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1. 发明公开

EP4160652A1 CHARGED PARTICLE BEAM APPARATUS AND IMAGE ADJUSTMENT METHOD 审中-实审
公开(公告)号：EP4160652A1
公开(公告)日：2023-04-05
申请号：EP22196872.0
申请日：2022-09-21
申请人： Jeol Ltd.
发明人： MIHIRA, Tomohiro
IPC分类号： H01J37/26 , H01J37/244 , H01J33/02
摘要： Provided is a charged particle beam apparatus (100) that acquires an image by scanning a specimen with a charged particle beam, and includes: a contrast adjustment circuit (42) that adjusts contrast of the image (e.g. via the gain of a detector (40)); a brightness adjustment circuit (50) that adjusts brightness of the image (e.g. via an adder (52) adding an offset to the preamplifier (54) input); and a control unit that (70) controls the contrast adjustment circuit (42) and the brightness adjustment circuit (50). The control unit (70) acquires information on luminance of a reference image in a non-signal state, and information on an average value of luminance of each pixel of a reference image, controls the brightness adjustment circuit, based on the acquired information on luminance of the reference image in a non-signal state, acquires the image in a state where the brightness adjustment circuit (50) is controlled, and adjusts the contrast of the acquired image by controlling the contrast adjustment circuit (42), based on the average value of luminance of each pixel of the reference image.

2. 发明授权

EP3493932B1 ELECTRON BEAM 3D PRINTING MACHINE 有权
公开(公告)号：EP3493932B1
公开(公告)日：2021-01-13
申请号：EP17761595.2
申请日：2017-08-04
发明人： DI DOMENICO, Gildo , LUCIBELLO, Flavio , SCATENA, Lorenzo , ZARCONE, Mariano
IPC分类号： B22F3/105 , B23K15/00 , H01J25/02 , H01J25/36 , H01J25/42 , H01J37/30 , H03B9/04 , H01J25/04 , H01J33/02 , H01J5/18

3. 发明公开

EP3570310A1 VORRICHTUNG ZUM ERZEUGEN BESCHLEUNIGTER ELEKTRONEN 有权
公开(公告)号：EP3570310A1
公开(公告)日：2019-11-20
申请号：EP19174559.5
申请日：2019-05-15
申请人： Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
发明人： Weidauer, André , Rögner, Frank-Holm , Dr. Mattausch, Gösta , Blüthner, Ralf , Vicente Gabas, Ignacio Gabriel , Kubusch, Jörg , Kirchhoff, Volker
IPC分类号： H01J33/04 , G21K5/02
摘要： Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Erzeugen beschleunigter Elektronen, umfassend ein zylinderförmiges Elektronenaustrittsfenster (2) als Bestandteil eines zylinderförmigen Gehäuses, welches einen evakuierbaren Raum (3) umschließt; mindestens eine erste Kathode und eine Anode, mittels denen ein Glimmentladungsplasma im evakuierbaren Raum (3) erzeugbar ist, wobei Ionen aus dem Glimmentladungsplasma auf die Oberfläche mindestens einer zweiten Kathode (4) beschleunigbar und von der mindestens einen zweiten Kathode (4) emittierbare Elektronen in Richtung Elektronenaustrittsfenster (2) beschleunigbar sind, wobei die mindestens eine zweite Kathode (4) zylinderförmig oder stabförmig als zentrales Bauelement entlang der Zylinderachse des zylinderförmigen Elektronenaustrittsfensters (2) ausgebildet ist; das zylinderförmige Gehäuse als erste Kathode ausgebildet ist; die Anode als eine Anzahl drahtförmiger Elektroden (5) ausgebildet ist, wobei die drahtförmigen Elektroden (5) um die zweite Kathode (4) herum angeordnet sind und sich entlang der Zylinderlänge des zylinderförmigen Elektronenaustrittsfensters (2) teilweise oder vollständig durch den evakuierbaren Raum (3) erstrecken; eine erste gitterförmige und zylinderförmige Elektrode (6) die mindestens eine zweite Kathode (4) umschließt, wobei die erste gitterförmige und zylinderförmige Elektrode (6) mit einem kleineren Maß von der zweiten Kathode (4) beabstandet ist als die drahtförmigen Elektroden (5).

5. 发明公开

EP3528273A1 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM PASTEURISIEREN UND/ODER STERILISIEREN VON PARTIKELFÖRMIGEM GUT 有权
公开(公告)号：EP3528273A1
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：EP18157701.6
申请日：2018-02-20
申请人： Bühler AG
发明人： CURRIE, Alasdair
IPC分类号： H01J33/04 , A23L3/26 , A61L2/08 , B65B55/08 , G21K5/00 , A23B9/06
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft Vorrichtungen und Verfahren zum Pasteurisieren und/oder Sterilisieren von partikelförmigem Gut mit Hilfe eines Elektronenstrahls.
Die Vorrichtung (10) enthält mindestens eine Elektronenquelle (20) zum Erzeugen eines Elektronenstrahls, eine Behandlungszone (19), in der das Gut, insbesondere frei fallend, mittels des Elektronenstrahls pasteurisierbar und/oder sterilisierbar ist und einen im Bereich der Behandlungszone (19) angeordneten Gutkanal (21), in dem das Gut mittels des Elektronenstrahls pasteurisierbar und/oder sterilisierbar ist. Zwischen der Elektronenquelle (20) und dem Gutkanal (21) ist ein für den Elektronenstrahl zumindest teilweise durchlässiges flächiges Schutzelement (23) angeordnet. Die Vorrichtung (10) enthält einen Halterahmen (120), der das Schutzelement (23) hält und der einen von einem Kühlfluid durchströmbaren Hohlraum (121) aufweist.

