专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

111. 发明专利

JP2006313324A Photosensitive thick-film dielectric paste composition and method for making insulating layer using same 审中-公开
标题翻译：感光性薄膜电介质组合物及使用其制造绝缘层的方法
公开(公告)号：JP2006313324A
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：JP2006102207
申请日：2006-04-03
申请人： E I Du Pont De Nemours & Co , イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company
发明人： MUTO TSUTOMU
IPC分类号： G03F7/004 , C03C8/10 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01J11/02
CPC分类号： C03C3/064 , C03C3/062 , C03C3/07 , C03C3/072 , C03C8/04 , C03C8/10 , G03F7/0007 , G03F7/0047
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive thick-film dielectric paste composition that is aqueous-developable upon exposure to actinic radiation. SOLUTION: The photosensitive thick-film dielectric paste composition includes a glass frit having a glass softening point 0° to 40°C lower than a firing temperature ranging above 450°C and up to 600°C; an organic polymer binder; a photoinitiator; a photocurable monomer; and an organic solvent, wherein the composition is aqueous-developable upon exposure to actinic radiation. A method for forming an insulating layer using the the composition is also provided. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在曝露于光化辐射下是可显影的感光性厚膜电介质浆料组合物。光敏性厚膜电介质糊剂组合物包括玻璃软化点低于450℃以上至高达600℃的烧成温度的玻璃软化点为0〜40℃的玻璃料; 有机聚合物粘合剂; 光引发剂; 光固化单体; 和有机溶剂，其中所述组合物在暴露于光化辐射下是水性可显影的。还提供了使用该组合物形成绝缘层的方法。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

112. 发明专利

JP2006295197A Conductive thick-film composition and electrode and solar cell formed therefrom 审中-公开
标题翻译：导电厚膜组合物和电极及其形成的太阳能电池
公开(公告)号：JP2006295197A
公开(公告)日：2006-10-26
申请号：JP2006112245
申请日：2006-04-14
申请人： E I Du Pont De Nemours & Co , イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company
发明人： KONNO TAKUYA
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： C03C14/006 , C03C8/10 , C03C8/18 , C03C2214/08 , C03C2214/16 , H01B1/22 , H01L31/022408 , H01L31/022425 , H05K1/092 , Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thick-film conductive composition capable of forming an electrode having a sufficient strength of adhesion while suppressing the occurrence of cracks. SOLUTION: A thick-film conductive composition including (a) metal particles selected from Cu, Au, Ag, Pd, and Pt, their alloys, and their mixture, (b) glass particles, and (c) an organic vehicle, wherein the components (a) and (b) are dispersed in the component (c) and the average particle size of the metal particles is in a range of 3.0 to 15.0 μm. This composition can be used for formation of an electrode to connect the backside terminal on the silicon substrate of a solar cell. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供能够形成具有足够的粘合强度的电极的厚膜导电组合物，同时抑制裂纹的发生。解决方案：一种厚膜导电组合物，其包含（a）选自Cu，Au，Ag，Pd和Pt的金属颗粒，它们的合金及其混合物，（b）玻璃颗粒和（c）有机载体其中组分（a）和（b）分散在组分（c）中，并且金属颗粒的平均粒度在3.0至15.0μm的范围内。该组合物可以用于形成用于连接太阳能电池的硅衬底上的背面端子的电极。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

