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11. 发明专利

JPWO2017033315A1 半導体素子审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017033315A1
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：JP2017536136
申请日：2015-08-26
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小西和也 , 深田祐介 , 上馬場龍 , 梅山真理子 , 楢崎敦司 , 多留谷政良
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/04 , H01L29/739 , H01L29/78
摘要：半導体基板と、該半導体基板の上に形成されたエミッタ電極と、該半導体基板の上に形成されたゲート電極と、該半導体基板の上に形成された第1導電型のソース層と、該半導体基板の上に形成された第2導電型のベース層と、該半導体基板の下に形成されたコレクタ電極と、該半導体基板の上面側に形成された、該ゲート電極と接続された複数のアクティブトレンチゲートと、該半導体基板の上面側に形成され、該ゲート電極に接続されていない複数のダミートレンチゲートと、を備える。該アクティブトレンチゲートが3つ以上並ぶ第1構造と、該ダミートレンチゲートが3つ以上並ぶ第2構造が、交互に設けられている。

12. 发明专利

JP2018046139A 半導体装置、および、半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018046139A
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：JP2016179367
申请日：2016-09-14
申请人：三菱電機株式会社
发明人：香川泰宏 , 楢崎敦司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/06
摘要：【課題】本願明細書に開示される技術は、トレンチゲート型の炭化珪素半導体装置の製造する際の、工程数を減少させることができる技術に関するものである。【解決手段】本技術に関する半導体装置は、第1のトレンチ(80)と、第2のトレンチ(50a)と、複数の第3のトレンチ(50b)と、第2の導電型の第1の保護拡散層(83)と、第2の導電型の第2の保護拡散層(70)と、それぞれの第3のトレンチ(50b)の下部に形成される、第2の導電型の第3の保護拡散層(71)とを備え、それぞれの第3のトレンチ(50b)は、セル領域から離れるにつれて浅く形成され、それぞれの第3の保護拡散層(71)の下面は、セル領域から離れるにつれて浅くなる。【選択図】図2

13. 发明专利

JP2015076437A 半導体装置およびその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015076437A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：JP2013210167
申请日：2013-10-07
申请人：三菱電機株式会社
发明人：田口健介 , 高橋徹雄 , 藤井亮一 , 鈴木裕一郎 , 楢崎敦司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/417 , H01L29/41 , H01L29/06
摘要：【課題】装置サイズを大きくすることなく、耐圧性能を向上させた半導体装置及びその製造方法を得る。【解決手段】終端領域32に形成される環状のP型不純物領域2は、平面視してIGBT31の外周部を囲んで形成され、直線部R10とコーナー部R11とを有する。直線部R10は直線部不純物領域2sを含んでおり、コーナー部R11はコーナー部不純物領域2cを含んでおり、濃度緩和領域14は直線部不純物領域2s及びコーナー部不純物領域2c間に形成される。そして、P型の不純物濃度の高さは、高い方から直線部不純物領域2s、濃度緩和領域14、コーナー部不純物領域2c順に高低差をつけて設定される。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：为了获得具有改善的耐压性能而不增加装置尺寸的半导体器件; 并获得半导体器件的制造方法。解决方案：半导体器件包括环形P型杂质区2，其形成在终端区32中，以便在平面图中围绕IGBT 31的外周部分，并且具有直线部分R10和拐角部分R11。直线部分R10包括线性部分杂质区域2s，角部分R11包括角部杂质区域2c。半导体器件包括形成在线性部分杂质区域2s和角部杂质区域2c之间的浓度降低区域14。按照通过提供浓度差来降低杂质浓度的顺序，对于线性部分杂质区域2s，浓度降低区域14和角部杂质区域2c，依次设置P型杂质浓度。

14. 发明专利

JP6806213B2 半導体素子有权
公开(公告)号：JP6806213B2
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：JP2019181852
申请日：2019-10-02
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小西和也 , 深田祐介 , 上馬場龍 , 梅山真理子 , 楢崎敦司 , 多留谷政良
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/12 , H01L29/739

15. 发明专利

JP6702467B2 半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6702467B2
公开(公告)日：2020-06-03
申请号：JP2019031862
申请日：2019-02-25
申请人：三菱電機株式会社
发明人：鈴木健司 , 楢崎敦司 , 上馬場龍 , 深田祐介 , 中村勝光
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739

16. 发明专利

JP6566812B2 炭化珪素半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6566812B2
公开(公告)日：2019-08-28
申请号：JP2015188488
申请日：2015-09-25
申请人：三菱電機株式会社
发明人：中西洋介 , 岡部博明 , 楢崎敦司 , 鹿口直斗 , 香川泰宏 , 田口健介 , 須賀原和之
IPC分类号： H01L29/41 , H01L29/872 , H01L21/329 , H01L21/268 , H01L21/28

17. 发明专利

JP6226786B2 半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6226786B2
公开(公告)日：2017-11-08
申请号：JP2014055805
申请日：2014-03-19
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小西和也 , 深田祐介 , 楢崎敦司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L21/26533 , H01L21/761 , H01L21/76224 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/4916 , H01L29/66348 , H01L29/66734 , H01L29/7813

18. 发明专利

JP6743026B2 半導体素子有权
公开(公告)号：JP6743026B2
公开(公告)日：2020-08-19
申请号：JP2017536136
申请日：2015-08-26
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小西和也 , 深田祐介 , 上馬場龍 , 梅山真理子 , 楢崎敦司 , 多留谷政良
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739

19. 发明专利

JP2020077721A 炭化珪素半導体装置および電力変換装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020077721A
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：JP2018209347
申请日：2018-11-07
申请人：三菱電機株式会社
发明人：石橋和也 , 楢崎敦司 , 香川泰宏 , 田口健介
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/78
摘要：【課題】炭化珪素結晶の積層欠陥に起因しての装置性能の劣化を抑制することができる半導体装置を提供する。【解決手段】ドリフト層21は第1の導電型を有している。ウェル領域22は第2の導電型を有している。ソース領域23はウェル領域22上に設けられており第1の導電型を有している。ウェルコンタクト領域24は、ウェル領域22に接しており、第2の導電型を有しており、ウェル領域22の第2の面での不純物濃度に比して高い第2の面での不純物濃度を有している。ゲート電極42はゲート絶縁膜41上に設けられている。ショットキー電極51はドリフト層21に接している。ソースオーミック電極52はソース領域23に接している。抵抗体53は、ウェルコンタクト領域24に接しており、ソースオーミック電極52に比して高い単位面積当たりの抵抗を有している。【選択図】図1

20. 发明专利

JP6146097B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6146097B2
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：JP2013078779
申请日：2013-04-04
申请人：三菱電機株式会社
发明人：鈴木裕一郎 , 田口健介 , 楢崎敦司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/868 , H01L29/861 , H01L29/41 , H01L29/06

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