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2. 发明专利

JP2016082131A 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビームを用いた描画方法、および荷電粒子ビーム描画でのショット補正方法审中-公开
标题翻译：充电颗粒光束光刻装置，使用充电颗粒光束的光刻方法，以及带电粒子束光刻的发光校正方法
公开(公告)号：JP2016082131A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：JP2014213726
申请日：2014-10-20
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：本杉知生
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01J37/3174 , H01J37/3045 , H01J2237/30433 , H01J2237/30455 , H01J2237/31776 , H01J2237/31796
摘要：【課題】被パターニング部材上にレジスト層が形成された試料におけるレジスト層に荷電粒子ビームで微細パターンの潜像を描画するにあたって、当該潜像を被パターニング部材に転写することで当該被パターニング部材に形成される微細パターンでのXY寸法変動量を被パターニング部材の全面に亘って低減させることが容易な荷電粒子ビーム描画装置を提供する。【解決手段】潜像を描画すべき試料に対応した層構成を有するテストサンプルに、所定の条件下に多数の寸法測定用パターンを形成したときにおけるXY寸法変動量の面内分布データから得られるショット断面サイズおよびショット照射位置それぞれの補正情報と、前記微細パターンの設計データとを用いて、前記レジスト層に照射すべき各ショットのショットデータを作成するショットデータ作成処理装置32を設ける。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种带电粒子束光刻装置，其能够通过转印潜像来容易地将待形成图案的构件的XY尺寸变化量减小到要构图的构件的整个表面上在被图案化部件上形成抗蚀剂层的试样的抗蚀剂层中，使用带电粒子束将潜像的图案图案化的图案的图案化。解决方案：拍摄数据生成处理装置32 提供用于创建用于照射抗蚀剂层的拍摄数据，同时使用从数字上的XY尺寸变化量的平面内分布数据获得的拍摄截面尺寸和拍摄照射位置的校正信息尺寸测量图案在预定条件下形成在具有对应于潜在的样本的层构造的测试样品上应绘制图像，精细图案的设计数据。选择图：图1

3. 发明专利

JP2009510781A Placement effect correction in a raster pattern generator 审中-公开
公开(公告)号：JP2009510781A
公开(公告)日：2009-03-12
申请号：JP2008533464
申请日：2006-09-25
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated
发明人：ベンジャミンブラー， , リチャード，エル．ロゼス，
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174 , H01J2237/31769 , H01J2237/31796 , Y10S430/143
摘要：フラッシュ生成方法。該方法は、レジスト帯電に対する変位ベクトルを算出するステップを含んでいる。該変位ベクトルはδ
c = dP(R)Kとして定義されており、ここでδ
c は該変位ベクトルを表しており、ｄは用量補正乗数を表しており、Ｐはパターンを表しており、Ｋは空間ドメインに変換されたＰｏｉｓｓｏｎカーネルを表している。該方法はさらに、該変位ベクトルを使用して該フラッシュの位置決めを修正するステップを含んでいる。
【選択図】図５

4. 发明专利

JP5813413B2 シュリンク前形状推定方法およびCD−SEM装置有权
标题翻译：预缩形状估计方法和CD-SEM装置
公开(公告)号：JP5813413B2
公开(公告)日：2015-11-17
申请号：JP2011180385
申请日：2011-08-22
申请人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人：関口智子 , 大橋健良 , 田中潤一 , 程朝暉 , 常田るり子 , 川田洋揮 , 大森聖子
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/027 , H01J37/28 , G01B15/04
CPC分类号： G06K9/4604 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01B15/04 , G01N23/22 , G06T7/0004 , H01J37/3174 , H01J2237/2816 , H01J2237/31754 , H01J2237/31796 , H01L22/12 , H01L2924/0002

5. 发明专利

JP2014530499A 堆積された汚染物質の成長速度を予測するための方法及び装置审中-公开
标题翻译：用于预测所述沉积的污染物的生长速率的方法和装置
公开(公告)号：JP2014530499A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2014531211
申请日：2012-09-19
申请人：マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ.
发明人：スミッツ、マルク
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G01N23/22 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01N33/0004 , G03F7/70608 , G03F7/70916 , H01J37/304 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/022 , H01J2237/31796
摘要：基板上に放射線を投影するための放射線投影システム(20)と、投影される放射線の経路に処理される基板を載置して配置するための基板搬送システム(30)と、基板を移動させるために基板搬送システムを制御するための制御システム(40)と、特定のタイプのレジストがリソグラフィシステム内で放射線によって露光されることが適切であるかどうかを判断するように構成されたレジスト評価システム(50)とを具備するリソグラフィシステム(10)である。レジスト評価システム(50)は、1以上の放射線ビームを用いて基板の表面上のレジストを露光して、レジストから放出された分子片の質量分布を測定して、成長速度モデル及び測定された質量分布に基づいて、堆積された分子片の成長速度を予測して、予測された成長速度を所定の閾値成長速度と比較するように構成されている。
摘要翻译：用于辐射投影到衬底上（20），用于布置和安装基板的基板传输系统的辐射投影系统的辐射被投影（30）的路径进行处理，用于移动所述衬底抗蚀剂的评价系统和控制系统（40），抗蚀剂的特定类型的被配置成确定它是否适合于由辐射在光刻系统暴露用于控制衬底输送系统（具有50光刻系统）和（10）。质量评价抗蚀剂系统（50），它公开使用一个或多个辐射束，以测量从抗蚀剂中生长速度模型和测量所释放的分子碎片的质量分布在衬底的表面上的抗蚀剂基于分布，来预测所沉积的分子片段的生长速率，并且与一个预定的阈值的增长率被配置预测的增长速度。

