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12. 发明专利

JPWO2017047227A1 複合部材及び複合部材の製造方法並びに脂肪族ポリカーボネート含有層审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017047227A1
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：JP2016071387
申请日：2016-07-21
申请人：国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 , 住友精化株式会社
发明人：井上聡 , 下田達也 , 深田和宏 , 西岡聖司 , 鈴木正博
IPC分类号： H01L21/768 , G06F3/041 , B32B27/36 , H01L21/288 , H01L21/28 , H01L21/312 , H01L21/3205
CPC分类号： G06F3/041 , G06F3/044 , H01L21/28 , H01L21/3205
摘要：【課題】微細な配線形成の簡便化及び/又は高品質化を実現する複合部材を提供する。【解決手段】本発明の1つの複合部材100は、基材上に配置された、複数の島状の脂肪族ポリカーボネート含有層の少なくとも表面が、180nm以上370nm以下の波長を含む紫外光に15分間曝露されたときに、純水とその表面との接触角度が50°以上であり、各々の該前駆体層に挟まれた領域の少なくとも一部に、前述の基材上の金属インクを備える。

13. 发明专利

JP6508724B2 半導体素子及びその製造方法、並びに脂肪族ポリカーボネート有权
公开(公告)号：JP6508724B2
公开(公告)日：2019-05-08
申请号：JP2015553541
申请日：2014-12-16
申请人：国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 , 住友精化株式会社
发明人：井上聡 , 下田達也 , 藤本信貴 , 西岡聖司 , 辛島修一
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/225 , H01L21/336

15. 发明专利

JP5749411B1 酸化物半導体層及びその製造方法、並びに酸化物半導体の前駆体、酸化物半導体層、半導体素子、及び電子デバイス有权
标题翻译：在氧化物半导体层及其制造的方法，和氧化物半导体前体氧化物半导体层，半导体装置及电子设备
公开(公告)号：JP5749411B1
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：JP2014554108
申请日：2014-07-04
申请人：国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 , 住友精化株式会社
发明人：井上聡 , 下田達也 , 川北知紀 , 藤本信貴 , 西岡聖司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , C08G64/34 , H01L21/368
CPC分类号： H01L21/02614 , C01G15/00 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L27/1225 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要：【課題】クラックの生成が低減され、電気的特性及び安定性に優れる酸化物半導体層、及びその酸化物半導体層を備えた半導体素子並びに電子デバイスを提供する。【解決手段】本発明の1つの酸化物半導体層の製造方法は、酸化されたときに酸化物半導体となる金属の化合物を脂肪族ポリカーボネートからなるバインダーを含む溶液中に分散させた酸化物半導体の前駆体を、基板上又はその上方に層状に形成する前駆体層の形成工程と、その前駆体層を、そのバインダーを90wt%以上分解させる第1温度によって加熱した後、その第1温度よりも高く、かつ前述の金属と酸素とが結合し、示差熱分析法(DTA)における発熱ピーク値の第2温度(Xで示す温度)以上の温度によってその前駆体層を焼成する焼成工程とを含む。
摘要翻译：在产生裂纹降低，具有优异的电特性和稳定性的氧化物半导体层，并提供一种半导体装置以及配备有该氧化物半导体层的电子器件。一种用于制造本发明的一个氧化物半导体层的方法，在氧化时的氧化物半导体，成为分散在含有由脂肪族聚碳酸酯的粘合剂的溶液中的半导体的金属复合氧化物所述前体，形成前体层上或所述基底，所述前体层的上方形成的层的步骤中，由第一温度加热后分解粘合剂至少90重量％，比第一温度高，与上述的金属和氧，并且通过上述差热分析的发热峰值的温度的第二温度（用X表示温度）焙烧该前体层的烧成工序相结合（DTA）。