113. 发明专利

JP2006278071A Paste composition, electrode, and solar battery element equipped with the same 审中-公开
标题翻译：电镀组合物，电极和太阳能电池元件配备
公开(公告)号：JP2006278071A
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：JP2005093339
申请日：2005-03-29
申请人： Toyo Aluminium Kk , 東洋アルミニウム株式会社
发明人： KIKUCHI TAKESHI , NAKAHARA JUN , WATSUJI TAKASHI , RAI TAKASHIO , YOKOE KAZUHIKO
IPC分类号： H01B1/22 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L31/04
CPC分类号： H01B1/22 , C03C8/04 , C03C8/10 , C03C8/18 , C03C14/002 , C03C14/006 , C03C2214/06 , C03C2214/08 , C03C2214/16 , H01L31/022425 , Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a paste composition not deteriorating mechanical strength nor adhesiveness of electrodes even if a silicon semiconductor board is made thinner, capable of substantially attaining a desired BSF effect, and capable of restraining deformation (warping) of the silicon semiconductor board after baking, as well as an electrode formed with the use of the composition and a solar battery element equipped with the electrode. SOLUTION: The paste composition, for forming an electrode on the silicon semiconductor board 1, includes aluminum powder, an organic vehicle, and whisker insoluble or hardly soluble to the organic vehicle, the whisker mixed beforehand with the aluminum powder and the organic vehicle. The solar battery element is provided with the electrode 5 formed by coating the paste composition of the above characteristics on the silicon semiconductor board 1 and baking it. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供即使将硅半导体板制成较薄的机械强度也不会劣化电极的粘合剂，能够基本上获得所需的BSF效应，并能够抑制（例如，硅半导体板，以及使用该组合物形成的电极和配备有电极的太阳能电池元件。＆lt; P＆gt;解决方案：用于在硅半导体基板1上形成电极的糊料组合物包括铝粉末，有机载体和不溶于或几乎不溶于有机载体的晶须，预先与铝粉末和有机物混合的晶须车辆。太阳能电池元件设置有通过在硅半导体板1上涂覆上述特性的糊剂组合物而形成的电极5并进行烘烤。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

114. 发明专利

JP2005336018A Low melting point glass and its production method 审中-公开
标题翻译：低熔点玻璃及其生产方法
公开(公告)号：JP2005336018A
公开(公告)日：2005-12-08
申请号：JP2004158654
申请日：2004-05-28
申请人： Central Glass Co Ltd , セントラル硝子株式会社
发明人： YANO TAICHI
IPC分类号： C03C8/10 , C03C8/24
CPC分类号： C03C8/245 , C03C8/10
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide low melting point glass which is free from yellowing by silver reaction, has high visible light transmittance, and is useful for developing an electronic material substrate represented by a plasma display panel.
SOLUTION: The transparent insulative low melting glass is characterized by having a glass composition comprising, by weight, 10-27% SiO
2 , 0.5-7% B
2 O
3 , 50-70% PbO and 1-15% ZnO, and as essential components, 0.01-1% CuO and 0.01-1% MnO
2 , and being pulverized in a wet pulverization process using ion exchange water. Further, the low melting point glass is characterized in that the whole light visible light transmittance is ≥80% when the thickness is 30 mm, the linear visible light transmittance is ≥60%, and the value of b
* on a silver electrode substrate is ≤7.0 after being fired at 500-600°C.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：为了提供通过银反应没有变黄的低熔点玻璃，具有高可见光透射率，并且可用于显影由等离子体显示面板表示的电子材料基板。解决方案：透明绝缘低熔点玻璃的特征在于具有玻璃组合物，该玻璃组合物按重量计包含10-27％的SiO 2 SB 2，0.5-7％的B SB 2， 50-70％PbO和1-15％ZnO，作为必要组分，0.01-1％的CuO和0.01-1％的MnO 2 SBB，并被粉碎在使用离子交换水的湿法粉碎过程中。此外，低熔点玻璃的特征在于，当厚度为30mm，线性可见光透射率≥60％时，整个可见光透射率为≥80％，b * 在500-600℃下焙烧时，银电极基材的含量≤7.0。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

