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11. 发明专利

JP6100045B2 放射線検出装置、放射線検出システム及び放射線検出装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6100045B2
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：JP2013056433
申请日：2013-03-19
申请人：キヤノン株式会社
发明人：井上正人 , 竹田慎市 , 澤田覚 , 石井孝昌 , 武井大希 , 西部航太
IPC分类号： G21K4/00 , A61B6/00 , G01T1/20
CPC分类号： G01T1/202

12. 发明专利

JPWO2015050066A1 放射線検出器有权
公开(公告)号：JPWO2015050066A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2015540477
申请日：2014-09-26
申请人：株式会社島津製作所
发明人：戸波　寛道 , 寛道戸波 , 倫明津田 , 倫明津田
IPC分类号： G01T1/20 , G01T1/202
CPC分类号： G01T1/202 , G01T1/1644 , G01T1/2002 , G01T1/2018
摘要：本発明によれば、横方向(x)または縦方向(y)に互いに隣接するシンチレータ結晶(c)の隙間に複数の反射板(RX,RY)を備えた放射線検出器において、蛍光の発生位置の高さ方向(z)の弁別が正確にできる。すなわち、本発明の放射線検出器のシンチレータ結晶(c)の隣のシンチレータ結晶に対向する面は粗面となっている。これにより、互いに隣接するシンチレータ結晶(c)の間で起こる予期しない蛍光の反射を抑制することができ、シンチレータ(2)で発生する蛍光の広がりを理想通りとすることができる。したがって、本発明によれば、蛍光の発生位置を高さ方向(z)について正確に弁別できる放射線検出器を提供することができる。

13. 发明专利

JP6072232B2 シンチレータパネルおよびその製造方法並びに放射線検出器およびその製造方法有权
标题翻译：闪烁体面板和它们的制造方法，以及放射线检测器及其制造方法
公开(公告)号：JP6072232B2
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：JP2015512443
申请日：2014-04-03
申请人：東芝電子管デバイス株式会社
发明人：吉田篤也
IPC分类号： G01T1/20 , G21K4/00
CPC分类号： G01T1/2018 , C09K11/628 , G01T1/202 , G21K4/00 , H01L27/14663 , H01L31/02322 , H01L31/18 , G21K2004/06

14. 发明专利

JP6030068B2 放射線検出パネルの製造装置有权
标题翻译：放射线检测面板的制造装置
公开(公告)号：JP6030068B2
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2013549229
申请日：2012-12-06
申请人：東芝電子管デバイス株式会社
发明人：千代間仁 , 吉田篤也 , 松山渉 , 山本豊雄 , 會田博之 , 榛葉勇一
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/24 , G21K4/00 , G01T1/20
CPC分类号： G01T1/20 , C23C14/0694 , C23C14/225 , C23C14/24 , C23C14/505 , G01T1/202

15. 发明专利

JP6011835B1 シンチレータ有权
标题翻译：闪烁
公开(公告)号：JP6011835B1
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：JP2016545946
申请日：2016-03-18
申请人：日本結晶光学株式会社
发明人：戸塚大輔
IPC分类号： C09K11/00 , G01T1/202 , C09K11/61
CPC分类号： C09K11/00 , C09K11/61 , G01T1/20 , G01T1/202 , G21K4/00
摘要： CsI(ヨウ化セシウム)を母体とし、タリウム(Tl)及びビスマス(Bi)を含有する結晶を有するシンチレータに関し、高出力を維持しつつ残光特性をさらに高めることができる、新たなシンチレータを提供する。 CsI(ヨウ化セシウム)を母体とし、Tl、Bi及びOを含有してなる結晶を有するシンチレータであって、前記結晶中のCsに対するBi含有濃度aが0.001at.ppm≦a≦5at.ppmであり、前記結晶中のIに対するO含有濃度bと、前記結晶中のCsに対するBi含有濃度aとの比率(a/b)が0.005×10 −4 〜200×10 −4 であることを特徴とするシンチレータを提案する。
摘要翻译：和CSI（碘化铯）和碱，涉及具有含晶体铊（Tl）和铋（Bi），所以能够进一步提高余辉特性，同时保持高的输出闪烁体，提供了一种新的闪烁体。和CSI（碘化铯）作为宿主，TL，具有组成为Bi和O的晶体闪烁体，Bi含量水平至C在0.001at.ppm晶体≦一个≦5at.ppm 在那里，所述的和O含量电平b到I在晶体中，Bi含量水平至Cs的在结晶的比（a / b）为0.005×10-4〜200×10-4 它提出了一个闪烁器。

