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1. 发明专利

JP5482021B2 Resistance switch element and a resistance switching memory element 有权
公开(公告)号：JP5482021B2
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：JP2009195088
申请日：2009-08-26
申请人：富士通株式会社
发明人：ディビットベネキジョン , 雅俊石井 , 和明栗原 , 一典山中
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00

2. 发明专利

JP5369905B2 Band elimination filter 有权
公开(公告)号：JP5369905B2
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：JP2009133256
申请日：2009-06-02
申请人：富士通株式会社
发明人：雅俊石井
IPC分类号： H01P1/203 , H01P1/20 , H01P1/208
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a band-stop filter, having sufficient electric power resistance applicable to a filter for a transmitter used for a radio base station of a portable telephone. SOLUTION: The band-stop filter has a dual-mode resonator including a disk type resonance pattern. A first transmission line passes farther than the outside of the outer circumferential line of the resonance pattern and is electrically connected to the resonance pattern. A second transmission line is electrically connected to the resonance pattern at a first end part. A resonance signal excited by a signal transmitted in the first transmission line to the dual mode resonator is extracted to the second transmission line. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

3. 发明专利

JP4778011B2 High-frequency filter 有权
公开(公告)号：JP4778011B2
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：JP2008069914
申请日：2008-03-18
申请人：富士通株式会社
发明人：ベネキジョン , 輝中西 , 一典山中 , 雅俊石井 , 章彦赤瀬川
IPC分类号： H01P1/203 , H01P1/208
CPC分类号： Y02E40/641

4. 发明专利

JP4182404B2 Film method of a ferroelectric film 有权
公开(公告)号：JP4182404B2
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：JP2002315276
申请日：2002-10-30
申请人：富士通株式会社
发明人：雅俊石井
IPC分类号： H01L21/316 , H01L41/187 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L37/02 , H01L41/09
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the inclination of composition in the thickness direction of a film without dropping a film manufacturing speed extremely in the manufacturing method of a ferroelectric film. SOLUTION: In the manufacturing method of the ferroelectric film, at least two kinds or more of sol-gel solutions 1, 2 having different compositions are superposed before calcination and, thereafter, the calcination is effected. A drying film of multilayer structure having different compositions is formed to compensate segregation before calcination, whereby the ferroelectric film reduced in the inclination of composition in the thickness direction of the same can be manufactured without increasing the manufacturing process remarkably. On the other hand, this drying film contributes to the improvement of the performance and the reliability of an optical device such as an optical deflection element or the like or an electronic device such as an FeRAM, a piezo-electric element or the like. COPYRIGHT: (C)2004,JPO

5. 发明专利

JPWO2014167697A1 熱電変換素子有权
标题翻译：热电转换元件
公开(公告)号：JPWO2014167697A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015511037
申请日：2013-04-11
申请人：富士通株式会社
发明人：ジョンディビットベネキ , ジョンディビットベネキ , 石井　雅俊 , 雅俊石井 , 栗原　和明 , 和明栗原
IPC分类号： H01L35/22 , C01G23/00 , H01L35/26 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/12 , H01L35/22 , H01L35/26 , H01L35/32 , H01L35/34
摘要：熱電変換素子は、基板と、前記基板上に形成され、SrとTiを含み第1のバンドギャップを有する第1のペロブスカイト型誘電体膜とSrとTiを含み、前記第1のバンドギャップよりも小さな第2のバンドギャップを有する第2のペロブスカイト型誘電体膜とを交互に積層した積層体と、前記積層体の下端に電気的に接続されて形成された第1の電極と、前記積層体の上端に電気的に接続されて形成された第2の電極と、を備え、前記第1および第2のペロブスカイト型誘電体膜はいずれもドープされて導電性を有し、前記第1および第2のペロブスカイト型誘電体膜は、それぞれの伝導帯の間に最大で0.54eVのバンドオフセットを生じる組成を有し、前記積層体の上端が第1の温度に曝され前記積層体の下端が第2の温度に曝されることにより、前記積層体の前記上端と下端の間に起電力を生じる。
摘要翻译：热电转换元件包括：基板;形成在所述基板上，包括第一钙钛矿电介质膜和Sr和Ti具有第一带隙包括Sr和Ti对，比第一带隙通过层叠第二钙钛矿电介质膜具有较小的第二带隙交替，其被形成为电连接到所述层叠体的下端的第一电极，叠层形成的层压体和具有所述被形成为电连接到的上端，第二电极的第一和第二钙钛矿电介质膜或者是掺杂导电的，所述第一和第二 2钙钛矿介电膜具有导致带的组合物偏移0.54eV每个导带层叠体的上端的下端暴露于第一温度的之间的最大层压是第一通过暴露于第二温度，所述层叠体的上端产生的下端之间的电动势。

