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11. 发明专利

JP2021056047A 磁界センサ素子及び磁界センサ装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021056047A
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：JP2019177949
申请日：2019-09-27
申请人：シチズンファインデバイス株式会社 , シチズン時計株式会社 , 国立大学法人信州大学
发明人：宮本光教 , 久保利哉 , 佐藤敏郎 , 曽根原誠
IPC分类号： H01F1/44 , H01F41/16 , G01R33/032
摘要：【課題】磁性体ヨークがなくても外部磁界に対する感度が高く、GHzオーダの高周波計測が可能な磁界センサ素子及び磁界センサ装置を提供する。【解決手段】磁界センサ素子(10)は、強磁性金属の微粒子が分散した誘電体で構成され、入射光を透過させ、入射光が透過する方向を長手方向とするそれぞれの幅及び高さがミクロンオーダの複数の柱状体(32)に成形された磁性部材(30)と、磁性部材を透過した光を磁性部材に向けて反射する反射膜(40)と、入射光を磁性部材に出射するとともに、反射膜で反射し磁性部材を透過した戻り光が入射する光ファイバ(20)とを有する。【選択図】図2

12. 发明专利

JP6362259B2 渦電流検査装置审中-公开
公开(公告)号：JP6362259B2
公开(公告)日：2018-07-25
申请号：JP2014161075
申请日：2014-08-07
申请人：高島産業株式会社 , 国立大学法人信州大学
发明人：曽根原誠 , 矢▲崎▼ 耕平 , 佐藤敏郎 , 杉村佳奈子 , 島津進
IPC分类号： G01N27/90

13. 发明专利

JP2017147288A トロイダルコイル审中-公开
公开(公告)号：JP2017147288A
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：JP2016026696
申请日：2016-02-16
申请人：ミドリ電子株式会社 , 国立大学法人信州大学
发明人：金沢秀一 , 曽根原誠 , 佐藤敏郎
IPC分类号： H01F27/28 , H01F17/06
摘要：【課題】1MHz帯域以上の高周波で使用できるパワーインダクタとして、リッツ線を用いた新しい巻線構造のトロイダルコイルを提供する。【解決手段】内周面、上面、下面及び外周面で少なくとも構成されたトロイダルコア1と、そのトロイダルコア1に巻き回された導体2とを有する。導体2がリッツ線であり、そのリッツ線は上面及び下面を平面視したときに内周面側から外周面側に向かって広がる扇形状になっており、さらに、隣り合うリッツ線同士は、少なくとも外周面で隙間を有している。このトロイダルコイル10において、トロイダルコア1の上面及び下面のうちリッツ線2で覆われていない露出面積が50%未満であることが好ましく、隙間が1mm以上、5mm以下の範囲内であることが好ましい。【選択図】図1

14. 发明专利

JP2017040602A 塩分濃度測定装置审中-公开
标题翻译：盐度测量装置
公开(公告)号：JP2017040602A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015163540
申请日：2015-08-21
申请人：国立大学法人信州大学
发明人：曽根原誠 , 佐藤敏郎 , ゲェンバントアイ
IPC分类号： G01N27/72
摘要：【課題】本発明は、純水から淡水、食塩水に至る塩分を含む水について、非接触で高感度に塩分濃度を測定できる塩分濃度測定装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る塩分濃度測定装置は、(イ)検出コイル15が、励磁コイル17の巻回の軸方向に対して対称に配置され互いに逆方向に巻回された一対の第1コイル部11と第2コイル部12からなり、(ロ)第1コイル部11の内周側に第1の容器13が配置され、第2コイル部12の内周側に液体試料16を収容する第2の容器14が配置され、(ハ)第1の容器13と第2の容器14は、材料が同じでかつ断面形状が同じであり、(ニ)測定部90が、励磁コイル17から発生する高周波磁界の信号電圧と検出コイル15に生ずる誘起電圧との間の位相差に基づいて液体試料16の塩分濃度を測定することを特徴とする。【選択図】図5
摘要翻译：本发明公开了从纯水淡水，含有盐导致盐水水中，并且其目的是提供一种能够测量在高灵敏度的盐度无接触的盐度测量装置。根据本发明的盐的浓度测量装置中，（a）检测线圈15，绕制在设置相反方向的第一对伤口对称地相对于所述励磁线圈17的轴向方向从第二线圈部12制成的线圈部11，（ii）第一容器13设置在第一线圈部11的内周侧，用于对所述第二线圈部12的内周侧含有液体样品16 布置在第二容器14中，（iii）第一容器13和第二容器14，该材料是相同的和横截面形状是相同的，（d）测量部分90，从励磁线圈17产生和测量液体样品16的基础上在高频磁场信号电压产生的感应电压和检测线圈的15之间的相位差的盐度。点域5

