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11. 发明专利

JP2021125607A 成膜方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021125607A
公开(公告)日：2021-08-30
申请号：JP2020019137
申请日：2020-02-06
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：東雲秀司 , 池進一 , 河野有美子
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/04 , H01L21/31 , H01L21/316
摘要：【課題】自己組織化膜を利用して所望の領域に金属酸化膜を選択的に形成する際の選択性を強化できる技術を提供する。【解決手段】第1領域の表面に形成された第1の金属製の金属層と、第2領域の表面に形成された絶縁層とを有する基板を準備する工程と、自己組織化膜の原料ガスを供給し、前記金属層の表面に自己組織化膜を形成する工程と、前記自己組織化膜を形成した後に、第2の金属を含有する前駆体ガスの供給と、酸化ガスの供給とを繰り返し、原子層堆積法により前記絶縁層の上に第2の金属の酸化膜を形成する工程と、前記酸化ガスの供給の後で前記前駆体ガスの供給の前に、還元ガスを供給して前記第1の金属の表面に形成された前記第1の金属の酸化膜を還元する工程とを含む、成膜方法が提供される。【選択図】図3

12. 发明专利

JP2020147793A 管理方法、成膜方法および成膜装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020147793A
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：JP2019046326
申请日：2019-03-13
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：東雲秀司 , 大内健次 , 村上博紀 , 河野有美子 , 池進一
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/02 , H01L21/31 , H01L21/312 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/304 , C23C16/44
摘要：【課題】処理容器の内部環境の時間変化を抑制できる、技術を提供する。【解決手段】成膜装置の処理容器の内部に第1自己組織化単分子膜の材料を供給し、少なくとも前記処理容器の内壁面を前記第1自己組織化単分子膜にてコーティングする工程と、前記処理容器の内壁面に物理吸着する前記材料が脱離するように、前記処理容器の内部からガスを排出する工程と、前記処理容器の内壁面に堆積する堆積物の状態を、測定器で測定する工程と、前記測定器の測定結果に基づき、少なくとも前記処理容器の前記内壁面を前記第1自己組織化単分子膜にて再コーティングする工程とを含む、管理方法。【選択図】図6

13. 发明专利

JP2020053612A 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020053612A
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：JP2018183304
申请日：2018-09-28
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：河野有美子 , 中村源志 , ゴベールフィリップ , 中林肇
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/768 , H01L23/532 , C23C16/40 , C23C16/56 , C23C16/34 , C23C14/06 , H01L21/316
摘要：【課題】金属酸化物上の電極膜の膨れや剥がれを抑制する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、第1の積層工程と、第2の積層工程と、第3の積層工程と、第1のアニール工程と、第4の積層工程とを含む。第1の積層工程では、基材上に第1の電極膜が積層される。第2の積層工程では、第1の電極膜上に容量絶縁物が積層される。第3の積層工程では、容量絶縁物上に金属酸化物が積層される。第1のアニール工程では、基材上に積層された第1の電極膜、容量絶縁物、および金属酸化物がアニールされる。第4の積層工程では、アニールされた金属酸化物上に第2の電極膜が積層される。また、容量絶縁物は、ジルコニウムおよびハフニウムの少なくともいずれかを含む酸化物であり、金属酸化物は、タングステン、モリブデン、およびバナジウムの少なくともいずれかの金属を含む酸化物である。【選択図】図1

14. 发明专利

JP6013113B2 発熱体の製造方法有权
公开(公告)号：JP6013113B2
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：JP2012214304
申请日：2012-09-27
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：米永富廣 , 河野有美子
IPC分类号： H05B6/10 , H01L21/31
CPC分类号： H05B6/105 , H01L21/67103 , H01L21/67115 , Y10T156/10 , Y10T29/49826

15. 发明专利

JP5751754B2 成膜方法および記憶媒体有权
标题翻译：沉积方法和存储介质
公开(公告)号：JP5751754B2
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：JP2009554334
申请日：2009-02-18
申请人：東京エレクトロン株式会社 , マイクロンメモリジャパン株式会社
发明人：河野有美子 , 有馬進 , 柿本明修 , 廣田俊幸 , 清村貴利
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/316
CPC分类号： C23C16/409 , C23C16/45531 , H01L21/31691 , H01G4/1227 , H01L28/55

