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1. 发明专利

JP6917596B2 希土類錯体ポリマー有权
公开(公告)号：JP6917596B2
公开(公告)日：2021-08-11
申请号：JP2018515708
申请日：2017-04-26
申请人：国立大学法人北海道大学 , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：中西貴之 , 平井悠一 , 長谷川靖哉 , 北川裕一 , 伏見公志
IPC分类号： C07C49/92 , C07F5/00 , C07F9/655

2. 发明专利

JP6643804B2 希土類金属錯体及びそれを用いる発光装置有权
公开(公告)号：JP6643804B2
公开(公告)日：2020-02-12
申请号：JP2015003282
申请日：2015-01-09
申请人：国立大学法人北海道大学 , 日亜化学工業株式会社
发明人：長谷川靖哉 , 柳澤慧 , 中西貴之 , 北川裕一 , 伏見公志 , 小飯塚徹
IPC分类号： H01S5/02 , C09K11/06 , H01L33/50

3. 发明专利

JPWO2018155557A1 希土類錯体及び発光素子审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018155557A1
公开(公告)日：2020-01-09
申请号：JP2018006466
申请日：2018-02-22
申请人：国立大学法人北海道大学
发明人：北川裕一 , 鈴江郁哉 , 中西貴之 , 伏見公志 , 長谷川靖哉
IPC分类号： C07C49/167 , C09K11/06 , H01L33/50 , C07F9/53
摘要：希土類イオンと、該希土類イオンに配位し縮合多環芳香族基を有する配位子と、を備える希土類錯体が開示される。縮合多環芳香族基が、下記式(I)又は(II)で表される縮合多環芳香族化合物から水素原子を除いた残基である。【化1】

4. 发明专利

JPWO2018155484A1 ホスフィンオキシド化合物、希土類錯体及び発光材料审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018155484A1
公开(公告)日：2019-12-19
申请号：JP2018006179
申请日：2018-02-21
申请人：国立大学法人北海道大学
发明人：長谷川靖哉 , フェレイラダローサペドロパウロ , 中西貴之 , 北川裕一 , 伏見公志
IPC分类号： C07F5/00 , C07C49/92 , C09K11/06 , C07F9/53
摘要：下記式(I): 【化1】で表され、nが3以上の整数を示し、Ar 1 がn価の芳香族基を示し、Lが2価のリンカー基を示し、Ar 2 及びAr 3 がそれぞれ独立に1価の芳香族基を示す、ホスフィンオキシド化合物、及び、これを含む希土類錯体が開示される。

5. 发明专利

JPWO2017191795A1 希土類錯体ポリマー审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017191795A1
公开(公告)日：2019-03-14
申请号：JP2017016574
申请日：2017-04-26
申请人：国立大学法人北海道大学 , 学校法人東京理科大学
发明人：中西貴之 , 平井悠一 , 長谷川靖哉 , 北川裕一 , 伏見公志
IPC分类号： C08G79/04
摘要：三価の希土類イオンと、式(1)で表されるホスフィンオキシド二座配位子と、を含む希土類錯体ポリマーが開示される。1つのホスフィンオキシド二座配位子が、2つの希土類イオンに配位してそれらを橋かけしている。【化1】

7. 发明专利

JP6367192B2 配位子及び希土類錯体有权
公开(公告)号：JP6367192B2
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：JP2015525284
申请日：2014-07-04
申请人：国立大学法人北海道大学
发明人：長谷川靖哉 , 平井悠一 , 中西貴之 , 伏見公志
IPC分类号： C07F9/6553 , C09K11/06 , C09D11/00 , H01L51/50 , C07F9/53
CPC分类号： C07F9/655345 , C07F5/003 , C07F7/0805 , C07F9/5329 , C08K5/0091 , C09D11/50 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/182 , H01L51/0089 , H01L51/5016