15. 发明专利

JP2015184852A 真性複素透磁率の推定方法审中-公开
标题翻译：估计内在复合磁性渗透性的方法
公开(公告)号：JP2015184852A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：JP2014059534
申请日：2014-03-24
申请人：国立大学法人信州大学
发明人：佐藤敏郎 , 曽根原誠
IPC分类号： G01R33/12 , G06F17/50
摘要：【課題】解析対象物の真性複素透磁率を正確に推定する方法を提供する。【解決手段】解析対象物の複素透磁率を実測する装置の測定系をモデル化し12、モデル化した解析モデルに、解析対象物の複素透磁率の初期値として、解析対象物を実測して得られた複素透磁率を入力し14、解析対象物の複素透磁率を解析により求め16、解析ソフトウェアに入力した複素透磁率と、解析により求めた複素透磁率が誤差範囲αにあるか否かを判断し18、複素透磁率の入力値を修正して18、20得られた解析結果の複素透磁率を、解析対象物の真性複素透磁率とする22。【効果】真性複素透磁率を正確に推定することにより、電磁界解析ソフトウェアを用いる高周波デバイス等の解析をより高精度に行うことができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于精确估计分析对象的固有复数磁导率的方法。解决方案：用于估计固有复数磁导率的方法包括：对实际测量复磁导率的装置的测量系统进行建模的分析对象（12）; 在模拟分析模型中输入通过将分析对象实际测量作为分析对象（14）的复磁导率的初始值获得的复磁导率; 通过分析（16）获得分析对象的复磁导率; 确定分析软件中的复磁导率输入与通过分析获得的复磁导率之间的差是否在α的误差范围内; 对所述复磁导率（18）的输入值进行校正，将所获得的分析结果（20）的复磁导率设定为所述分析对象物（22）的固有复磁导率。通过精确地估计固有的复磁导率，可以高精度地执行根据电磁场分析软件的高频装置等的分析。

16. 发明专利

JP6978040B2 SiO2含有被膜を備えたSi含有Fe基合金粉及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6978040B2
公开(公告)日：2021-12-08
申请号：JP2017151599
申请日：2017-08-04
申请人：国立大学法人信州大学
发明人：佐藤敏郎 , 曽根原誠 , 杉村佳奈子 , 藪直希
IPC分类号： H01F1/153 , H01F1/26 , H01F3/08 , B22F1/00 , C22C38/00 , C22C45/02 , H01F1/33

17. 发明专利

JP2021177503A 接合構造、チップ、基板、導電性フィラー含有ペースト及び接合構造の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021177503A
公开(公告)日：2021-11-11
申请号：JP2020081743
申请日：2020-05-07
申请人：国立大学法人信州大学 , コネクテックジャパン株式会社
发明人：曽根原誠 , 下石坂望 , 菱田晃右 , 佐藤敏郎
IPC分类号： H01L21/60
摘要：【課題】高周波領域で使用できる新たな接合構造を提供する。【解決手段】接合構造1は、表面実装用のチップ2に設けられた電極であるパッド4と、チップ2の実装される基板3に設けられた電極であるランド5との接合構造であって、導電性フィラー7をバインダ8に含む導電性フィラー含有層6が、対向するパッド4とランド5との間に配されていて、パッド4とランド5とが導電性フィラー7の接触によって導通しないように、パッド4に絶縁膜11が形成され、ランド5に絶縁膜12が形成されているものである。【選択図】図2

