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1. 发明专利

JP2020047778A 光結合装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020047778A
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：JP2018175244
申请日：2018-09-19
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：中島博之 , 藤原真美 , 小関勝 , 野口吉雄
IPC分类号： H01L31/12
摘要：【課題】樹脂成型体の密着性が改善され、高温・高湿環境における信頼性が高められた光結合装置を提供する。【解決手段】実施形態の光結合装置は、絶縁基板と、半導体受光素子と、半導体発光素子と、入力端子と、出力端子と、樹脂成型体と、剥離防止材と、を有する。絶縁基板は、上面と、第1および第2の側面と、を有する。半導体受光素子は、受光領域と第1および第2の電極とを上面に有する。半導体発光素子は、受光領域上に設けられ、受光領域に向かって放出光を出射する。入力端子は、第1の側面に隣接する第1導電領域と第2導電領域とを有する。出力端子は、第2の側面に隣接する第3導電領域と第4導電領域とを有する。剥離防止材は、樹脂成型体の下面と、第1の側面に隣接する入力端子の2つの領域および第2の側面に隣接する出力端子の2つの領域とをそれぞれ接着する。【選択図】図2

2. 发明专利

JP2021125620A 光結合装置及び高周波装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021125620A
公开(公告)日：2021-08-30
申请号：JP2020019407
申请日：2020-02-07
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：藤原真美 , 鷹居直也 , 田中和喜 , 安住壮紀 , 野口吉雄 , 常盤豪
IPC分类号： H01L31/12
摘要：【課題】高周波電流の通過特性が良好な光結合装置及び高周波装置を提供する。【解決手段】光結合装置1は、出力端子11a及び出力端子11bが設けられた受光素子11と、受光素子11上に設けられた発光素子12と、受光素子11の側方に設けられ、上面13U、14Uにソース端子13s、14s及びゲート端子13g、14gが設けられ、下面にドレイン端子が設けられ、ソース端子13s、14sが出力端子11aに接続され、ゲート端子13g、14gが出力端子11bに接続されたMOSFET13、14と、上面が第2主端子に接続された電極板21、22と、受光素子11、発光素子12、MOSFET13、14を覆い、下面に電極板21、22の下面が露出した封止部材50と、を備える。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6329596B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6329596B2
公开(公告)日：2018-05-23
申请号：JP2016144746
申请日：2016-07-22
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：山本真美 , 野口吉雄
IPC分类号： H01L31/12

4. 发明专利

JP2020088091A 光結合装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020088091A
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：JP2018218229
申请日：2018-11-21
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：藤原真美 , 野口吉雄 , 鷹居直也
IPC分类号： H01L31/12
摘要：【課題】高周波通過特性が改善された光結合装置を提供する。【解決手段】光結合装置は、入力端子と、出力端子と、第1のMOSFETと、第2のMOSFETと、半導体受光素子と、半導体発光素子と、樹脂層と、を有する。前記入力端子は、第1リードおよび第2リードを含む。前記出力端子は、第3リードおよび第4リードを含む。第1のMOSFETは、ドレイン領域に電気的に接続される。第2のMOSFETは、ドレイン領域と電気的に接続される。半導体受光素子は、受光領域と、電極パッド領域と、を有する。樹脂層は、入力端子の下面の中央部および出力端子の下面の中央部がそれぞれ露出するように、第1および第2のMOSFET、半導体受光素子、半導体発光素子、入力端子の上面および側面、および出力端子の上面および側面を封止する。第1および第2のMOSFETはコモンソース接続とされる。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2016219823A 半導体装置有权
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP2016219823A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2016144745
申请日：2016-07-22
申请人：株式会社東芝
发明人：野口吉雄 , 山本真美 , 鷹居直也
IPC分类号： H01L31/12
摘要：【課題】薄型化および平面サイズの小型化が容易な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、絶縁層40と、第1の端子50と、第2の端子52とを有する支持基板48と、支持基板48に、第1の電極パッドと第1の接着領域MRとを有する第1の面30aを有する第1のMOSFET31と、第2の電極パッドと第2の接着領域MRとを有する第2の面30aを有する第2のMOSFET32と、第1および第2の接着領域MRに設けられた第3の面20bと、第1の電極パッドに電気的に接続された第1の電極26、29が設けられ、第3の面20bと反対の側の第4の面20aとを有する受光素子20と、第4の面20aに、透光性および絶縁性を有する接着層34と、接着層34に光出射領域を含む第5の面10bと、第1の端子と電気的に接続された第2の電極が設けられ、第5の面10bと反対の側である第6の面とを有する発光素子10と備える。【選択図】図1
摘要翻译：在平面尺寸较薄和更小，以提供一种简单的半导体器件。一种半导体器件，包括：绝缘层40，第一终端50，在支撑基板48和第二端子52，支撑基板48，第一电极焊盘和所述第一粘合剂区域MR 具有第一MOSFET31的第一面30a具有赌注，和具有第二面30a具有第二电极焊盘和第二接合区域MR中，第一和第二的第二MOSFET32 中提供MR，第一电极26，29的接合区域中的第三面20b，其电连接到第一电极焊盘，第四侧的第三面20b相对具有光接收元件20的表面20A，第四面20a，具有透明性和绝缘性34的粘合层，和第五表面10b包括在粘合剂层34中的发光区，第一端子和提供电连接的第二电极，包括发光元件10和第六表面，其相对于该第五表面10b侧。点域1

