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11. 发明专利

JP2014034685A Film deposition method and film deposition apparatus of amorphous hard carbon film 有权
标题翻译：非晶硬碳膜薄膜沉积方法及薄膜沉积装置
公开(公告)号：JP2014034685A
公开(公告)日：2014-02-24
申请号：JP2012174875
申请日：2012-08-07
申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー
发明人： ITOMURA DAISUKE , TERA AKINOSUKE
IPC分类号： C23C16/27
CPC分类号： C23C16/0272 , C23C16/26 , C23C16/515
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film deposition method and film deposition apparatus of a DLC film that can stably form plasma in a state of high electric field intensity to generate high-density plasma.SOLUTION: A plasma treatment apparatus is equipped with a cylindrical electrode to regulate a treatment chamber and a bar-shaped electrode arranged near the center of the treatment chamber, in which the distance between the bar-shaped electrode and the cylindrical electrode is 1-10 mm. In the plasma treatment apparatus, a substrate is subjected to plasma nitriding treatment in the presence of argon gas, hydrogen gas and nitrogen gas for pretreatment, and then consecutively subjected to film deposition of a middle layer after the pretreatment, and further consecutively subjected to film deposition of an amorphous hard carbon film by plasma CVD treatment in the presence of a carbon supply source.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够在高电场强度的状态下稳定地形成等离子体的DLC膜的成膜方法和成膜装置，以产生高密度等离子体。解决方案：等离子体处理装置配备有圆柱形用于调节处理室的电极和布置在处理室中心附近的棒状电极，其中棒状电极和圆柱形电极之间的距离为1-10mm。在等离子体处理装置中，在氩气，氢气和氮气的存在下对基板进行等离子体氮化处理，进行预处理，然后在预处理后连续地进行中间层的膜沉积，并且进一步连续地进行膜在碳供应源的存在下通过等离子体CVD处理沉积无定形硬碳膜。

12. 发明专利

JP2014034473A Method for producing diamond and direct current plasma cvd apparatus 有权
标题翻译：用于生产金刚石和直流电流等离子体CVD装置的方法
公开(公告)号：JP2014034473A
公开(公告)日：2014-02-24
申请号：JP2012174619
申请日：2012-08-07
申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd , 信越化学工業株式会社
发明人： NOGUCHI HITOSHI
IPC分类号： C30B29/04 , C23C16/27
CPC分类号： C30B25/16 , C23C16/27 , C23C16/272 , C23C16/515 , C23C16/517 , C30B25/105 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B25/183 , C30B29/04 , H01J37/32027 , H01J37/32926 , H01J2237/327 , H01J2237/3321
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a diamond that may maintain a stable growth rate of the diamond and produces a high quality diamond.SOLUTION: A method for producing a diamond is provided in which the diamond is grown on a substrate S using a mixed gas of a carbon-containing gas and a hydrogen gas as a raw material by a direct current plasma CVD method applying a DC voltage between a stage electrode 12 holding the substrate S and a voltage application electrode 13. A single pulse voltage having reverse polarity to the polarity of the DC voltage for growing the diamond is applied between the stage electrode 12 and the voltage application electrode 13 at a specific timing while the diamond is grown by applying the DC current for growing the diamond.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以保持金刚石的稳定生长速率并产生高质量金刚石的金刚石的制造方法。提供一种用于制造金刚石的方法，其中金刚石在基底S上生长使用含碳气体和氢气的混合气体作为原料，通过在保持基板S的载台电极12和施加电压电极13之间施加直流电压的直流等离子体CVD法。具有在金刚石通过施加用于生长金刚石的直流电流生长的同时，在阶段电极12和电压施加电极13之间的特定时刻施加与用于生长金刚石的直流电压的极性的极性相反的极性。

13. 发明专利

JP5253149B2 Systems and methods for plasma enhanced atomic layer deposition 有权
公开(公告)号：JP5253149B2
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：JP2008503029
申请日：2006-03-15
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：司松田
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/285 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/4554 , C23C16/515 , H01J37/32009 , H01J37/32532 , H01L21/28562

14. 发明专利

JPWO2011152122A1 被覆部材およびその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2011152122A1
公开(公告)日：2013-07-25
申请号：JP2012518283
申请日：2011-04-08
申请人：株式会社ジェイテクト
发明人：雅裕鈴木 , 雅裕鈴木 , 齊藤　利幸 , 利幸齊藤 , 和芳山川 , 和芳山川
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/02
CPC分类号： C23C16/26 , C23C16/0263 , C23C16/0272 , C23C16/515 , C23C28/046 , C23C28/048 , Y10T428/24479 , Y10T428/30
摘要：被覆部材19は、基材4と、粗面化された表面20aを有し、基材4を覆う第1中間層20と、第1中間層20の表面20aを覆うDLC膜22とを含む。第1中間層20およびDLC膜22は、基材4の温度が300℃以下に維持された状態で形成されている。第1中間層20の表面20aは、イオンの衝突によって粗面化されている。