6. 发明专利

JP5480555B2 Charged particle beam writing apparatus and a charged particle beam writing method 有权
公开(公告)号：JP5480555B2
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：JP2009184124
申请日：2009-08-07
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：憲昭中山田 , 清二和気
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3026 , H01J2237/31776 , H01J2237/31796

7. 发明专利

JP2011222916A Pattern drawing apparatus, pattern drawing method, and abnormality diagnosis method of pattern drawing apparatus 有权
标题翻译：图案绘图装置，图案绘图方法和图形绘图装置异常诊断方法
公开(公告)号：JP2011222916A
公开(公告)日：2011-11-04
申请号：JP2010093471
申请日：2010-04-14
申请人： Nuflare Technology Inc , 株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人： GOTO YOSHIKUNI , NOMA AKIRA
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/304 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/68 , G03F1/78 , H01J37/3174 , H01J2237/31776 , H01J2237/31793 , H01J2237/31796
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern drawing apparatus and a pattern drawing method that can detect and process abnormality related to the dose of a beam efficiently and in substantially real time during the drawing operation, and to provide a method for performing abnormality diagnosis including estimation of causes of the abnormality.SOLUTION: A detector 19 detects reflected and scattered electrons that are generated by applying an electron beam 54 onto a substrate 2. A calculation section 25a calculates the product of the area (S) and exposure time (t) of an N-th shot at a predetermined unit obtained from pattern drawing data. A comparator 24 compares a value obtained by accumulating designation amount equivalent value for each predetermined unit with a value obtained by integrating signal (D) from the detector 19 at a predetermined unit, and judges whether abnormality has occurred in relation to the dose of the electron beam 54.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在绘图操作期间有效地并且基本上实时地检测和处理与束的剂量有关的异常的图案描绘装置和图案绘制方法，并且提供一种执行方法异常诊断，包括异常原因的估计。解决方案：检测器19检测通过将电子束54施加到基板2上而产生的反射和散射的电子。计算部分25a计算区域的乘积（S N < SB>）和曝光时间（t N ），从图形绘制数据获得的预定单位。比较器24将通过累积每个预定单位的指定量等效值获得的值与从检测器19以预定单位的积分信号（D N ）获得的值进行比较，以及判断是否发生与电子束54的剂量有关的异常。版权所有：（C）2012，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2017522716A 電子ビームの非ユニバーサルカッタ有权
公开(公告)号：JP2017522716A
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：JP2016566745
申请日：2014-12-19
申请人：インテル・コーポレーション
发明人：エイ．ボロドフスキー、ヤン , エイ．ボロドフスキー、ヤン , ダブリュー．ネルソン、ドナルド , ダブリュー．ネルソン、ドナルド , シー．フィリップス、マーク , シー．フィリップス、マーク
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , H01J37/09 , H01J37/147 , H01J37/20 , H01J37/305
CPC分类号： G03F7/2037 , H01J37/045 , H01J37/06 , H01J37/1474 , H01J37/3007 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/0453 , H01J2237/303 , H01J2237/30422 , H01J2237/30438 , H01J2237/31762 , H01J2237/31764 , H01J2237/31776 , H01J2237/31796 , H01L21/0277 , H01L21/31144
摘要：相補型電子ビームリソグラフィ(CEBL)に適した複数のリソグラフィ装置及びこれを含む方法論が説明される。例において、電子ビームツールのブランカアパーチャアレイ(BAA)が説明される。BAAは、非ユニバーサルカッタである。

9. 发明专利

JP2017101316A 新しい種類の電子ビーム誘起表面処理技法を使用したナノファブリケーション审中-公开
公开(公告)号：JP2017101316A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：JP2016173914
申请日：2016-09-06
申请人：エフ・イ−・アイ・カンパニー
发明人：ジェイムズ・ビショップ , トゥアン・トロン・トラン , イゴール・アハロノヴィッチ , シャルレーン・ロボ , ミロス・トス
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/305 , H01L21/314 , C23C16/04
CPC分类号： C23C16/487 , C23C16/047 , H01J37/3174 , H01J37/3178 , H01J2237/31732 , H01J2237/31754 , H01J2237/31796
摘要：【課題】基板の表面化学の電子ビーム誘起改変に基づいてリソグラフィ・パターンを直接に画定する方法およびシステムを提供すること。【解決手段】この方法は、指定された表面化学(SC)を広域的に画定する最初の化学処理を含む。次いで、このSCを、気体前駆体と表面との間の電子ビーム誘起表面反応を使用して局所的に改変する。このようにすると、基板上での指定された安定した表面化学の高分解能パターン形成を達成することができる。次いで、画定されたそれらのパターンを、SCのある種の組合せの特異性を利用する方法によるまたは表面エネルギーの差による選択的材料堆積に利用することができる。全ての工程を原位置で真空破壊することなく実行することが可能である。【選択図】図2

10. 发明专利

JP5525936B2 Charged particle beam writing apparatus and a charged particle beam writing method 有权
公开(公告)号：JP5525936B2
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：JP2010148843
申请日：2010-06-30
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：憲昭中山田 , 清二和気 , 英郎井上 , 彰人安保
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J2237/304 , H01J2237/30461 , H01J2237/31766 , H01J2237/31776 , H01J2237/31796

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