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    • 1. 发明专利
    • 半導体装置
    • 半导体器件
    • JP2016195259A
    • 2016-11-17
    • JP2016111408
    • 2016-06-03
    • 株式会社半導体エネルギー研究所
    • 鎌田 康一郎
    • H01L27/04H01L27/06H01L29/786H01L21/822
    • H02M1/32G06K19/0701G06K19/0715G06K19/07749H01L27/0248H01L27/0285H01L27/1225H02H9/046H02J17/00H02M7/217
    • 【課題】素子が破壊されるほど高い電圧が印加された場合であっても、素子の破壊を抑制する。 【解決手段】第1の電圧が入力されることにより動作を行う半導体装置であって、第1の電圧の絶対値が基準値より大きいとき、第1の電圧の値を変化させる保護回路102を具備する。保護回路は、第1の電圧に応じて第2の電圧を生成し、生成した第2の電圧を出力する制御信号生成回路121と、電圧制御回路122と、を備える。電圧制御回路は、ソース、ドレイン及びゲートを有し、ゲートに制御信号として第2の電圧が入力され、第2の電圧に応じてオン状態又はオフ状態になることにより、第1の電圧の値をソース及びドレインの間に流れる電流量に応じて変化させるか否かを制御するトランジスタを含む。該トランジスタは、チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層をさらに有し、酸化物半導体層のバンドギャップは、2eV以上である。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:即使施加破坏元件的高电压也可抑制元件的破坏。解决方案:一种半导体器件,其通过第一电压的输入进行工作,并且包括保护电路102,其保护第一 当第一电压的绝对值大于参考值时的电压。 保护电路包括用于根据第一电压产生第二电压并输出所产生的第二电压的控制信号产生电路121以及电压控制电路122.电压控制电路具有源极,漏极和栅极,并且包括一个 晶体管,当第二电压作为控制信号输入到栅极时,控制是否根据源极和漏极之间流动的电流量来改变第一电压的值,以使晶体管变为OFF状态 根据第二电压状态。 晶体管还具有具有作为沟道形成层的功能的氧化物半导体层,并且氧化物半导体层的带隙等于或大于2eV。选择的图示:图1