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11. 发明专利

JP5916651B2 電力用半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5916651B2
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：JP2013056255
申请日：2013-03-19
申请人：三菱電機株式会社
发明人：米田裕 , 藤野純司 , 茂永隆
IPC分类号： H01L21/607 , H01L23/48

12. 发明专利

JP2015144169A 半導体モジュール有权
标题翻译：半导体模块
公开(公告)号：JP2015144169A
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：JP2014016571
申请日：2014-01-31
申请人：三菱電機株式会社
发明人：坂元創一 , 藤野純司 , 米田裕 , 柳本辰則
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/34 , H01L2224/37011 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091
摘要：【課題】半導体素子の表面に形成されたトランジスタ及び半導体素子自体の破壊を防止し、かつ大電流に対応可能で信頼性の高い良好な接合部を設けた半導体モジュールを提供する。【解決手段】両面に導電パターン5a,5bが形成された絶縁基板と、絶縁基板に接合され、対向する面に表面電極1が形成された半導体素子10と、表面電極1よりも硬度が低くかつ第1の電気伝導率を有する第1導電層3bと第1の電気伝導率よりも大きい第2の電気伝導率を有する第2導電層3aとが接合された二層構造導電端子3と、絶縁基板と半導体素子10と二層構造導電端子3を封止する樹脂部材と、を備えている半導体モジュール。二層構造導電端子3は第1導電層3bを表面電極1と対向させて半導体素子10に接合されており、二層構造導電端子3と半導体素子10との接合部に設けられた第2導電層3aの開口部3oに表面電極1と第1導電層3bとの接合面3jが形成されている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种具有良好接合部分的半导体模块，其防止形成在半导体元件和半导体元件的表面上的晶体管的破坏，处理大电流，并且实现高可靠性。解决方案：半导体模块包括：在两个表面上形成导电图案5a，5b的绝缘基板; 连接到绝缘基板的半导体元件10，在与连接到绝缘基板的表面相对的表面上形成表面电极1的半导体元件10; 通过将具有低于表面电极1的硬度低于第一导电性的第一导电层3b与具有大于第一导电率的第二导电率的第二导电层3a接合形成的双层结构导电端子3; 以及密封绝缘基板，半导体元件10和双层结构导电端子3的树脂部件。双层结构导电端子3与第一导电层3b相对的表面电极接合到半导体元件10 表面电极1和第一导电层3b之间的接合表面3j形成在第二导电层3a的开口部分3o处，第二导电层3a设置在两层结构导电端子3和半导体元件之间的接合部分 10。

13. 发明专利

JP5734216B2 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5734216B2
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：JP2012019426
申请日：2012-02-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：熊田翔 , 木村享 , 米田裕
IPC分类号： H01L21/60 , H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/48 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L23/48 , H01L21/56
CPC分类号： H01L24/40 , H01L24/36 , H01L2224/40137 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181

14. 发明专利

JPWO2021024453A1 光センサモジュール有权
公开(公告)号：JPWO2021024453A1
公开(公告)日：2021-09-13
申请号：JP2019031373
申请日：2019-08-08
申请人：三菱電機株式会社
发明人：米田裕
IPC分类号： H01L31/0232
摘要：表面に電極パターンが形成された基板(20)と、電極パターンに電気接続されるとともに、基板(20)に固定された、光を検出する光検出素子(10)と、レンズ(90)が固定され、光検出素子(10)を取り囲む位置で基板(20)に接着剤で接着されたレンズ保持部材(80)と、を備えた光センサモジュールであって、基板(20)に接着されるレンズ保持部材(80)の底面(84)は分散配置された突起(82)を有し、突起(82)の先端が基板(20)と接している。