115. 发明专利

JP2005317247A Dielectric structure of plasma display panel 审中-公开
标题翻译：等离子显示面板的电介质结构
公开(公告)号：JP2005317247A
公开(公告)日：2005-11-10
申请号：JP2004131150
申请日：2004-04-27
申请人： Nippon Electric Glass Co Ltd , 日本電気硝子株式会社
发明人： HATANO KAZUO , SHIBATA SHOJI
IPC分类号： C03C8/04 , C03C8/10 , C03C8/12 , H01J9/02 , H01J11/22 , H01J11/34 , H01J11/38 , H01J11/02
CPC分类号： C03C3/072 , C03C3/064 , C03C3/066 , C03C3/074 , C03C3/0745 , C03C8/04 , C03C8/10 , C03C8/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dielectric structure of a plasma display panel capable of obtaining a dielectric layer having excellent transparency and a high withstand voltage, wherein yellowing is hardly caused by reaction with a silver electrode.
SOLUTION: This dielectric structure of a plasma display panel includes a lower dielectric layer covering an electrode, and an upper dielectric layer formed on the lower dielectric layer, and is characterized by that the lower dielectric layer and the upper dielectric layer are formed of glass; and the upper dielectric layer is formed of glass having a softening point in the range of 545-600°C.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：解决的问题：为了提供能够获得具有优异透明度和高耐压性的电介质层的等离子体显示面板的电介质结构，其中由于与银电极的反应几乎不引起黄化。解决方案：等离子体显示面板的电介质结构包括覆盖电极的下介电层和形成在下电介质层上的上电介质层，其特征在于形成下电介质层和上电介质层的玻璃并且上电介质层由软化点在545-600℃范围内的玻璃形成。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

116. 发明专利

JP2004359479A Low melting glass 审中-公开
公开(公告)号：JP2004359479A
公开(公告)日：2004-12-24
申请号：JP2003157553
申请日：2003-06-03
申请人： Central Glass Co Ltd , セントラル硝子株式会社
发明人： YANO TAICHI
IPC分类号： C03C3/074 , C03C8/10 , C03C8/24 , H01J11/22 , H01J11/34 , H01J11/38
CPC分类号： C03C8/24 , C03C3/074 , C03C8/10
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low melting glass which is free from the occurrence of yellowing caused by silver reaction and has high transmittance to visible light.
SOLUTION: The low melting glass is transparent and insulative, and contains, by weight, 1-7% SiO
2 , 20-40% B
2 O
3 , 16-34% PbO, 13-26% ZnO, 21-35% BaO, and 0.05-1% CuO as essential components, wherein the total amount of SiO
2 and B
2 O
3 is 22-42%, the total amount of ZnO and PbO is 32-56%, and the total amount of SiO
2 , B
2 O
3 , ZnO and PbO is 65-90%. Further, the low melting glass is characterized in that the total amount of B
2 O
3 and ZnO is 35-59 wt.%, B
2 O
3 /ZnO is 1-2, the softening point is 540-600°C, the coefficient of thermal expansion in the temperature range of 15-300°C is (65-85)×10
-7 /°C, and the transmittance to visible light is ≥80% when the thickness is 30 μm.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

117. 发明专利

JP2004327235A Front plate for plasma display 审中-公开
公开(公告)号：JP2004327235A
公开(公告)日：2004-11-18
申请号：JP2003120292
申请日：2003-04-24
申请人： Central Glass Co Ltd , セントラル硝子株式会社
发明人： YANO TAICHI
IPC分类号： C03C17/36 , C03C8/10 , C03C8/24 , H01J11/22 , H01J11/24 , H01J11/34 , H01J11/38 , H01J11/02
CPC分类号： C03C8/24 , C03C8/10
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a front plate for plasma display free from yellowing and with high transmittance characteristics.
SOLUTION: In this front plate for plasma display, low melting point glass with visible light transmittance of 80% or more at 30μm thickness is used for a transparent dielectric layer of the front plate for plasma display. The low melting point glass used for the transparent dielectric layer contains by wt.% 1-7 of SiO
2 , 15-36 of B
2 O
3 , 0-2 of Al
2 O
3 , 18-45 of PbO, 13-26 of ZnO, 6-25 of BaO, 0.05-1 of CuO, 0.05-1 of MnO
2 , 0-5 of at least one or more kinds of alkaline earth elements selected from CaO, MgO, and SrO, 22-40 of SiO
2 +B
2 O
3 and 39-60 of ZnO+PbO.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

