专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明专利

JP2017028006A 電界効果トランジスタおよびその駆動方法有权
标题翻译：场效应晶体管及其驱动方法
公开(公告)号：JP2017028006A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2015142761
申请日：2015-07-17
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：寺本章伸 , 諏訪智之 , 黒田理人 , 古川貴一
IPC分类号： H01L29/786
摘要：【課題】本願の課題は、デバイスのOFF時(零V)とON時(電源電圧)におけるドレイン電流の比が及びON時の電流駆動能力が大きく、スイッチング特性と電流駆動能力に優れ、高効率で生産出来、且つ生産管理が容易な電界効果トランジスタを提供することである。【解決手段】この課題は、電界効果トランジスタにおいて、半導体層の上下の各主面にゲート領域部を設けるとともにソース領域部1002には、トンネル電子放出部1007と熱電子放出部1006を備え、トンネル電子放出部1007がドレイン領域部1003に向かって半導体層中に延在している構造とすることで解決できる。【選択図】図1
摘要翻译：阿本挑战是设备（零V）中的ON（电源电压）的电流的漏极的较大的比和的导通时间的电流驱动能力，开关特性优良和电流驱动能力，高效率的时间关断状态在罐的生产是和生产管理可以提供容易场效应晶体管。甲这个问题，在场效应晶体管中，源极区域1002设置有栅极区部分的上部和下部半导体层的每一个主表面上，包括一个隧道电子发射部分1007和散热部1006，隧道它可以通过其中电子发射部分1007延伸到朝漏区1003的半导体层的结构来解决。点域1

23. 发明专利

JP5930416B2 配線構造体、配線構造体を備えた半導体装置及びその半導体装置の製造方法有权
标题翻译：布线结构中，半导体器件的制造方法和具有布线结构的半导体器件
公开(公告)号：JP5930416B2
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：JP2013551489
申请日：2012-01-31
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：須川成利 , 寺本章伸 , 黒田理人 , 谷 ▲クン▼
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/316 , H01L21/321
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/02063 , H01L21/0212 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002

24. 发明专利

JP2021044464A 窒化物半導体トランジスタ装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021044464A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：JP2019166835
申请日：2019-09-13
申请人：国立大学法人東北大学 , 白田理一郎 , 高谷信一郎
发明人：寺本章伸 , 黒田理人 , 諏訪智之 , 白田理一郎 , 高谷信一郎
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338
摘要：【課題】スイッチとしての性能に優れるノーマリオフ窒化物半導体トランジスタ装置を提供する。【解決手段】窒化物半導体トランジスタ装置において、基板101と、基板上に設けられた素子分離領域114と、基板上に設けられた第1の窒化物半導体層103と、第1の窒化物半導体層上に設けられ、第1の窒化物半導体層よりバンドギャップの大きい第2の窒化物半導体層104と、第2の窒化物半導体層上に設けられた第1の絶縁膜110と、第1の絶縁膜上に設けられた電荷蓄積用ゲート電極111と、電荷蓄積用ゲート電極上に設けられた第2の絶縁膜112と、第2の絶縁膜上に設けられた第1のゲート電極116と、面方向に電荷蓄積用ゲート電極を挟んで第2の窒化物半導体層上に設けられたソース電極109及びドレイン電極210と、電荷蓄積用ゲート電極上に設けられた第3の絶縁膜115と、第3の絶縁膜上に設けられた第2のゲート電極117と、を有する。【選択図】図1

25. 发明专利

JP2021044327A 半導体デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2021044327A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：JP2019163987
申请日：2019-09-09
申请人：株式会社SUMCO , 国立大学法人東北大学
发明人：森敬一朗 , 佐俣秀一 , 寺本章伸 , 黒田理人 , 諏訪智之
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/11556 , H01L27/11521 , H01L27/11582 , H01L27/11568 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/336
摘要：【課題】SILCの発生が抑制された半導体デバイスを提供すること。【解決手段】ゲート電極および半導体チャネルを含むMOSトランジスタ構造を有する半導体デバイスであって、上記半導体チャネルの上記ゲート電極側の表面は、この表面の原子間力顕微鏡画像を300nm以上の長波長成分をカットするガウシアンフィルタによるハイパスフィルタ処理によって得られた画像において求められる二乗平均粗さRqが0.10nm以下である半導体デバイス。【選択図】なし

