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1. 发明专利

KR102228254B1 KR102228254B1 - Facile synthesis of graphene, graphene derivatives and abrasive nanoparticles and their various uses, including as tribologically-beneficial lubricant additives 有权
公开(公告)号：KR102228254B1
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：KR1020147022385A
申请日：2012-03-15
申请人： 피어리스 월드와이드, 엘엘씨
发明人： 리차드 에스 산크만
IPC分类号： B82B3/00 , C10M125/02
CPC分类号： C01B32/192 , A61K8/0241 , A61K8/19 , A61Q19/00 , B01J13/0056 , B82B3/00 , B82B3/0009 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/184 , C01B32/186 , C01B32/194 , C01B32/198 , C01B32/205 , C01B32/21 , C01B32/225 , C01B32/23 , C10M103/02 , C10M125/02 , C10M125/04 , C10M129/70 , C10M171/06 , C10M177/00 , C22C33/00 , C22C33/006 , C22C38/00 , A61K2800/10 , A61K2800/28 , A61K2800/413 , A61Q17/04 , C10M2201/041 , C10M2201/0413 , C10N2020/06 , C10N2030/06 , F16D2300/06 , F16D2300/10 , Y10S977/734 , Y10S977/755 , Y10S977/843 , Y10S977/902
摘要： 본 발명은 연마제로서 유용한 그래핀, 산화그래핀, 환원된 산화그래핀, 기타 그래핀 유도체 구조 및 나노입자의 엑스-시츄 합성 방법이 개시된다. 윤활 조성물로부터 인-시츄 형성되고 일부 경우에는 엑스-시츄 형성되는 나노-연마제의 사용을 통해, 엔진, 터보, 터빈, 트랙, 레이스, 휠, 베아링, 기어 시스템, 장갑(armor), 열 쉴드, 및 기계가공된 상호작용성 경질 표면을 이용하는 기타 물리적 및 기계적 시스템을 포함하나 이들에 국한되지 않는, 장치 및 시스템 내의 이동 부품 및 정치 부품을 연마, 경화, 보호, 장수화 및 윤활화하기 위한 조성물 및 방법, 및 이들의 각종 용도도 또한 개시된다.

2. 发明专利

JP6366305B2 グラフェンの製造方法有权
公开(公告)号：JP6366305B2
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：JP2014047211
申请日：2014-03-11
申请人：三星電子株式会社 , Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：孫寅赫 , 李承宰
IPC分类号： H01L21/368 , H01L21/20 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/05
CPC分类号： H01L21/02527 , B01J21/04 , B01J23/755 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , Y10T428/2982

3. 发明专利

JP2018074171A 銅材料を銅基板から除去する方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018074171A
公开(公告)日：2018-05-10
申请号：JP2017238223
申请日：2017-12-13
申请人：カリフォルニアインスティチュートオブテクノロジー
发明人：デイビッドエイボイド
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/02 , C23C16/26 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/26 , B01J19/088 , B01J19/22 , B01J2219/0879 , B01J2219/0894 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C23C16/0245 , C23C16/52 , C23C16/545 , H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32816 , H01J2237/335 , H01L21/02046 , H01L21/02425 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L29/1606 , H01L29/32
摘要：【課題】高品質、かつ、大面積のグラフェンを成長させる方法及びシステムを提供する。【解決手段】本方法は、基板を用意するステップと、基板を減圧環境に置くステップと、キャリアガスおよび炭素源を供給するステップと、基板の少なくとも一部をキャリアガスおよび炭素源に曝すステップと、基板の少なくとも一部に表面処理プロセスを行うステップと、炭素源の一部を基板の少なくとも一部上に配置されたグラフェンに変換するステップと、を含む。【選択図】図2

