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    • 2. 发明公开
    • Electron beam contactless testing system with grid bias switching
    • System mit umschaltbarer Gittervorspannung zum kontaktlosen Testen mit einem Elektronenstrahl。
    • EP0266535A1
    • 1988-05-11
    • EP87113821.0
    • 1987-09-22
    • International Business Machines Corporation
    • Golladay, Steven DouglasHohn, Fritz JuergenPfeiffer, Hans Christian
    • G01R31/305H01J37/28
    • G01R31/306
    • An electron beam system and method for testing three dimensional networks of conductors embedded in an insulating material specimen without physical contact to detect open and short circuit conditions. Top to top surface wiring is tested by irradiating the specimen with an electron beam at a first beam potential to charge the specimen while negatively biasing a grid placed above the specimen surface, and then irradiating selected portions of the specimen with an electron beam at a second beam potential to read the charge on selected conductors while applying a zero or a positive bias to the grid. In one embodiment the charge beam is a focused scanning beam and the first beam potential is preferably greater than the second beam potential.
    • 一种电子束系统和方法,用于测试嵌入在绝缘材料样品中的导体的三维网络,而无需物理接触以检测开路和短路条件。 通过用第一光束电势的电子束照射样品来测试顶部到顶部的表面布线,以对放置在样品表面上方的栅格进行负偏置,然后在第二个光束下用电子束照射所选样本的部分 光束电位读取所选导体上的电荷,同时向电网施加零或正偏压。 在一个实施例中,充电光束是聚焦扫描光束,并且第一光束电势优选地大于第二光束电势。
    • 3. 发明公开
    • METHOD FOR INSPECTING TERMINAL OF COMPONENT FORMED ON SUBSTRATE AND SUBSTRATE INSPECTION APPARATUS
    • 用于检查在基板和基板检查设备上形成的部件的端子的方法
    • EP3232211A1
    • 2017-10-18
    • EP15867319.4
    • 2015-12-08
    • Koh Young Technology Inc.
    • JEON, Kye-HoonKWON, Dal-An
    • G01R31/04G01R31/28G06T7/00G01R31/306
    • G01R31/04G01N21/8806G01N2021/95638G01R31/28G01R31/306G06T7/0004G06T7/12G06T7/174G06T2207/10024G06T2207/10152G06T2207/30141
    • A substrate inspection apparatus according to an embodiment of the present invention comprises a projection unit, an illumination unit, an image acquisition unit and a processing unit. The projection unit irradiates an inspection target with light for obtaining three-dimensional shape information of the inspection target. The illumination unit irradiates the inspection target with at least two lights having different colors. The image acquisition unit acquires a first image by receiving light irradiated by the projection unit and reflected from the inspection target, and a second image by receiving the lights irradiated by the illumination unit and reflected from the inspection target. The processing unit acquires brightness information and color information from the first image and the second image, respectively, which are acquired by the image acquisition unit, and acquires at least a portion of a boundary by using the bright information and the color information. Therefore, the accuracy and reliability of the inspection can be improved.
    • 根据本发明实施例的基板检查装置包括投影单元,照明单元,图像采集单元和处理单元。 投影单元用光照射检查对象以获得检查对象的三维形状信息。 照明单元用至少两种不同颜色的光照射检查对象。 图像获取单元通过接收由投影单元照射并从检查目标反射的光以及通过接收由照明单元照射并从检查目标反射的光的第二图像来获取第一图像。 处理单元分别从由图像获取单元获取的第一图像和第二图像获取亮度信息和颜色信息,并且通过使用亮信息和颜色信息获取至少一部分边界。 因此,可以提高检查的准确性和可靠性。
    • 5. 发明公开
    • Verfahren zur Bestimmung des Ladungszustands eines Probenbereichs
    • 普罗本布雷奇(Verbahbereichs)。
    • EP0490154A2
    • 1992-06-17
    • EP91120070.7
    • 1991-11-25
    • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
    • Brunner, Matthias, Dr.
    • G01R31/305
    • H01J37/244G01R31/306
    • Moderne Verfahren zum Testen der elektrischen Eigenschaften von Leiterplatten und keramischen Verbindungsmodulen verwenden Elektronensonden, um Leitungsnetzwerke gezielt aufzuladen und die sich entsprechend der Netzwerkgeometrie und der vorhandenen Kurzschlüsse und Unterbrechungen ausbildende Ladungsverteilung abzutasten. Um den Ladungszustands eines Kontaktpunktes mit Hilfe einer auf diesem positionierten Elektronensonde (PE) innerhalb kurzer Zeit bestimmen zu können, wird vorgeschlagen, die ausgelösten Sekundärelektronen (SE) einem Konverter (KP) zuzuführen, den im Konverter (KP) erzeugten Sekundärteilchenstrom in einem Detektor (MP, V) zu messen und ein den Sekundärteilchenstrom repräsentierendes Signal (I) mit einem Schwellenwert (SW) zu vergleichen. Durch geeignete Vorgabe des Kontaktpunktpotentials und des Schwellenwertes (SW) kann man erreichen, daß nur die von geladenen Kontaktpunkten (2) emittierten Sekundärelektronen (SE) im Konverter (KP) einen für die Erzeugung eines Meßsignals (U A ) ausreichend hohen Sekundärteilchenstrom auslösen.