17. 发明专利

JP2016176722A センサパネル及び放射線撮像システム审中-公开
标题翻译：传感器面板和辐射成像系统
公开(公告)号：JP2016176722A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：JP2015055354
申请日：2015-03-18
申请人：キヤノン株式会社
发明人：石田陽平
IPC分类号： A61B6/00 , G01T1/20
CPC分类号： G01T1/202
摘要：【課題】鮮鋭度(MTF)及び検出量子効率(DQE)の向上とシンチレータ層の剥離を防ぐのに有利な構造のセンサパネルを提供する。【解決手段】センサ基台と、前記センサ基台により支持された、前記放射線を検出するために複数の画素からの信号を出力するセンサ基板と、前記センサ基板の側面の周辺に配置され、前記センサ基台により支持された、前記放射線を検出するための信号を出力しない周辺部材と、前記センサ基板と前記周辺部材とを覆うシンチレータ層であって、前記センサ基板と前記周辺部材とを連続して覆っているシンチレータ層とを備えることを特徴とするセンサパネル。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为传感器面板提供有利于提高清晰度（MTF）和检测量子效率（DQE）或防止闪烁层分离的结构。解决方案：传感器面板包括：传感器基座; 传感器基板，由传感器基座支撑并输出来自用于检测辐射的多个像素的信号; 周边部件，其设置在所述传感器基板的侧面周围，由所述传感器基座支撑，并且不输出用于检测所述辐射的信号; 以及覆盖传感器基座和周边部件的闪烁层。闪烁层连续覆盖传感器基板和周边部件。图1：

18. 发明专利

JP5947499B2 放射線検出器有权
公开(公告)号：JP5947499B2
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：JP2011163111
申请日：2011-07-26
申请人：キヤノン株式会社
发明人：斉藤達也 , 岩崎達哉 , 安居伸浩 , 田透
IPC分类号： G01T1/202 , G01T1/20
CPC分类号： G01T1/202 , G01T1/2008 , G21K4/00 , G21K2004/04 , G21K2004/06

19. 发明专利

JP5931403B2 ルックアップテーブル作成方法及びPETシステム有权
标题翻译：查找表的创建方法和PET系统
公开(公告)号：JP5931403B2
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：JP2011239358
申请日：2011-10-31
申请人：株式会社東芝 , 東芝メディカルシステムズ株式会社
发明人：カーティカヤン・バラクリシュナン
IPC分类号： G01T1/20 , G01T1/161
CPC分类号： G01T1/1647 , G01T1/202

20. 发明专利

JP2016090388A シンチレータパネルおよび放射線検出器审中-公开
标题翻译：扫描面板和辐射探测器
公开(公告)号：JP2016090388A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014225099
申请日：2014-11-05
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：長谷川敦 , 前田景子
IPC分类号： G01T1/20 , G21K4/00
CPC分类号： G01T1/2012 , G01T1/161 , G01T1/202
摘要：【課題】鮮鋭性により優れる放射線画像を提供することのできるシンチレータパネルおよび放射線検出器を提供する。【解決手段】支持体と、前記支持体上に形成されたシンチレータ層とを含むシンチレータパネルであって、前記シンチレータ層が、柱状結晶である蛍光体を含み、前記柱状結晶が、前記シンチレータ層の柱状結晶成長開始面から柱状結晶成長終了面まで、シンチレータ層の厚み方向全体にわたって形成され、前記シンチレータ層は、柱状結晶成長開始面からの厚みが5μmになるまで削った後に、柱状結晶成長終了面にX線を照射して測定した時の特定面指数におけるX線ロッキングカーブの半値幅(a)が、15°以下であり、削ることなく柱状結晶成長終了面にX線を照射して測定した時の特定面指数のX線ロッキングカーブの半値幅(b)が、15°以下であり、前記半値幅(b)に対する半値幅(a)の比率(a/b)が0.5〜2.0の範囲にあることを特徴とするシンチレータパネル。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提供更清晰的放射照相图像的闪烁体面板和放射线检测器。解决方案：闪烁体面板包括支撑体和形成在支撑体上的闪烁体层，闪烁体层包括含有柱状晶体的荧光体其形成为从闪烁体层的柱状晶体生长起始面到柱状晶体生长端面覆盖闪烁体层的整个厚度。闪烁体层表现出在特定表面指数下具有不大于15°的半宽度（a）的X射线摇摆曲线，其通过在将闪烁体层剃去闪烁体层之后用X射线照射柱状晶体生长端面表面而测得的厚度从柱状晶体生长起始面开始为5μm，并且通过用X射线照射柱状晶体生长端面而测定的比表面指数的半宽度（b）不大于15°的X射线摇摆曲线而没有剃掉任何东西半宽（a）与半宽（b）的比（a / b）应在0.5-2.0的范围内。图示：图6

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