6. 发明公开

EP3500110A1 VORRICHTUNGEN UND VERFAHREN ZUM PASTEURISIEREN UND/ODER STERILISIEREN VON PARTIKELFÖRMIGEM GUT SOWIE KASSETTE 审中-实审
公开(公告)号：EP3500110A1
公开(公告)日：2019-06-26
申请号：EP17761195.1
申请日：2017-08-17
申请人： Bühler AG
发明人： HERSCHE, Martin , MENESES, Nicolas , CURRIE, Alasdair , SCHÖNENBERGER, Niklaus , SCHEIWILLER, Thomas
IPC分类号： A23L3/26 , A01C1/08 , A61L2/08 , B65B55/08 , G21K5/00 , H01J33/00 , B07B13/11 , B07C5/00

7. 发明公开

EP3479392A1 HIGH BRIGHTNESS BORON-CONTAINING ELECTRON BEAM EMITTERS FOR USE IN A VACUUM ENVIRONMENT 无效
公开(公告)号：EP3479392A1
公开(公告)日：2019-05-08
申请号：EP17820934.2
申请日：2017-06-20
申请人： Kla-Tencor Corporation
发明人： SCHULTZ, William G. , DELGADO, Gildardo , HILL, Frances , GARCIA (BERRIOS), Edgardo , GARCIA, Rudy
IPC分类号： H01J33/04 , G21K5/02

8. 发明授权

EP3079803B1 VORRICHTUNG ZUM BEAUFSCHLAGEN VON SCHÜTTGUT MIT BESCHLEUNIGTEN ELEKTRONEN 有权
公开(公告)号：EP3079803B1
公开(公告)日：2019-04-24
申请号：EP14796145.2
申请日：2014-11-12
申请人： Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
发明人： RÖGNER, Frank-Holm , WEIDAUER, André , MATTAUSCH, Gösta , KUBUSCH, Jörg
IPC分类号： A01C1/08 , A61L2/26 , G21K5/00 , H01J33/00

9. 发明公开

EP3234979A1 ELECTRON BEAM WINDOW TILE HAVING NON-UNIFORM CROSS-SECTIONS 审中-公开
标题翻译：具有非均匀截面的电子束窗口瓷砖
公开(公告)号：EP3234979A1
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：EP15871202.6
申请日：2015-12-18
申请人： Energy Sciences Inc.
发明人： ALEXY, Rich , RANGWALLA, Imtiaz , BAROUD, Jonathan
IPC分类号： H01J33/04 , H01J33/00 , G21K1/00
CPC分类号： H01J37/147 , H01J5/18 , H01J33/04 , H01J37/09 , H01J2237/18
摘要： Window tiles for electron beam systems are provided. The window tiles can comprise a first surface and a second surface, and one or more features extending from the first surface to the second surface. The one or more features can have a non-uniform or tapered cross-section between the first surface and the second surface. The first surface can be configured to be exposed to vacuum conditions and can be configured to receive electrons accelerated from an electron beam generator. The second surface can be configured to allow electrons to pass through to a foil. The window tiles can improve electron beam processing systems for example by increasing electron throughput, lowering power consumption, reducing heat absorption to the foil, improving and increasing foil life, and potentially allowing for use of smaller and cheaper machines in electron beam processing.
摘要翻译：提供电子束系统的窗口瓷砖。窗砖可以包括第一表面和第二表面以及从第一表面延伸到第二表面的一个或多个特征。该一个或多个特征可以在第一表面和第二表面之间具有不均匀或渐缩的横截面。第一表面可以被配置为暴露于真空条件下并且可以被配置为接收从电子束发生器加速的电子。第二表面可以被配置为允许电子穿过箔。窗口瓷砖可以改善电子束处理系统，例如通过增加电子通过量，降低功耗，减少对箔片的热吸收，改善和增加箔片寿命，并且潜在地允许在电子束处理中使用更小且更便宜的机器。

10. 发明公开

EP2589062A4 RADIATION WINDOW WITH GOOD STRENGTH PROPERTIES, AND METHOD FOR ITS MANUFACTURING 有权转让
标题翻译：具有产生良好的机械性能和工艺辐射窗口
公开(公告)号：EP2589062A4
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：EP11789306
申请日：2011-02-04
申请人： HS FOILS OY
发明人： SIPILÄ HEIKKI
IPC分类号： H01J35/18 , G01T7/00 , H01J5/18 , H01J33/00
CPC分类号： G21K1/00 , G21K1/02 , H01J5/18 , H01J2235/183 , H01J2235/186 , H01L31/028
摘要： For manufacturing a radiation window for an X-ray measurement apparatus, and etch stop layer is first produced on a polished surface of a carrier. A thin film deposition technique is used to produce a structural layer on an opposite side of said etch stop layer than said carrier. The combined structure comprising said carrier, said etch stop layer, and said structural layer is attached to a region around an opening in a support structure with said structural layer facing said support structure. The carrier is etched away.

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