8. 发明专利

JP2018035101A Eu錯体及び有機EL素子审中-公开
公开(公告)号：JP2018035101A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：JP2016170553
申请日：2016-09-01
申请人：国立大学法人北海道大学 , スタンレー電気株式会社 , 公立大学法人大阪府立大学
发明人：長谷川靖哉 , 名取詩織 , 中西貴之 , 北川裕一 , 伏見公志 , 赤木努 , 内藤裕義 , 福留淳
IPC分类号： C09K11/06 , H01L51/50 , C07F5/00
摘要：【課題】溶液プロセスにより薄膜形成が可能で、有機ELデバイスの発光層として用いた場合にも発光が得られる粒子状の希土類錯体組成物、これを用いた薄膜の発光層を有する有機ELデバイスを提供する。発光特性と耐熱性に優れた希土類錯体ポリマーを提供する。【解決手段】1つのEuイオンに対して、ホスフィンオキシド基を含有する図10に例示される特定の分子が配位する錯体部位を含む錯体分子を含有する錯体組成物。この組成物の薄膜を発光層として含む有機EL素子。【選択図】図10

9. 发明专利

JP2018012826A キラル型希土類錯体ポリマーおよびそれを用いた光学機能材料审中-公开
公开(公告)号：JP2018012826A
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2016228029
申请日：2016-11-24
申请人：東ソー株式会社 , 国立大学法人北海道大学
发明人：小礒尚之 , 長谷川靖哉 , 北川裕一 , 中西貴之 , 伏見公志
IPC分类号： C07F19/00 , C09D11/102 , G02B5/30 , C08G79/14
摘要：【課題】キラルな光物性を示す希土類錯体ポリマーおよびそれを利用した光学機能材料を提供する。【解決手段】式(1)で示される希土類錯体ポリマー。 (Aはビナフチル骨格を有する2価の有機基;Lはβ−ジケトナート基;AとLの少なくともいずれか一方は光学活性;E及びGは夫々独立にO、S、Se又はTe;R 1 〜R 4 は夫々独立にC1〜10のアルキル基、置換/非置換の1価の芳香族基、C1〜10のアルコキシ基又はC1〜6のジアルキルアミノ基;R 1 〜R 4 は、それらが互いに一体となって環を形成してもよい;mは1〜4の整数;lは1〜100000の整数;Lnは3価の希土類イオン) 【選択図】なし

10. 发明专利

JP2016128392A 希土類金属錯体及びそれを用いる発光装置审中-公开
标题翻译：稀土金属复合物和使用它的发光装置
公开(公告)号：JP2016128392A
公开(公告)日：2016-07-14
申请号：JP2015003282
申请日：2015-01-09
申请人：国立大学法人北海道大学 , 日亜化学工業株式会社
发明人：長谷川靖哉 , 柳澤慧 , 中西貴之 , 北川裕一 , 伏見公志 , 小飯塚徹
IPC分类号： C07F9/53 , C09K11/06 , C07C49/92
摘要：【課題】発光量子効率の高い(波長変換効率の高い)希土類金属錯体及びその製造方法を提供する。【解決手段】一般式(I)[Lnは、希土類原子を示し、n1は、2又は3を示す。n2は、1、3又は5を示す。n3は1、2又は3を示す。X及びYは、同一でも異なってもよく、芳香族基;パーハロゲン化芳香族基;少なくとも1種の置換基を有する芳香族基;少なくとも1種の置換基を有してよいヘテロ芳香族基;直鎖又は分枝を有するC3〜C20の、アルキル基、パーハロゲン化アルキル基、アルケニル基、パーハロゲン化アルケニル基;又はC3〜C20の、シクロアルキル基、パーハロゲン化シクロアルキル基、シクロアルケニル基、パーハロゲン化シクロアルケニル基、アルキニル基を示す。Zは水素原子または重水素原子を示す。]で示される、配位数が奇数の単核希土類金属錯体。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高发射量子效率（高波长转换效率）的稀土金属络合物及其制造方法。解决方案：提供具有奇数配位数的单核稀土金属络合物，由通式（I）[Ln表示稀土原子，n1表示2或3.n2表示1,3或5.n3表示1,2或3.X和Y可以相同或不同，表示：芳香族; 全卤代芳族基团; 具有至少一个取代基的芳族基团; 可以具有至少一个取代基的杂芳基; 具有3-20个碳原子的烷基，全卤代烷基，烯基和全卤代烯基，并且具有直链或支链连接; 或环烷基，全卤代环烷基，环烯基，全卤代环烯基或具有3-20个碳原子的炔基。 Z表示氢原子或氘原子。]选择的图：图1

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