16. 发明专利

JP2018137314A 酸化物薄膜形成用前駆体溶液とその製造方法および酸化物薄膜の製造方法とUV吸収性錯体审中-公开
公开(公告)号：JP2018137314A
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：JP2017030170
申请日：2017-02-21
申请人： DIC株式会社 , 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学
发明人：三木崇之 , 森脇雅幸 , 佐野義之 , 下田達也 , 李金望
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/316
摘要：【課題】従来より低温製膜が可能で、トランジスタデバイス用の酸化物薄膜に用いて好適な前駆体溶液とその製造方法および前駆体溶液作成に好適なUV吸収性錯体を提供すること。【解決手段】酸化物薄膜形成用前駆体溶液は、Laの金属錯体とZrの金属錯体が溶媒中に分散された酸化物薄膜形成用前駆体溶液であり、金属錯体に含まれている配位子の少なくとも一部がUV吸収性配位子で変換されたことを特徴とする。Zrの金属錯体は例えばジルコニウムブトキシドである。Laの金属錯体は例えば硝酸ランタンである。UV吸収性配位子は例えばベンゾイルアセトンである。【選択図】図3

17. 发明专利

JP6647586B2 絶縁膜形成用前駆体溶液の製造方法およびゲート絶縁膜の製造方法有权
公开(公告)号：JP6647586B2
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：JP2015076104
申请日：2015-04-02
申请人： DIC株式会社 , 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学
发明人：諸培新 , 下田達也 , 李金望
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/316

18. 发明专利

JP2016197631A 絶縁膜形成用前駆体溶液とその製造方法、絶縁膜とその製造方法及びトランジスタデバイス及びその製造方法审中-公开
标题翻译：用于绝缘膜形成的前驱体解决方案及其制造方法，绝缘膜及其制造方法及其晶体管器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016197631A
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2015076104
申请日：2015-04-02
申请人： DIC株式会社 , 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学
发明人：諸培新 , 下田達也 , 李金望
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/31 , H01L21/316
摘要：【課題】本発明の課題は、従来より低温形成が可能であって、高温製膜にも適用し、トランジスタデバイス用の絶縁膜に用いて好適な絶縁膜形成用溶液とその製造方法、その溶液から得られた絶縁膜とその製造方法並びにそれらによる薄膜トランジスタの提供にある。【解決手段】本発明は、Ln化合物とZr化合物を溶媒に分散させたLnZrO酸化物溶液であり、紫外線の吸収端波長が280nm以上であることを特徴とする絶縁膜形成用前駆体溶液に関する。吸収端波長の長波長シフトは、Ln化合物とZr化合物を溶媒に分散させたLnZrO酸化物前駆体溶液を加圧しながら150〜230℃に加熱するオートクレーブ処理により達成される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供可以在比以前更低的温度下形成的绝缘膜形成方法，并且适用于在高温下成膜并用于晶体管器件的绝缘膜的溶液，并且还提供一种制造用于绝缘膜形成的方法，由溶液获得的绝缘膜，制造绝缘膜的方法和由它们制造的薄膜晶体管。方法：公开了用于绝缘膜形成的前体溶液是通过将Ln化合物和Zn化合物分散在溶剂中而形成的LnZro氧化物溶液，其中紫外线的吸收边缘波长为280nm以上。吸收边缘波长向较长波长的转变可以通过高压釜处理加热至150-230℃，同时向分散Ln化合物和Zn化合物的溶液形成的LnZrO氧化物前体溶液施加压力。选择图1

20. 发明专利

JP2020009826A 被処理基板にシリコン膜を形成する方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020009826A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：JP2018127331
申请日：2018-07-04
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学
发明人：橋本浩幸 , 田中有紀 , 増田貴史 , 下田達也
IPC分类号： C30B7/06 , C01B33/02 , C01B33/04 , H01L21/208
摘要：【課題】広範な分子サイズのシランポリマーからシリコン膜を形成できる技術を提供する。【解決手段】(A)分子中に6〜8員の単環式飽和炭素環を含み沸点が160℃未満である第1の溶媒と分子中に飽和炭素環又は部分飽和炭素環を含み沸点が160℃以上である第2の溶媒を含む混合溶媒にシランポリマーを溶解させた溶液を、被処理基板に塗布して塗布膜を形成する工程、及び(B)塗布膜を加熱する工程を含む、被処理基板にシリコン膜を形成する方法。【選択図】なし

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