专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明专利

JP2021108342A 抵抗変化型記憶装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021108342A
公开(公告)日：2021-07-29
申请号：JP2019239472
申请日：2019-12-27
申请人：日本ゼオン株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：小尻尚志 , 寺本章伸
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/8239
摘要：【課題】抵抗変化層の破壊を抑制して、より高い歩留まりで抵抗変化型記憶装置を製造することができる方法を提案する。【解決手段】カーボンナノチューブを有する抵抗変化層が上部電極と下部電極とで挟まれてなるメモリセルを備える抵抗変化型記憶装置の製造方法において、上部電極のパターニングは、上部電極と下部電極との間に上部電極のチャージアップによる電位差が生じないエッチング方法により上部電極をエッチングすることにより行うことを特徴とする。【選択図】なし

22. 发明专利

JP2020150261A シリコン窒化膜の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020150261A
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：JP2020036587
申请日：2020-03-04
申请人：国立大学法人東北大学 , 株式会社日本触媒
发明人：寺本章伸 , 志波良信 , 阿部剛 , 西村章
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/42 , C23C16/48 , H01L21/318
摘要：【課題】本開示の少なくとも1つの態様は、シリコン窒化膜下に形成される基板及び/又は下地層へのダメージを低減し、成膜速度が高いシリコン窒化膜の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】本開示の少なくとも1つの態様は、紫外光を照射した窒化種と、一般式Si n H 2n (n=5、6、又は7)で表される環状水素化シランとを接触させる工程を含むことを特徴とするシリコン窒化膜の製造方法に関する。【選択図】図1

23. 发明专利

JP6440246B2 半導体素子の形成方法有权
公开(公告)号：JP6440246B2
公开(公告)日：2018-12-19
申请号：JP2014182774
申请日：2014-09-08
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：後藤哲也 , 寺本章伸 , 黒田理人 , 諏訪智之
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/324 , H01L21/316 , H01L21/336

24. 发明专利

JP2017118859A 滅菌型液体成分検査装置及び滅菌型液体成分検査装置の使用方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017118859A
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：JP2015257745
申请日：2015-12-31
申请人：ローラス株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：渡辺浩志 , 成田知徳 , 寺本章伸
IPC分类号： G01N33/569 , C12M1/34
摘要：【課題】携帯型ウィルス検査装置を、生体検査後に容易に廃棄可能にすること。【解決手段】血液、唾液、汗等、生体から取得する検体と生理食塩水を混合した検体混合溶液を、抗体抗原反応を利用した検体検査後に、複数の小容器の内部容積の差と、各小容器に設置した弁の開閉操作の方法によって、検査装置本体の最奥部に集め、少なくともこの集めたところを加熱するように設置した加熱装置を使用することによって、効率よく検体混合液中に存在すると思われる、ウィルス等の病原菌を滅菌することを特徴とする、携帯型ウィルス検査装置の滅菌方法に関する。【選択図】図4

25. 发明专利

JP2017028006A 電界効果トランジスタおよびその駆動方法有权
标题翻译：场效应晶体管及其驱动方法
公开(公告)号：JP2017028006A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2015142761
申请日：2015-07-17
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：寺本章伸 , 諏訪智之 , 黒田理人 , 古川貴一
IPC分类号： H01L29/786
摘要：【課題】本願の課題は、デバイスのOFF時(零V)とON時(電源電圧)におけるドレイン電流の比が及びON時の電流駆動能力が大きく、スイッチング特性と電流駆動能力に優れ、高効率で生産出来、且つ生産管理が容易な電界効果トランジスタを提供することである。【解決手段】この課題は、電界効果トランジスタにおいて、半導体層の上下の各主面にゲート領域部を設けるとともにソース領域部1002には、トンネル電子放出部1007と熱電子放出部1006を備え、トンネル電子放出部1007がドレイン領域部1003に向かって半導体層中に延在している構造とすることで解決できる。【選択図】図1
摘要翻译：阿本挑战是设备（零V）中的ON（电源电压）的电流的漏极的较大的比和的导通时间的电流驱动能力，开关特性优良和电流驱动能力，高效率的时间关断状态在罐的生产是和生产管理可以提供容易场效应晶体管。甲这个问题，在场效应晶体管中，源极区域1002设置有栅极区部分的上部和下部半导体层的每一个主表面上，包括一个隧道电子发射部分1007和散热部1006，隧道它可以通过其中电子发射部分1007延伸到朝漏区1003的半导体层的结构来解决。点域1

