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1. 发明公开

EP2995704A3 SIC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME 审中-公开
公开(公告)号：EP2995704A3
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：EP15183263.1
申请日：2015-09-01
申请人： Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha
发明人： SHIRAI, Takayuki
IPC分类号： C30B9/06 , C30B19/04 , C30B19/10 , C30B29/36
CPC分类号： C30B19/10 , C30B9/06 , C30B19/02 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/08 , C30B19/106 , C30B19/12 , C30B29/36 , H01L29/04 , H01L29/1608
摘要： A low-resistance p-type SiC single crystal containing no inclusions is provided. This is achieved by a method for producing a SiC single crystal wherein a SiC seed crystal substrate 14 is contacted with a Si-C solution 24 having a temperature gradient in which the temperature falls from the interior toward the surface, to grow a SiC single crystal, and wherein the method comprises: using, as the Si-C solution, a Si-C solution containing Si, Cr and Al, wherein the Al content is 3 at% or greater based on the total of Si, Cr and Al, and making the temperature gradient y (°C/cm) in the surface region of the Si-C solution 24 satisfy the following formula (1): y ≥ 0.15789x + 21.52632 (1) wherein x represents the Al content (at%) of the Si-C solution.

2. 发明授权

EP0227125B1 Creuset pour l'épitaxie en phase liquide de couches semiconductrices 失效
标题翻译：用于半导体膜的液相外延片的容器
公开(公告)号：EP0227125B1
公开(公告)日：1989-09-13
申请号：EP86201816.5
申请日：1986-10-20
申请人： LABORATOIRES D'ELECTRONIQUE ET DE PHYSIQUE APPLIQUEE L.E.P. , Philips Electronics N.V.
发明人： Latorre, Bernard Société Civile S.P.I.D. , Martin, Guy Société Civile S.P.I.D.
IPC分类号： C30B19/06 , C30B29/48
CPC分类号： C30B19/067 , C30B19/063 , C30B19/068

3. 发明授权

EP2940196B1 METHOD FOR PRODUCING N-TYPE SIC SINGLE CRYSTAL 有权
标题翻译：用于生产的N-型的单晶SIC
公开(公告)号：EP2940196B1
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：EP13866596.3
申请日：2013-04-01
申请人： TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
发明人： SHIRAI, Takayuki
IPC分类号： C30B29/36 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/06
CPC分类号： C30B19/062 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/067 , C30B19/068 , C30B19/08 , C30B19/106 , C30B19/12 , C30B29/36

4. 发明公开

EP2940196A4 METHOD FOR PRODUCING n-TYPE SiC SINGLE CRYSTAL 有权
标题翻译：用于生产的N-型的单晶SIC
公开(公告)号：EP2940196A4
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：EP13866596
申请日：2013-04-01
申请人： TOYOTA MOTOR CO LTD
发明人： SHIRAI TAKAYUKI
IPC分类号： C30B29/36 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/06
CPC分类号： C30B19/062 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/067 , C30B19/068 , C30B19/08 , C30B19/106 , C30B19/12 , C30B29/36

5. 发明公开

EP3040452A4 N-TYPE SiC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME 有权
标题翻译： SIC EINSTRISTALL N-TYP及其生产方法
公开(公告)号：EP3040452A4
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：EP14839731
申请日：2014-07-23
申请人： TOYOTA MOTOR CO LTD
发明人： SHIRAI TAKAYUKI
IPC分类号： C30B29/36 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/06 , C30B19/12
CPC分类号： C30B19/04 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/12 , C30B29/36
摘要： A n-type SiC single crystal with low resistivity and low threading dislocation density is provided, which is achieved by a n-type SiC single crystal containing germanium and nitrogen, wherein the density ratio of the germanium and the nitrogen [Ge/N] satisfies the relationship 0.17