    • 用于测试电路板和陶瓷连接模块的电气特性的现代方法使用电子探针,以便根据网络几何形状和现有的短路和中断来选择性地充电线路网络和扫描电荷分布形成。 为了能够借助位于其上的电子探针(PE)在短时间内确定接触点的充电状态,建议将释放的二次电子(SE)提供给转换器(KP), 测量在检测器(MP,V)中的转换器(KP)中产生的二次粒子电流,并将表示次级粒子电流的信号(I)与阈值(SW)进行比较。 接触点电位和阈值(SW)的适当预设可以具有这样的结果,即只有由电荷接触点(2)发射的二次电子(SE)在转换器(KP)中触发足够高的次级电流 用于产生测量信号(UA)。
    • 8. 发明公开
    • Verfahren zur Prüfung einer Leiterplatte mit einer Teilchensonde
    • Verfahren zurPrüfungeiner Leiterplatte mit einer Teilchensonde。
    • EP0402499A1
    • 1990-12-19
    • EP89110728.6
    • 1989-06-13
    • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
    • Brunner, Matthias, Dr. Ing.Wessely, Hermann, Dipl.-Ing.
    • G01R31/28
    • G01R31/2805G01R31/306
    • Zur Durchführung der Verfahren zur Prüfung der elektrischen Eigenschaften von Leiterplatten mit der Elektronensonde werden üblicherweise modifizierte Rasterelektronenmikroskope einge­setzt. Deren Abtastfeld ist aber infolge des Ablenkfarbfehlers und der mit dem Ablenkwinkel stark anwachsenden Aberrationen der Objektivlinse begrenzt. Um auch größere Leiterplatten ohne aufwendige Verbesserung der Elektronenoptik testen zu können wird vorgeschlagen, die Leiterplatte in mehrere aneinander­grenzende Bereiche zu unterteilen, wobei die Größe der Be­reiche jeweils annähernd der Größe des Abtastfeldes ent­spricht. Jedes der nur innerhalb eines der Bereiche liegenden Netzwerke wird dann in der bekannten Weise getestet. Um Kurz­schlüsse zwischen Netzwerken verschiedener Bereich sowie Unterbrechungen zwischen Kontaktpunkten bereichsübergreifender Netzwerke nachzuweisen, schließt sich dem bekannten Prüfver­fahren ein weiterer Testzyklus an.
    • 为了通过电子探针进行电路板的电气特性的测试,通常使用改进的扫描电子显微镜。 然而,由于偏转引起的色差和物镜的像差大大地随偏转角而增加,所以其扫描场受到限制。 为了能够在没有电子光学的复杂改进的情况下测试甚至相对较大的电路板,建议将电路板细分成几个相邻区域,每种情况下的区域尺寸大致对应于扫描场的大小。 然后以熟悉的方式测试仅位于一个区域内的每个网络。 已知的测试过程之后是另一个测试周期,以验证不同区域的网络之间的短路和在几个区域上延伸的网络的接触点之间的中断。
    • 10. 发明公开
    • Verfahren zur Bestimmung des Ladungszustands eines Probenbereichs
    • 用于确定样品区域电荷的方法
    • EP0490154A3
    • 1992-09-30
    • EP91120070.7
    • 1991-11-25
    • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
    • Brunner, Matthias, Dr.
    • G01R31/305
    • H01J37/244G01R31/306
    • Moderne Verfahren zum Testen der elektrischen Eigenschaften von Leiterplatten und keramischen Verbindungsmodulen verwenden Elektronensonden, um Leitungsnetzwerke gezielt aufzuladen und die sich entsprechend der Netzwerkgeometrie und der vorhandenen Kurzschlüsse und Unterbrechungen ausbildende Ladungsverteilung abzutasten. Um den Ladungszustands eines Kontaktpunktes mit Hilfe einer auf diesem positionierten Elektronensonde (PE) innerhalb kurzer Zeit bestimmen zu können, wird vorgeschlagen, die ausgelösten Sekundärelektronen (SE) einem Konverter (KP) zuzuführen, den im Konverter (KP) erzeugten Sekundärteilchenstrom in einem Detektor (MP, V) zu messen und ein den Sekundärteilchenstrom repräsentierendes Signal (I) mit einem Schwellenwert (SW) zu vergleichen. Durch geeignete Vorgabe des Kontaktpunktpotentials und des Schwellenwertes (SW) kann man erreichen, daß nur die von geladenen Kontaktpunkten (2) emittierten Sekundärelektronen (SE) im Konverter (KP) einen für die Erzeugung eines Meßsignals (U A ) ausreichend hohen Sekundärteilchenstrom auslösen.
    • 用于测试电路板和陶瓷连接模块的电气特性的现代方法使用电子探针,以便根据网络几何形状和现有的短路和中断来选择性地充电线路网络和扫描电荷分布形成。 为了能够借助位于其上的电子探针(PE)在短时间内确定接触点的充电状态,建议将释放的二次电子(SE)提供给转换器(KP), 测量在检测器(MP,V)中的转换器(KP)中产生的二次粒子电流,并将表示次级粒子电流的信号(I)与阈值(SW)进行比较。 接触点电位和阈值(SW)的适当预设可以具有这样的结果,即只有由电荷接触点(2)发射的二次电子(SE)在转换器(KP)中触发足够高的次级电流 用于产生测量信号(UA)。