6. 发明专利

JPWO2010131515A1 ガス発生装置およびガス発生方法有权
公开(公告)号：JPWO2010131515A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：JP2011513279
申请日：2010-03-09
申请人：富士通株式会社
发明人：ジョンディビットベネキ , ジョンディビットベネキ , 石井　雅俊 , 雅俊石井 , 栗原　和明 , 和明栗原 , 山中　一典 , 一典山中
IPC分类号： C01B32/40 , C01B3/02
摘要：ガス発生装置は、処理空間を画成し、前記処理空間中に支持体を保持した処理容器と、前記処理容器に結合され前記処理空間を排気する排気系と、前記支持体上に形成され、酸素欠陥を含んだペロブスカイト構造の金属酸化物膜と、前記処理空間に二酸化炭素または水よりなる原料化合物を分子として含む原料ガスを供給する原料ガス供給ポートと、前記処理空間から、前記原料化合物から酸素原子を除去した製品化合物を分子として含む製品ガスを排出するガス取り出しポートと、前記支持体を加熱する加熱部と、を含む。

7. 发明专利

JP4738228B2 A method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4738228B2
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：JP2006087430
申请日：2006-03-28
申请人：富士通株式会社
发明人：ベネキジョン , 健司塩賀 , 和明栗原 , 雅俊石井
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/12
CPC分类号： H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device capable of operating at a high frequency and reducing manufacturing costs, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device. SOLUTION: The semiconductor device comprises: a capacitor built-in substrate in which a thin-film capacitor is formed at a part other than a through-hole on the first main surface of a silicon substrate having the through-hole; a circuit board where an electrode terminal is formed on a first main surface, and the electrode terminal is electrically joined to the internal connection terminal of the thin-film capacitor via a connection layer; and a semiconductor element electrically joined to the electrode terminal of the circuit board through the through-hole of the silicon substrate. The first main surface of the capacitor built-in substrate and that of the circuit board are arranged so that they oppose each other. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

8. 发明专利

JP4382103B2 Capacitor element, semiconductor device, and a method of manufacturing a capacitor element 有权
公开(公告)号：JP4382103B2
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：JP2007045550
申请日：2007-02-26
申请人：富士通株式会社
发明人：ベネキジョン , 和明栗原 , 雅俊石井
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/3205 , H01L21/8242 , H01L21/8246 , H01L23/52 , H01L27/04 , H01L27/105 , H01L27/108
CPC分类号： H01L27/11502 , H01L27/10852 , H01L27/11507 , H01L28/55
摘要： A capacitor device includes a dielectric layer configured to have a composition represented as (Ba1−x, Srx)Ti1−zScyO3+δ (0

9. 发明专利

JP3925212B2 Control method and optical transmission system of the optical deflecting device using a ferroelectric 有权
公开(公告)号：JP3925212B2
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：JP2002015097
申请日：2002-01-24
申请人：富士通株式会社
发明人：康男山岸 , 雅俊石井
IPC分类号： G02F1/295 , H04B10/00 , H04B10/293 , H04B10/564 , H04B10/572

10. 发明专利

JP5678578B2 熱電変換装置およびその製造方法有权
标题翻译：热电转换元件及其制造方法
公开(公告)号：JP5678578B2
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：JP2010241419
申请日：2010-10-27
申请人：富士通株式会社
发明人：石井　雅俊 , 雅俊石井 , ジョン　ベネキ , ベネキジョン
IPC分类号： H01L37/02 , C01G23/00 , C23C14/34 , H01L35/22 , H01L35/34

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