18. 发明专利

JP2021025794A 干渉型光磁界センサ装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021025794A
公开(公告)日：2021-02-22
申请号：JP2019141404
申请日：2019-07-31
申请人：シチズンファインデバイス株式会社 , シチズン時計株式会社 , 国立大学法人信州大学
发明人：宮本光教 , 久保利哉 , 佐藤敏郎 , 曽根原誠
IPC分类号： G01R15/24 , G01R33/032
摘要：【課題】測定値が被測定導体との距離に依存しない干渉型光磁界センサ装置を提供する。【解決手段】この装置は、第1直線偏波光を出射する発光部と、第1直線偏波光に応じて第1、第2直線偏光を、第3、第4直線偏光に応じて第2直線偏波光を出射する第1光学素子と、被測定導体を間に挟んで磁界内に配置でき、第1直線偏光が入射され第3直線偏光を出射し、第2直線偏光が入射され第4直線偏光を出射し、透過光の位相を磁界に応じて変化させ、相対位置が固定された1対の磁界センサ素子と、第1、第4直線偏光を伝搬する第1光路及び第2、第3直線偏光を伝搬する第2光路を有し、第1光学素子及び磁界センサ素子に接続された光路部と、第2直線偏波光の2成分を受光して電気信号に変換することで、磁界に応じた検出信号を出力する検出信号発生部と、第1直線偏波光を第1光学素子へ透過させ、第2直線偏波光を検出信号発生部へ分岐する光分岐部とを有する。【選択図】図1

19. 发明专利

JP2020165927A 磁界センサ素子及び磁界センサ装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020165927A
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：JP2019069195
申请日：2019-03-29
申请人：シチズンファインデバイス株式会社 , シチズン時計株式会社 , 国立大学法人信州大学
发明人：久保利哉 , 宮本光教 , 佐藤敏郎 , 曽根原誠 , 藤城佑太
IPC分类号： G01R33/032
摘要：【課題】精度高く製造可能な磁界センサ素子を提供する。【解決手段】磁界センサ素子30は、入射光として導入される直線偏波光を、第1遅相軸に沿って伝搬される第1直線偏波と、第1進相軸に沿って第1直線偏波の伝搬速度より速く伝搬される第2直線偏波とに分離して伝搬する偏波保持ファイバ31と、長手方向に延伸する第2遅相軸及び長手方向に直交する短手方向に延伸する第2進相軸を含む平板状の形状を有し、第1遅相軸及び第1進相軸が第2遅相軸及び第2進相軸に対してそれぞれ45度傾くように偏波保持ファイバ31と接続され、偏波保持ファイバから入射された直線偏波光を円偏波光に変換する1/4波長板32と、1/4波長板32に積層され、1/4波長板32から出射された円偏波光の位相を、印加される磁界に応じて変化させる磁性膜33と、磁性膜に重畳して積層され、且つ、入射光に応じた戻り光を発生させる反射膜34とを有する。【選択図】図2

20. 发明专利

JP2020161645A 電子部品审中-公开
公开(公告)号：JP2020161645A
公开(公告)日：2020-10-01
申请号：JP2019059516
申请日：2019-03-26
申请人：国立大学法人信州大学
发明人：佐藤敏郎 , 曽根原誠 , 秋山知輝
IPC分类号： H01F30/10 , H01F27/255 , H05K1/16 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01F17/00
摘要：【課題】小型化でき、かつ、大きなQ値を有し得るインダクタ素子を備える電子部品を提供する。【解決手段】本発明の電子部品であるインターポーザ1は、パターン配線2 1 ,2 2 で形成された巻線を有する巻線層4 1 ,4 2 と、巻線層4 1 ,4 2 に積層された磁性層5 1 ,5 2 ,5 3 とを備えるものであって、巻線層4 1 ,4 2 は、パターン配線2 1 間及びパターン配線2 2 間が第1の絶縁材31で充填されて層状に構成されていると共に、第1の絶縁材31中に球体状の磁性微粒子21が分散されているものであり、磁性層5 1 ,5 2 ,5 3 は、層状に形成された第2の絶縁材32中に扁平状の磁性微粒子22が分散されていると共に、扁平状の磁性微粒子22の面が磁性層5 1 ,5 2 ,5 3 の面と平行になる向きで配置されているものである。【選択図】図3

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