5. 发明专利

JP2017535953A シード構造からカーボン構造を分離する方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017535953A
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：JP2017522588
申请日：2015-10-12
申请人：アイクストロン、エスイー
发明人：テオ、ケネス・ビー・ケー , ジョウブレイ、アレクサンダー , マザルー、ジャイ , トーマス、サイモン
IPC分类号： H01L21/302 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C23C16/01 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B32/168 , C01B32/18 , C01B32/186 , C01B32/194 , C23C16/26 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C16/50 , C23C16/56 , G01N2021/8433 , Y10S977/734 , Y10S977/742 , Y10S977/762 , Y10S977/843
摘要：本発明は、シード構造(2)の上に堆積したカーボン構造(1)をシード構造(2)から分離する方法に関する。本方法は、CVD反応炉のプロセスチャンバーの中でシード構造(2)の上に堆積されたカーボン構造(1)を準備するステップと、シード構造(2)とカーボン構造(1)とを含む基板(3)をプロセス温度に加熱するステップと、分子式AOmXn,AOmXnYpまたはAmXnを持つ少なくとも1つのエッチングガスを注入するステップとを備える。ここで、AはS,CおよびNを含む族の元素から選択される。Oは酸素である。XとYは異なるハロゲンである。m,nおよびpは0より大きな自然数である。本方法は、更に、エッチングガスでの化学反応を通してシード構造(2)をガス状の反応生成物に変換するステップと、キャリアガスの流れによってプロセスチャンバーからガス状の反応生成物を除くステップとを備える。

6. 发明专利

JP2016540118A グラフェンで覆われた電極を含む電気化学セル审中-公开
标题翻译：包括电极的电化学电池覆盖有石墨烯
公开(公告)号：JP2016540118A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2016526181
申请日：2014-10-27
申请人：オハイオ・ユニバーシティ
发明人：ジェラルディン・ジー・ボット
IPC分类号： C25B11/04 , C25B1/00 , C25B9/00 , C25B11/08
CPC分类号： C25B11/0478 , C01B32/186 , C01C1/086 , C25B1/00 , C25B3/02 , C25B9/06
摘要：電気化学セル10が提供され、電気化学セル10は、第1の電極13と、第2の電極15と、第1の電極13および第2の電極15と電気分解に関係して連通した電解質媒体17と、電気化学反応を受けることができる化学物質と、第1および第2の電極と電気分解に関係して連通する電圧源19と、を含む。第1の電極13は、活性触媒材料25の層、および活性触媒材料25の層を少なくとも部分的に覆うグラフェンコーティング27を含む。グラフェンコートされた電極を作成する方法および使用する方法がさらに提供される。
摘要翻译：提供电化学电池10，电化学电池10包括第一电极13和第二电极15，第一电极13和第二电极15和在通信中的电解质介质相对于电解它包括一个17，能够经历电化学反应的化学，其与电分解和第一和第二电极连通的电压源19。所述第一电极13包括石墨烯涂层27至少部分地覆盖催化剂材料25的活性层的层，并且所述活性催化材料25。如何的方法和用于创建进一步提供了一种石墨烯涂覆的电极。