16. 发明专利

JP2015067878A 熱処理装置及び熱処理方法审中-公开
标题翻译：热处理设备和热处理方法
公开(公告)号：JP2015067878A
公开(公告)日：2015-04-13
申请号：JP2013204023
申请日：2013-09-30
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：米永富廣 , キムチョルジュン , 河野有美子
IPC分类号： H05B6/06 , H01L21/683 , H01L21/31 , C23C16/46
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/4581 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/45525
摘要：【課題】載置台の誘導加熱によって当該載置台上の基板を加熱すると共に、成膜ガスを基板に供給して薄膜の成膜処理を行うにあたって、基板の面内において膜厚の均一性が良好な薄膜を成膜すること。【解決手段】サセプタ1の誘導加熱によってサセプタ1上のウエハWを加熱して薄膜の成膜処理を行うにあたって、誘導電流が生成される発熱調整部1cについて、内側部1dの上に載置されるウエハWの外周縁に沿うように、当該内側部1dの外側にて環状に形成する。そして、この発熱調整部1cの厚さ寸法Hについて、表皮深さδの2倍以下の寸法に設定して、ウエハWの中央部の温度が周縁部の温度よりも高くなる、山型の温度分布を当該ウエハWに形成する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：在通过安装台的感应加热加热安装在安装台上的基板时，并且当通过提供薄膜沉积来进行薄膜的沉积处理时，在基板的平面中沉积具有均匀厚度的优异薄膜气体到基板。解决方案：当通过基座1的感应加热来加热基座1上的晶片W进行薄膜的沉积处理时，产生感应电流的发热调节部1c环形地形成在内部1d的外侧沿着安装在内部1d上的晶片W的外周边缘延伸。此外，将发热调节部1c的厚度尺寸H设定为表皮深度δ的2倍以下，在晶片W上形成晶片W的中央部的温度高于在其周边部分。

17. 发明专利

JP2021052071A 成膜方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021052071A
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：JP2019173472
申请日：2019-09-24
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：池進一 , 東雲秀司 , 河野有美子 , 廣木勤
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/318 , C23C16/44 , H01L21/312
摘要：【課題】高密度な自己組織化単分子膜を所望の領域に選択的に形成できる技術を提供する。【解決手段】基板上へ対象膜を形成する成膜方法であって、第1領域の表面に形成された第1材料の層と、第2領域の表面に形成された前記第1材料とは異なる第2材料の層とを有する前記基板を準備する工程と、基板温度を第1温度に制御する工程と、自己組織化膜の原料ガスを供給し、前記第1材料の層の表面に前記第1温度で自己組織化膜を形成する工程と、前記基板温度を前記第1温度よりも高い第2温度に制御する工程と、前記自己組織化膜の原料ガスを供給し、前記第1温度で前記自己組織化膜が形成された前記第1材料の層の上に、さらに、前記第2温度で自己組織化膜を形成する工程と、を含む、成膜方法が提供される。【選択図】図2

18. 发明专利

JP2021052070A 成膜方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021052070A
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：JP2019173471
申请日：2019-09-24
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：東雲秀司 , 杉浦正仁 , 松本貴士 , 河野有美子 , 池進一 , 大内健次
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/318 , H01L21/31 , C23C16/04 , H01L21/316
摘要：【課題】SAMの形状を制御できる技術を提供する。【解決手段】基板上へ対象膜を形成する成膜方法であって、第1領域の表面に形成された第1導電材料の層と、第2領域の表面に形成された絶縁材料の層とを有する前記基板を準備する工程と、前記第1導電材料の層の表面にカーボンナノチューブを形成する工程と、自己組織化膜の原料ガスを供給し、前記第1導電材料の層の表面のうち前記カーボンナノチューブが形成されていない領域に自己組織化膜を形成する工程と、を含む、成膜方法が提供される。【選択図】図2

19. 发明专利

JP2020152976A 成膜方法および成膜装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020152976A
公开(公告)日：2020-09-24
申请号：JP2019053839
申请日：2019-03-20
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：河野有美子 , 東雲秀司 , 池進一 , 村上博紀 , 長谷部一秀
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/04
摘要：【課題】基板の特定の領域に高密度で自己組織化単分子膜を形成できる、技術を提供する。【解決手段】第1材料が露出する第1領域、および前記第1材料とは異なる第2材料が露出する第2領域を有する基板を、処理容器の内部に収容する工程と、自己組織化単分子膜の原料を加熱気化し、気化した原料ガスを前記処理容器の内部に供給し、供給した前記原料ガスを前記基板の表面で液化し、前記第1領域および前記第2領域に液膜を形成する工程と、前記液膜を気化し、前記第1領域および前記第2領域のうちの前記第2領域に選択的に自己組織化単分子膜を形成する工程とを含む、成膜方法。【選択図】図2

20. 发明专利

JP2020147829A 成膜方法および成膜装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020147829A
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：JP2019048532
申请日：2019-03-15
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：河野有美子 , 東雲秀司 , 村上博紀
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/34 , H01L21/285 , C23C16/455 , C23C16/04
摘要：【課題】第1領域に選択的に所望の対象膜を形成した時に第2領域に生じた生成物を除去でき、且つ第1領域に対象膜を残すことができる、技術を提供する。【解決手段】第1材料が露出する第1領域、および前記第1材料とは異なる第2材料が露出する第2領域を有する基板を準備する工程と、前記第1領域および前記第2領域のうちの前記第1領域に選択的に所望の対象膜を形成する工程と、前記基板に対してClF 3 ガスを供給することにより、前記対象膜の形成時に前記第2領域に生じた生成物を除去する工程とを含む、成膜方法。【選択図】図1

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