)2007,JPO&INPIT
    • 24. 发明专利
    • Method of manufacturing carbon nanotube
    • 制备碳纳米管的方法
    • JP2006062882A
    • 2006-03-09
    • JP2004243755
    • 2004-08-24
    • Ulvac Japan Ltd株式会社アルバック
    • NAKANO MINAOHIRAKAWA MASAAKIMURAKAMI HIROHIKO
    • C01B31/02B82B3/00
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a carbon nanotube which can overcome such a problem that the conventional methods to grow carbon nanotubes at a high speed can hardly grow carbon nanotubes having equal lengths and diameters with good reducibility since the growing speed strongly depends on the supply method of gases.
      SOLUTION: At the time of growing carbon nanaotubes on a substrate in vapor phase by a thermal CVD method by introducing a raw material gas containing carbon into a reaction chamber, the carbon nanotubes are grown on the surface of the substrate by rapidly heating the substrate up to a growing temperature, at which the carbon nanotubes can grow, at a prescribed substrate temperature raising speed and keeping the temperature for a prescribed time, in the presence of the raw material gas.
      COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
    • 要解决的问题:为了提供一种能够克服这样一个问题的碳纳米管的制造方法,即由于以往的碳纳米管生长速度快的方法难以生长具有相同长度和直径的碳纳米管,所以具有良好的还原性,因为 生长速度很大程度上取决于气体的供应方式。 解决方案:在通过将含有碳的原料气体引入反应室中的通过热CVD法在气相基板上生长碳纳米管的时间,通过快速加热在碳纳米管的表面上生长碳纳米管 在原料气体的存在下,在规定的基板升温速度下保持碳纳米管能够生长的温度达到规定时间的基板。 版权所有(C)2006,JPO&NCIPI
    • 28. 发明专利
    • 量子ドット増感型太陽電池用光電極の作製方法及び量子ドット増感型太陽電池
    • 量子点敏感太阳能电池制造光电的方法和量子敏感太阳能电池
    • JP2015050204A
    • 2015-03-16
    • JP2013178627
    • 2013-08-29
    • 株式会社アルバックUlvac Japan Ltd
    • NAGAKUBO JUNKINAGATA TOMOHIROMURAKAMI HIROHIKO
    • H01L31/06H01L31/04H01M14/00
    • Y02E10/541Y02E10/542
    • 【課題】量子ドットに不可避的に付着する長鎖アルキル基を短時間で除去することができ、量子ドットからの逆電子移動を抑制できる光電極を生産性よく作製可能な量子ドット増感型太陽電池の光電極の作製方法を提供する。【解決手段】対向電極に電解質層を介して対向配置される量子ドット増感型太陽電池の光電極の作製方法において、基板1の表面に透明電極層21を形成する工程と、透明電極層21の表面に光電変換を行う半導体層22を形成する工程と、量子ドットを分散させた分散液に基板を浸漬させることにより、半導体層の表面に量子ドット23を吸着させる工程と、硫化物イオンを含有する溶液中に基板を浸漬させることにより、上記量子ドットを吸着させる際に量子ドットに不可避的に付着した配位子を硫黄に置換する工程と、量子ドット及び半導体層の表面に、電解質層への電子の流入を防止するバッファ層24を形成する工程とを含む。【選択図】図2
    • 要解决的问题:提供一种用于量子点敏化太阳能电池的光电极的制造方法,通过该方法可以短时间除去不可避免地附着到量子点的长链烷基,并且将电极布置成使得反向电子 可以抑制从量子点的转移可以以良好的生产率制造。解决方案:一种用于制造量子点敏化太阳能电池的光电极的方法,其通过电解层与对电极相对布置,包括以下步骤: 在基板1的表面上的透明电极层21; 在透明电极层21的表面上形成进行光电转换的半导体层22; 通过将基板浸渍在其中分布有量子点的流体分散体中,使量子点23吸附在半导体层的表面上; 通过将衬底浸入含有硫化物离子的液体溶液中引起量子点吸附,硫取代配体不可避免地粘附到量子点; 并且在量子点和半导体层的表面上形成用于防止电子流入电解质层的缓冲层24。
    • 29. 发明专利
    • 量子ドット増感型太陽電池用光電極の作製方法及び量子ドット増感型太陽電池
    • 量子点敏感太阳能电池制造光电的方法和量子敏感太阳能电池
    • JP2015049945A
    • 2015-03-16
    • JP2013178628
    • 2013-08-29
    • 株式会社アルバックUlvac Japan Ltd
    • NAGAKUBO JUNKINAGATA TOMOHIROMURAKAMI HIROHIKO
    • H01M14/00H01L31/04
    • Y02E10/542Y02P70/521
    • 【課題】量子ドットに不可避的に付着する長鎖アルキル基を有する配位子を簡単に除去することができる量子ドット増感型太陽電池の光電極の作製方法を提供する。【解決手段】対向電極に電解質層を介して対向配置される量子ドット増感型太陽電池の光電極の作製方法において、基板1の表面に透明電極層21を形成する工程と、透明電極層21の表面に、光に反応して触媒作用を発揮する半導体層22を形成する工程と、量子ドットを分散させた分散液に基板を浸漬させることにより、前記半導体層22の表面に量子ドット23を吸着させる工程と、前記量子ドットを吸着させた半導体層22に不活性雰囲気中でUV光を照射する工程と、を含む。【選択図】図2
    • 要解决的问题:提供一种用于量子点敏化太阳能电池的光电极的制造方法,其中可以容易地去除不可避免地附着到量子点上的具有长链烷基的配体。解决方案:一种制造光电极的方法 对于通过电解质层与对电极相对布置的量子点敏化太阳能电池,包括以下步骤:在基板1的表面上形成透明电极层21; 在透明电极层21的表面上形成导致响应于光的催化的半导体层22; 通过将基板浸渍在其中分布有量子点的流体分散体中,使量子点23吸附在半导体层22的表面上; 并且在无活性气氛中用UV光照射其上吸附有量子点的半导体层22。
    • 30. 发明专利
    • Method for producing carbon nanotube
    • 生产碳纳米管的方法
    • JP2013126942A
    • 2013-06-27
    • JP2013013569
    • 2013-01-28
    • Ulvac Japan Ltd株式会社アルバック
    • NAKANO MINAOMURAKAMI HIROHIKO
    • C01B31/02B82Y40/00
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a substrate for growing carbon nanotubes which enables to grow carbon nanotubes at a low temperature, and a method for producing carbon nanotubes.SOLUTION: The method for producing a substrate for growing carbon nanotube comprises bringing a carbon-containing gas into contact with a catalyst layer 11 formed on a substrate S to grow a carbonaceous substance 12 from the catalyst layer 11 using a CVD method, and removing the carbonaceous substance 12 to produce the objective substrate 1 for growing carbon nanotube. The method for producing carbon nanotubes comprises growing carbon nanotubes 14 from the substrate for growing carbon nanotube.
    • 解决的问题:提供一种用于生产能够在低温下生长碳纳米管的碳纳米管生长用基板的方法和碳纳米管的制造方法。 解决方案:用于生产碳纳米管生长用基板的方法包括使含碳气体与形成在基板S上的催化剂层11接触,以使用CVD法从催化剂层11生长碳质物质12, 并除去碳质物质12,生成用于生长碳纳米管的目标基板1。 生产碳纳米管的方法包括从用于生长碳纳米管的基材生长碳纳米管14。 版权所有(C)2013,JPO&INPIT