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    • 8. 发明公开
    • Verfahren zur Verhinderung des Anlaufens von Silberschichten
    • Verfahren zur Verhindung des Anlaufens von Silberschichten
    • EP2196563A1
    • 2010-06-16
    • EP08021571.8
    • 2008-12-12
    • ENTHONE, INCORPORATED
    • Eckert, Hans UllrichRyl, Michael
    • C25D3/50C25D3/56C25D5/48C23F11/16C23C18/16C23C18/44C23C18/54C23C18/52C23C28/02
    • C25D3/50C23C18/1601C23C18/1658C23C18/166C23C18/1689C23C18/1841C23C18/44C23C18/48C23C26/00C23C28/023C23F11/161C25D3/567C25D5/18C25D5/48
    • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verhinderung des Anlaufens von Silber- oder Silberlegierungsschichten. Erfindungsgemäß werden Silber- oder Silberlegierungsschichten mit einer dünnen Schicht eines Metalls der Gruppe bestehend aus Palladium, Platin, Osmium und Rhenium beschichtet, wobei eine solche Beschichtung autokatalytisch oder galvanisch erfolgen kann. In einer Ausgestaltung der Erfindung wird auf die so abgeschiedene Metallschicht noch zusätzlich eine Schicht aus selbstorganisierenden Molekülen wie beispielsweise Hexadecanthiol, Oktadecanthiol und/oder einer Alkansulphonsäure oder deren Derivate aufgebracht. Die so behandelten Silber- oder Silberlegierungsschichten zeigen einen deutlich verbesserten Anlaufschutz und eine erhöhte Korrosionsbeständigkeit.
    • 该方法包括在层厚度为5-100nm的银层上施加金属层,其中金属层使用含有金属离子的电解质与银层接触,并在金属层上施加由自组织分子构成的层 。 银层与酸性电解液接触。 施加电流以在短时间内在银层和对电极之间施加金属层。 电解液与处理溶液接触,处理液具有可由胶体金属还原的还原剂或金属。 该方法包括在层厚度为5-100nm的银层上施加金属层,其中金属层使用含有金属离子的电解质与银层接触,并在金属层上施加由自组织分子构成的层 。 银层与酸性电解液接触。 施加电流以在短时间内在银层和对电极之间施加金属层。 电解液与处理溶液接触,处理液具有可由胶体金属还原的还原剂或金属。 电解液的浓度为1-10 g / l。 在银层和对电极之间调节电流密度为0.5-3A / dm 2>。 电流施加1-10秒的时间段,其中时间段根据电流密度和电解液中金属浓度的规定而固定,使得沉积金属的层厚度 达到5-100nm。 包括银涂层的独立权利要求。