118. 发明专利

JP2018502417A フィードスルー审中-公开
公开(公告)号：JP2018502417A
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2017525589
申请日：2015-10-29
申请人：ショットアクチエンゲゼルシャフト , Schott AG
发明人：ヘルムートハートル
IPC分类号： H01M2/08 , C03C10/02 , H01G9/10 , H01G11/74 , H01G11/78 , H01M2/02 , H01M2/04 , H01M2/06 , H01M2/20 , H01M2/30
CPC分类号： H01M2/065 , C03C3/145 , C03C3/19 , C03C8/08 , C03C8/10 , C03C8/24 , C03C10/0054 , C03C2204/00 , C03C2207/08 , C03C2207/10 , H01G2/103 , H01G9/10 , H01M10/052
摘要：殊に金属からなる、バッテリー又はキャパシタの、ハウジングのハウジング部材(3)を貫通するフィードスルー(1)であって、このハウジング部材(3)は、少なくとも1つの開口部を備え、この開口部をガラス材料又はガラスセラミック材料(200)中で少なくとも1つの導体(20)が貫通するように案内され、かつ、ここで、導体(20)は軸方向で少なくとも2つの部分、つまり第1の材料、例えばアルミニウムからなる第1の部分(100.1)、及び第2の材料、例えば銅からなる第2の部分(100.2)、並びに第1の材料から第2の材料への移行部(110)を備え、かつ、ここで、第1の材料から第2の材料への移行部(110)は、ガラス材料又はガラスセラミック材料(200)の領域内にあり、ここで、ガラス材料又はガラスセラミック材料は、圧縮ガラス封止が生じるようにハウジングの金属に合わせられている。

119. 发明专利

JP6175392B2 太陽電池素子表面電極用導電性ペースト及び太陽電池素子の製造方法有权
公开(公告)号：JP6175392B2
公开(公告)日：2017-08-02
申请号：JP2014058122
申请日：2014-03-20
申请人：昭栄化学工業株式会社 , 京セラ株式会社
发明人：秋本裕二 , 金作整 , 西村浩輔 , 三浦好雄
IPC分类号： H01B1/22 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425 , C03C3/122 , C03C3/142 , C03C8/02 , C03C8/10 , C03C8/12 , C03C8/18 , C03C8/22 , C09D5/24 , H01B1/16 , H01B1/22 , H01L31/02168 , H01L31/1804 , H01L31/186 , Y02E10/50

120. 发明专利

JP2017514313A 導電性ペースト、電極及び太陽電池审中-公开
公开(公告)号：JP2017514313A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：JP2016564571
申请日：2015-04-27
申请人：ジョンソン、マッセイ、パブリック、リミテッド、カンパニーJohnson Matthey Public Limited Company , ジョンソン、マッセイ、パブリック、リミテッド、カンパニーJohnson Matthey Public Limited Company
发明人：ジョナサンチャールズシェプレーブース， , ジョナサンチャールズシェプレーブース， , トビアスドロステ， , トビアスドロステ， , グレーベン，ベアトリスセラ , グレーベン，ベアトリスセラ , ニコラスノーワーク， , ニコラスノーワーク，
IPC分类号： H01L31/0224 , H01B1/22
CPC分类号： C03C8/18 , C03C8/10 , C03C8/16 , C09D5/24 , H01B1/16 , H01L31/022425 , Y02E10/50
摘要：本発明は、太陽電池での使用に適切な導電性ペースト、太陽電池の受光面電極を製造する方法、及び太陽電池の受光面に関する。ペーストは、鉛、テルル、ビスマス、並びに合計で少なくとも0.5重量%の、WO3、MoO3、CeO2及びBaOを含む混合酸化物(例えば、ガラスフリット)を含む。【選択図】なし

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式