26. 发明专利

JP5930416B2 配線構造体、配線構造体を備えた半導体装置及びその半導体装置の製造方法有权
标题翻译：布线结构中，半导体器件的制造方法和具有布线结构的半导体器件
公开(公告)号：JP5930416B2
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：JP2013551489
申请日：2012-01-31
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：須川成利 , 寺本章伸 , 黒田理人 , 谷 ▲クン▼
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/316 , H01L21/321
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/02063 , H01L21/0212 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002

27. 发明专利

JP2021044464A 窒化物半導体トランジスタ装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021044464A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：JP2019166835
申请日：2019-09-13
申请人：国立大学法人東北大学 , 白田理一郎 , 高谷信一郎
发明人：寺本章伸 , 黒田理人 , 諏訪智之 , 白田理一郎 , 高谷信一郎
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338
摘要：【課題】スイッチとしての性能に優れるノーマリオフ窒化物半導体トランジスタ装置を提供する。【解決手段】窒化物半導体トランジスタ装置において、基板101と、基板上に設けられた素子分離領域114と、基板上に設けられた第1の窒化物半導体層103と、第1の窒化物半導体層上に設けられ、第1の窒化物半導体層よりバンドギャップの大きい第2の窒化物半導体層104と、第2の窒化物半導体層上に設けられた第1の絶縁膜110と、第1の絶縁膜上に設けられた電荷蓄積用ゲート電極111と、電荷蓄積用ゲート電極上に設けられた第2の絶縁膜112と、第2の絶縁膜上に設けられた第1のゲート電極116と、面方向に電荷蓄積用ゲート電極を挟んで第2の窒化物半導体層上に設けられたソース電極109及びドレイン電極210と、電荷蓄積用ゲート電極上に設けられた第3の絶縁膜115と、第3の絶縁膜上に設けられた第2のゲート電極117と、を有する。【選択図】図1

28. 发明专利

JP2021044327A 半導体デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2021044327A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：JP2019163987
申请日：2019-09-09
申请人：株式会社SUMCO , 国立大学法人東北大学
发明人：森敬一朗 , 佐俣秀一 , 寺本章伸 , 黒田理人 , 諏訪智之
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/11556 , H01L27/11521 , H01L27/11582 , H01L27/11568 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/336
摘要：【課題】SILCの発生が抑制された半導体デバイスを提供すること。【解決手段】ゲート電極および半導体チャネルを含むMOSトランジスタ構造を有する半導体デバイスであって、上記半導体チャネルの上記ゲート電極側の表面は、この表面の原子間力顕微鏡画像を300nm以上の長波長成分をカットするガウシアンフィルタによるハイパスフィルタ処理によって得られた画像において求められる二乗平均粗さRqが0.10nm以下である半導体デバイス。【選択図】なし

29. 发明专利

JP2017053654A 化学物質感応性センサ及び該センサを使用する計測方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017053654A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2015176015
申请日：2015-09-07
申请人：ローラス株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：寺本章伸 , 諏訪智之 , 渡辺浩志
IPC分类号： G01N27/414
摘要：【課題】高効率で手間暇なく正確に検出・検知する標的(化学)物質を検出できる化学物質感応性センサ及び該センサを使用する計測方法並びにその関連技術を提供する。【解決手段】蓄積(Accumulation)型トランンジスタのゲート領域に対向して化学反応を利用して化学物質に感応するのに利用される表面を有する電気的絶縁層を設けた化学物質感応性センサデバイス1000である。絶縁層1004の半導体領域1005との界面が、ゲート絶縁膜1008と半導体領域1005との界面と、n型の半導体領域1005で接続されており、絶縁膜1004表面での電位がゲート絶縁膜1008に直接伝わるためである。【選択図】図1

30. 发明专利

JP6093190B2 MIS構造トランジスタ、及びMIS構造トランジスタを作製する方法有权
标题翻译：制造MIS结构晶体管的方法，以及一个MIS结构晶体管
公开(公告)号：JP6093190B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2013007493
申请日：2013-01-18
申请人：住友電気工業株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：渡邊整 , 辻幸洋 , 寺本章伸
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/318 , H01L21/336

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式