15. 发明专利

JPWO2020105162A1 センサモジュール审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020105162A1
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：JP2018043133
申请日：2018-11-22
申请人：三菱電機株式会社
发明人：米田裕
IPC分类号： H01L27/146
摘要：基板(1)の上面にセンサチップ(5)が設けられている。センサチップ(5)の受光部が投影面積内に入るようにレンズ(7)がセンサチップ(5)の上方に設けられている。レンズキャップ(8)は、センサチップ(5)を取り囲んでレンズ(7)を保持するキャップ本体(8a)と、キャップ本体(8a)の下端部から外側に張り出したキャップ縁部(8b)とを有する。紫外線硬化型の接着剤(9)が基板(1)の上面とレンズキャップ(8)の下面とを接着する。キャップ縁部(8b)の外側面に切り欠き(10)が設けられている。切り欠き(10)に接着剤(9)が入り込んでいる。

16. 发明专利

JP6811891B1 光センサモジュール有权
公开(公告)号：JP6811891B1
公开(公告)日：2021-01-13
申请号：JP2020500672
申请日：2019-08-08
申请人：三菱電機株式会社
发明人：米田裕
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0232
摘要：表面に電極パターンが形成された基板(20)と、電極パターンに電気接続されるとともに、基板(20)に固定された、光を検出する光検出素子(10)と、レンズ(90)が固定され、光検出素子(10)を取り囲む位置で基板(20)に接着剤で接着されたレンズ保持部材(80)と、を備えた光センサモジュールであって、基板(20)に接着されるレンズ保持部材(80)の底面(84)は分散配置された突起(82)を有し、突起(82)の先端が基板(20)と接している。

17. 发明专利

JPWO2019176912A1 半導体モジュールおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019176912A1
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：JP2019009904
申请日：2019-03-12
申请人：三菱電機株式会社
发明人：米田裕 , 藤野純司 , 畑端佳 , 佐藤甚
IPC分类号： H01S5/022
摘要：表面と、裏面と、表面と裏面とをつなぐ側面とを備えたサブマウントと、サブマウントの表面上にはんだ接合された半導体素子と、サブマウントの裏面上にはんだ接合されたブロックとを含み、半導体素子は、サブマウントの第1側面より外方に突出し、サブマウントの第1側面と直交する第2側面および第3側面に、それぞれサブマウントの表面から裏面方向に向かって凹部が形成され、凹部は、サブマウントの表面をコレットで吸着した状態で、コレットの凸部が凹部に固定されるように配置される。

18. 发明专利

JP2019133965A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019133965A
公开(公告)日：2019-08-08
申请号：JP2016227966
申请日：2016-11-24
申请人：三菱電機株式会社
发明人：米田裕 , 菊池正雄
IPC分类号： H01L25/18 , H01L25/07
摘要：【課題】絶縁基板における導体パターンに対し電極端子を硬ろう付けした半導体装置において、従来に比べてより高い、電極端子と導体パターンとの接合信頼性を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基材51の両面に導体パターン52a,52bを有する絶縁基板5と、一方の導体パターンに実装された半導体素子1と、一方の導体パターンに対して硬ろう材10を介して接合した電極端子3と、を備えた半導体装置において、電極端子は、一方の導体パターンにおける単位面積当たりの熱容量よりも大きい単位面積当たりの熱容量を有する。【選択図】図1A

19. 发明专利

JP6033011B2 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造半导体器件的方法和用于功率的功率半导体器件
公开(公告)号：JP6033011B2
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：JP2012200237
申请日：2012-09-12
申请人：三菱電機株式会社
发明人：米田裕 , 藤野純司 , 林建一 , 茂永隆 , 坂東裕次
IPC分类号： H01L21/60 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/607
CPC分类号： H01L24/33 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/351

20. 发明专利

JP6910537B2 半導体モジュールおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6910537B2
公开(公告)日：2021-07-28
申请号：JP2020506541
申请日：2019-03-12
申请人：三菱電機株式会社
发明人：米田裕 , 藤野純司 , 畑端佳 , 佐藤甚
IPC分类号： H01S5/023

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