26. 发明专利

JP6640160B2 成膜装置及び成膜方法有权
公开(公告)号：JP6640160B2
公开(公告)日：2020-02-05
申请号：JP2017172348
申请日：2017-09-07
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：寺本章伸 , 諏訪智之 , 志波良信 , 清水亮 , 石井勝利
IPC分类号： C23C16/42 , H01L21/31 , H01L21/318 , C23C16/452

27. 发明专利

JP2019049016A 成膜装置及び成膜方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019049016A
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：JP2017172348
申请日：2017-09-07
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：寺本章伸 , 諏訪智之 , 志波良信 , 清水亮 , 石井勝利
IPC分类号： C23C16/42 , H01L21/31 , H01L21/318 , C23C16/452
摘要：【課題】ウエハへのダメージを抑え、低温で高品質なシリコン窒化膜を成膜する技術を提供すること。【解決手段】処理容器1内に載置されたウエハWにSi 2 H 6 ガスと、NH 3 ガスとを供給して、SiN膜を成膜するにあたって、NH 3 ガスに対して、Si 2 H 6 ガスと反応する前に紫外線を照射するリモート紫外線照射を行い処理容器1内に供給している。そのため活性化したNH 3 ガスとSi 2 H 6 ガスとにより、低い加熱温度でウエハWに高品質のシリコン窒化膜を成膜することができる。さらに処理容器1内に導入される前のNH 3 ガスに紫外線を照射するリモート紫外線処理としているため、ウエハWに紫外線が照射されず、ウエハWのダメージを抑えることができる。【選択図】図1

28. 发明专利

JP2017053654A 化学物質感応性センサ及び該センサを使用する計測方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017053654A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2015176015
申请日：2015-09-07
申请人：ローラス株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：寺本章伸 , 諏訪智之 , 渡辺浩志
IPC分类号： G01N27/414
摘要：【課題】高効率で手間暇なく正確に検出・検知する標的(化学)物質を検出できる化学物質感応性センサ及び該センサを使用する計測方法並びにその関連技術を提供する。【解決手段】蓄積(Accumulation)型トランンジスタのゲート領域に対向して化学反応を利用して化学物質に感応するのに利用される表面を有する電気的絶縁層を設けた化学物質感応性センサデバイス1000である。絶縁層1004の半導体領域1005との界面が、ゲート絶縁膜1008と半導体領域1005との界面と、n型の半導体領域1005で接続されており、絶縁膜1004表面での電位がゲート絶縁膜1008に直接伝わるためである。【選択図】図1

29. 发明专利

JP6093190B2 MIS構造トランジスタ、及びMIS構造トランジスタを作製する方法有权
标题翻译：制造MIS结构晶体管的方法，以及一个MIS结构晶体管
公开(公告)号：JP6093190B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2013007493
申请日：2013-01-18
申请人：住友電気工業株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：渡邊整 , 辻幸洋 , 寺本章伸
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/318 , H01L21/336

30. 发明专利

JP5839804B2 半導体装置の製造方法、および半導体装置有权
标题翻译：半导体制造半导体器件的方法，以及元件
公开(公告)号：JP5839804B2
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：JP2011013066
申请日：2011-01-25
申请人：国立大学法人東北大学 , 富士電機株式会社 , 東京エレクトロン株式会社
发明人：寺本章伸 , 神林宏 , 上田博一 , 両角友一朗 , 原田豪繁 , 長谷部一秀 , 大見忠弘
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/786 , H01L21/316 , H01L21/31 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/02274 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/0254 , H01L21/28264 , H01L23/564 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/42364 , H01L29/51 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L29/513 , H01L2924/0002

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式