7. 发明专利

JPWO2013129312A1 触媒金属層の製造方法及びグラフェン素材の製造方法有权
标题翻译：催化金属层的制备和石墨烯材料的制造方法
公开(公告)号：JPWO2013129312A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：JP2014502206
申请日：2013-02-25
申请人：学校法人名城大学 , 学校法人名城大学
发明人：重弥成塚 , 重弥成塚 , 隆浩丸山 , 隆浩丸山
IPC分类号： B01J23/755 , B01J37/08 , C01B31/02
CPC分类号： B01J23/755 , B01J35/002 , B01J37/08 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186
摘要：まず、四角形状のc面サファイアからなる基板12を用意し、その基板12の上面の全面に触媒金属としてのニッケルを成膜して触媒金属膜14とする((a)参照)、次に、リソグラフィ法により触媒金属膜14を所定形状の触媒金属膜16にパターニングする((b)参照)。続いて、触媒金属膜16の温度を1000℃まで昇温し1000℃で20分間保持する。そして、触媒金属膜16の温度を5℃/minの速度で1000℃から800℃まで降温し、触媒金属膜16の温度を800℃で15時間保持する。これにより、グレインの大きな触媒金属層17を得る((c)参照)。その後、触媒金属層17の表面に炭素源を供給してグラフェンを成長させ、触媒金属層17を酸性溶液で溶かしてグラフェン素材10を取り出す((d)〜(g)参照)。
摘要翻译：首先，在基板12中形成正方形c-平面蓝宝石的，通过的上表面的整个表面上形成一个镍作为催化金属的催化金属膜14在衬底12（（a）中看到的），那么，通过光刻法在规定的形状的催化金属膜16图案化该催化金属膜14（（b）中参照）。接着，在催化金属膜16的温度下保持20分钟，加热1000℃至1000℃.. 然后，该催化金属膜16的温度从1000℃以5℃/分钟的速率下降至800℃，对催化剂金属膜16的在800℃的温度下保持15小时.. 这使颗粒的大的催化金属层17（（C）参照）。此后，通过提供一个碳源生长石墨烯，所述催化剂金属层17的表面由催化金属层17溶解用酸溶液（（D）〜（G）是指）检索石墨烯材料10。

9. 发明专利

JPWO2012153674A1 透明導電膜積層体の製造方法および透明導電膜積層体有权
公开(公告)号：JPWO2012153674A1
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：JP2013513989
申请日：2012-05-01
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所
发明人：正統石原 , 正統石原 , 貴壽山田 , 貴壽山田 , 古賀　義紀 , 義紀古賀 , 雅考長谷川 , 雅考長谷川 , 金　載浩 , 載浩金
IPC分类号： H01B13/00 , C01B31/02 , H01B5/14
CPC分类号： H01B13/0036 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01B1/04 , Y10T428/30
摘要：本発明は、従来のグラフェン膜上にバインダー層を形成する方法の課題である、基板表面の形状がグラフェン層に転写されるという問題を解決し、より曇りの少ない透明度の高い透明導電膜積層体を形成する手法を提供することを目的とするものであって、本発明では、成膜用基材上にCVD法により透明導電性炭素膜を形成した後、該透明導電性炭素膜から前記成膜用基材を除去して、透明導電性炭素膜を製造する方法において、粘着力のある面を有するフィルムを用意し、成膜用基材を除去する前に、該フィルムの粘着力のある面を透明導電性炭素膜の表面の全部及び/又は一部に貼り合わせる工程を備えることにより、上記課題を解決するものである。

10. 发明专利

JP2014063912A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014063912A
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：JP2012208669
申请日：2012-09-21
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： WADA MAKOTO , YAMAZAKI YUICHI , KAJITA AKIHIRO , ISOBAYASHI ATSUNOBU , SAITO TATSURO
IPC分类号： H01L21/3205 , C01B31/02 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L29/66977 , B82Y30/00 , C01B32/186 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/53276 , H01L2924/0002 , Y10S977/734 , Y10S977/932 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve a low resistance wiring structure using a graphene wiring.SOLUTION: The semiconductor device having a graphene wiring structure includes: a catalyst base layer 13 formed in accordance with a wiring pattern on a substrate 10 on which a semiconductor element is formed; a catalyst metal layer 14 that is formed on the catalyst base layer 13 and is narrower in width than that of the catalyst base layer 13; and a graphene layer 15 that is grown in a plane direction while making a side face of the catalyst metal layer 14 a growing base point so as to surround the catalyst metal layer 14.
摘要翻译：要解决的问题：实现使用石墨烯布线的低电阻布线结构。解决方案：具有石墨烯布线结构的半导体器件包括：根据基板10上的布线图形形成的催化剂基底层13，其上半导体元件形成了; 催化剂金属层14，其形成在催化剂基底层13上，宽度小于催化剂基底层13的宽度; 以及在使催化剂金属层14的侧面成为基底点以包围催化剂金属层14的同时沿平面方向生长的石墨烯层15。

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