6. 发明专利

JP6216418B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6216418B2
公开(公告)日：2017-10-18
申请号：JP2016144745
申请日：2016-07-22
申请人：株式会社東芝
发明人：野口吉雄 , 山本真美 , 鷹居直也
IPC分类号： H01L31/12

7. 发明专利

JP2016207739A 半導体発光装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：它们的半导体发光装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2016207739A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2015084952
申请日：2015-04-17
申请人：株式会社東芝
发明人：赤松祐季 , 野口吉雄 , 小串昌弘 , 竹内輝雄 , 黒木敏宏 , 江越秀徳 , 荒川崇 , 井上一裕 , 米屋俊宏
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/486 , H01L2933/0066 , H01L33/54 , H01L33/62
摘要：【課題】生産性を高めることが可能な半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、第1金属部材と、半導体発光素子と、絶縁層と、を含む。前記第1金属部材は、銅を含む第1金属板と、銀を含む第1金属層と、を含む。前記半導体発光素子と前記第1金属板との間に前記第1金属層が配置される。前記絶縁層は、酸化シリコンを含む。前記第1金属板は、前記第1金属層から前記半導体発光素子に向かう第1方向に対して垂直な平面と交差する第1金属板側面を有する。前記絶縁層は、前記第1金属板側面と接する。【選択図】図1
摘要翻译：一种半导体发光器件及其制造方法能够提高生产率的物。根据一个实施方案，半导体发光器件包括第一金属构件，并且所述半导体发光元件，和所述绝缘层。其中，所述第一金属构件包括第一金属板包括铜，和含有银的第一金属层，所述。其中，所述第一金属层设置在所述半导体发光元件和所述第一金属板之间。所述绝缘层包括氧化硅。所述第一金属板具有第一金属板侧的面交叉垂直于从所述半导体发光元件上的第一金属层中的第一方向。所述绝缘层与所述第一金属板侧接触。点域1

8. 发明专利

JP2016063210A 半導体発光装置及びリードフレーム审中-公开
标题翻译：半导体发光器件和引线框架
公开(公告)号：JP2016063210A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2015022237
申请日：2015-02-06
申请人：株式会社東芝
发明人：江越秀徳 , 野口吉雄 , 井上一裕 , 荒川崇 , 竹内輝雄 , 黒木敏宏 , 小串昌弘
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/48
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：【課題】光取り出し効率を高くできる半導体発光装置及びリードフレームを提供する。【解決手段】チップ20は、リードフレーム11上に搭載され、基板と、基板上に設けられた発光素子とを有する。壁部33は、チップ20の側部に対向する内壁と、内壁の反対側の外壁とを有する。蛍光体層60は、少なくともチップ20の上に設けられている。チップ20の側部と、壁部33の内壁との間の距離は、チップ20の厚さよりも小さい。リードフレーム11の上面と内壁とがなす角は、リードフレームの上面と外壁とがなす角よりも小さい。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高光提取效率的半导体发光装置和引线框架。解决方案：芯片20安装在引线框架11上，并且具有基板和设置在引线框架上的发光元件基质。壁部33具有面向芯片20的侧面的内壁和与内壁相反的外壁。荧光体层60至少设置在芯片20上。芯片20的侧部与壁部33的内壁之间的距离小于芯片20的厚度。由上表面引线框架11和内壁小于由引线框架11的上表面和外壁形成的角度。图1

9. 发明专利

JP2016195276A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016195276A
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：JP2016144746
申请日：2016-07-22
申请人：株式会社東芝
发明人：山本真美 , 野口吉雄
IPC分类号： H01L31/12
摘要：【課題】耐湿性を維持しつつ、小型化が容易な半導体装置を提供する。【解決手段】第1の面10aと、第1の面とは反対の側の第2の面10bと、を有する絶縁基板10を含む実装部材と、第1導電領域を含み、第1の面に設けられた第1の端子20、21、22と、第2導電領域を含み、第1導電領域の材料と同じ材料を含む第1の面に設けられた第2の端子30,31,32と、第1導電領域の材料とは異なる材料を含む第3導電領域を有し、第1導電領域と第2導電領域の間に第1導電領域と第2導電領域から離間して設けられたダイパッド部と、第3導電領域の上に設けられた受光素子と、受光素子の上に設けられた発光素子と、第3導電領域の上に設けられたMOSFETと、これらの素子及び、絶縁基板の第1の面、第1導電領域、第2導電領域とを覆う封止樹脂層とを備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在保持耐湿性的同时可以容易地实现小型化的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：封装构件，包括绝缘基板10，绝缘基板10具有第一表面10a和第二表面10b，第一面; 第一端子20,21,22，其设置在第一表面上，并且每个包括第一导电区域; 第二端子30,31,32，其包括第二导电区域，并且包括与第一导电区域的材料相同的材料，并且设置在第一表面上; 芯片焊盘部分，其具有包括与第一导电区域的材料不同的材料的第三导电区域，并且设置在第一导电区域和第二导电区域之间并且远离第一导电区域和第二导电区域; 设置在所述第三导电区域上的光接收元件; 设置在所述光接收元件上的发光元件; 设置在所述第三导电区域上的MOSFET; 以及覆盖上述这些元件的封装树脂层，绝缘基板的第一表面，第一导电区域和第二导电区域。图1

10. 发明专利

JP5985452B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5985452B2
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：JP2013189400
申请日：2013-09-12
申请人：株式会社東芝
发明人：山本真美 , 野口吉雄
IPC分类号： H01L31/12
CPC分类号： H01L25/167 , H01L23/49575 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L31/167 , H01L31/173 , H01L2224/0603 , H01L2224/48137 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/181

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