16. 发明专利

JP2011521106A The coating method of the inner and outer surfaces of the pipes in solar and other applications 审中-公开
公开(公告)号：JP2011521106A
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：JP2011509663
申请日：2009-05-13
申请人：サブ−ワン・テクノロジー・インコーポレーテッド
发明人：ウパディヤヤ，ディパック , カサリー，トーマス・ビィ , ボイナパリー，カルティック , ボードマン，ウィリアム・ジェイ , ラーマムルティ，ラウル
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/515 , F24S10/70
CPC分类号： C23C16/045 , C23C16/503 , C23C16/515 , H01J37/32009 , H01J37/32596 , H01J37/32706
摘要：断面寸法（たとえば直径）が相対的に小さい被加工物（６０）を、断面寸法が相対的に大きい被加工物（１０）内の中心に置く。これらの被加工物は電気的に接続される（６２）。ある実施例では、これら２つの被加工物の表面を同一のコーティング材料または異なるコーティング材料で同時にコーティングできる。別の実施例では、穴は、ガス分配インジェクタおよびアノードホルダとして機能する内側の金属管の長さに沿って位置する。セラミックライナを内側の金属管の中に設けてもよく、このセラミックライナ内に導電性ワイヤがある。内側の金属管（１０）をカソードとしてバイアスしてもよく、上記内側のワイヤはアノードとしてバイアスされる。ホローカソード効果が、コーティングされている１つまたは複数の表面に隣接するすべての空間に与えられる。いくつかの応用例では、コーティング中の異なる表面が異なる電圧でバイアスされる（２０）。

17. 发明专利

JPWO2009104531A1 成膜方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2009104531A1
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：JP2009554290
申请日：2009-02-16
申请人：株式会社アルバック
发明人：亨菊池 , 亨菊池 , 雅文若井 , 雅文若井 , 貞次若松 , 貞次若松 , 征典橋本 , 征典橋本 , 伸浅利 , 伸浅利 , 一也斉藤 , 一也斉藤
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/515 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/31612 , C23C16/401 , C23C16/515 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L29/4908
摘要：ゲート絶縁膜の電気的特性の劣化を抑えつつ、その表面被覆率を向上させる成膜方法。当該方法は、有機シラン化合物と酸化ガスとを含む混合ガスを真空槽(11)に供給すること、高周波電力を間欠的に供給するためのパルス状高周波電力を生成すること、パルス状高周波電力を用いて混合ガスをプラズマ化することにより、基板(S)上にシリコン系絶縁膜を成膜すること、を備える。前記パルス状高周波電力は、シリコン系絶縁膜の表面被覆率の目標値を満たすデューティー比のうち最大のデューティー比で生成されている。

18. 发明专利

JP2011500968A How to produce a hydrogenated amorphous carbon coating 有权
公开(公告)号：JP2011500968A
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：JP2010530506
申请日：2008-10-20
申请人：コミサリアアレネルジィアトミークエオエネルジィアルタナティブCommissariat A L’Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives , サントルナショナルドゥラルシェルシュシアンティフィク
发明人：フレデリックサンシェット , キャロラインシューケ , セドリックデュクロス
IPC分类号： C23C16/27
CPC分类号： C23C16/26 , C23C16/515 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/30
摘要： The invention relates to a hydrogenated amorphous carbon coating and to a method for the production thereof. It also relates to devices having such a coating. The method of the invention consists in producing a hydrogenated amorphous carbon coating comprising at least two layers of hydrogenated amorphous carbon, each of said layers having chemical compositions and physical and mechanical properties that are identical, and with thicknesses that are identical or different. The coating of the invention finds many applications, in particular in the mechanical field for parts subject to considerable wear and rubbing problems. It may also be applicable, in particular, in the field of surgical implants and in the MEMS (microelectromechanical systems) field.

19. 发明专利

JP2010262976A Method for forming semiconductor film, and method for manufacturing photoelectric conversion device 有权
标题翻译：形成半导体膜的方法和制造光电转换装置的方法
公开(公告)号：JP2010262976A
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：JP2009110662
申请日：2009-04-30
申请人： Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： ISHIKAWA YASUAKI , HONDA SHINYA , TOKAWA MAKOTO
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/204 , C23C16/22 , C23C16/515 , H01L31/1812 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a semiconductor film suitable for a practical photoelectric conversion device having superior efficiency of photoelectric conversion, and also suitable for mass production and an increased substrate area, and to provide a method for manufacturing a photoelectric conversion device including the semiconductor film. SOLUTION: In the method for forming a film, a semiconductor film including an amorphous structure is manufactured by means of a plasma CVD method. The semiconductor film is an amorphous film comprising a SiGe compound or a microcrystal film comprising a SiGe compound. In the plasma CVD method, the band gap in the thickness direction of the semiconductor film is controlled by intermittently supplying power by changing an on-time or off-time of the power applied to generate plasma. The on-time and the off-time of the power is within a range in which a Duty ratio, i.e., on-time/(on-time+off-time)×100 (%), is ≥10% and ≤50%. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种适用于具有优异的光电转换效率的实用的光电转换装置的半导体膜的形成方法，并且也适用于批量生产和增加的基板面积，并提供一种制造方法包括半导体膜的光电转换装置。解决方案：在形成膜的方法中，通过等离子体CVD法制造包括非晶结构的半导体膜。半导体膜是包含SiGe化合物或包含SiGe化合物的微晶膜的非晶膜。在等离子体CVD法中，半导体膜的厚度方向上的带隙通过间歇地供给功率而被控制，通过改变施加的功率的导通时间或关闭时间来产生等离子体。功率的导通时间和关断时间在占空比（即准时/（on-time + off-time）×100（％））为≥10％且≤50的范围内％。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

20. 发明专利

JP4144909B2 Method of manufacturing a gradient layer 失效
公开(公告)号：JP4144909B2
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：JP33048195
申请日：1995-12-19
申请人：ショットアクチエンゲゼルシャフトSchott AG
发明人：パケットフォルカー , オットーユルゲン , セグナーヨハッネス
IPC分类号： B32B9/00 , C23C16/50 , C23C16/02 , C23C16/40 , C23C16/511 , C23C16/515 , C23C16/52 , G02B1/10
CPC分类号： C08J7/123 , C23C16/029 , C23C16/401 , C23C16/515 , C23C16/52 , G02B1/105 , G02B1/14

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