6. 发明公开

EP0227125A1 Creuset pour l'épitaxie en phase liquide de couches semiconductrices 失效
标题翻译：坩埚的半导体层的液相外延。
公开(公告)号：EP0227125A1
公开(公告)日：1987-07-01
申请号：EP86201816.5
申请日：1986-10-20
申请人： LABORATOIRES D'ELECTRONIQUE ET DE PHYSIQUE APPLIQUEE L.E.P. , Philips Electronics N.V.
发明人： Latorre, Bernard Société Civile S.P.I.D. , Martin, Guy Société Civile S.P.I.D.
IPC分类号： C30B19/06 , C30B29/48
CPC分类号： C30B19/067 , C30B19/063 , C30B19/068
摘要： L'invention concerne un creuset (71) pour la croissance de couches épitaxiales, de composés chimiques formés de plusieurs éléments chimiques, par la méthode d'épitaxie en phase liquide, comprenant une embase allongée (72) sur laquelle une partie mobile (73) glisse longitudinalement, l'embase (72) comprenant au moins un logement pour y placer un substrat (76) sur lequel se dépose au moins une couche épitaxiale, la partie mobile comprenant au moins une cavité (77), recevant une source mère (79) formée de matériaux initiaux d'épitaxie, la cavité (77) présentant, sur la face qui jouxte l'embase, une ouverture inférieure dont les dimensions sont en rapport avec les dimensions des substrats qui y sont présentés. Elle est remarquable en ce que la partie mobile (73) présente sur toute sa longueur une rainure longitudinale, sur la face qui glisse longitudinalement sur l'embase (72), cette rainure ayant une profondeur légèrement supérieure aux irrégularités du substrat (76) et suffisamment faible pour que la source mère (79) ne puisse passer par capillarité, et une largeur inférieure aux dimensions du substrat afin que celui-ci ne puisse y pénétrer, et en ce que dans le logement de l'embase (72) est placé un élévateur (75), sur lequel est placé le substrat (76), qui maintient celui-ci plaqué sur les bords latéraux de la rainure, l'élévateur (75) étant maintenu en position à l'aide d'une légère force développée par un système de pression, en particulier un fléau dissymétrique (90) mobile autour d'un axe (91) ou un ressort en quartz.
L'invention trouve son application dans la croissance de couches épitaxiales semiconductrices de composés semiconducteur notamment de Hg 1-x Cd x Te.
Application : Croissances de couches épitaxiales.

7. 发明公开

EP3040452A1 N-TYPE SiC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME 有权
标题翻译： SIC-EINKRISTALL VOM N-TYP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DAVON
公开(公告)号：EP3040452A1
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：EP14839731.8
申请日：2014-07-23
申请人： TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
发明人： SHIRAI, Takayuki
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/04
CPC分类号： C30B19/04 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/12 , C30B23/00 , C30B29/36 , C30B29/66
摘要： A n-type SiC single crystal with low resistivity and low threading dislocation density is provided, which is achieved by a n-type SiC single crystal containing germanium and nitrogen, wherein the density ratio of the germanium and the nitrogen [Ge/N] satisfies the relationship 0.17
摘要翻译：提供了具有低电阻率和低穿透位错密度的n型SiC单晶，其通过包含锗和氮的n型SiC单晶实现，其中锗和氮的密度比[Ge / N]满足关系0.17 <[Ge / N] <1.60。

8. 发明公开

EP2995704A2 SIC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME 审中-公开
标题翻译： SIC单晶及其制造方法
公开(公告)号：EP2995704A2
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：EP15183263.1
申请日：2015-09-01
申请人： Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha
发明人： SHIRAI, Takayuki
IPC分类号： C30B9/06 , C30B19/04 , C30B19/10 , C30B29/36
CPC分类号： C30B19/10 , C30B9/06 , C30B19/02 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/08 , C30B19/106 , C30B19/12 , C30B29/36 , H01L29/04 , H01L29/1608
摘要： A low-resistance p-type SiC single crystal containing no inclusions is provided. This is achieved by a method for producing a SiC single crystal wherein a SiC seed crystal substrate 14 is contacted with a Si-C solution 24 having a temperature gradient in which the temperature falls from the interior toward the surface, to grow a SiC single crystal, and wherein the method comprises: using, as the Si-C solution, a Si-C solution containing Si, Cr and Al, wherein the Al content is 3 at% or greater based on the total of Si, Cr and Al, and making the temperature gradient y (°C/cm) in the surface region of the Si-C solution 24 satisfy the following formula (1): y ≥ 0.15789x + 21.52632 (1) wherein x represents the Al content (at%) of the Si-C solution.
摘要翻译：提供不含夹杂物的低电阻p型SiC单晶。这通过用于制造SiC单晶的方法来实现，其中SiC晶种衬底14与具有温度从内部朝向表面下降的温度梯度的Si-C溶液24接触以生长SiC单晶并且其中所述方法包括：使用包含Si，Cr和Al的Si-C溶液作为Si-C溶液，其中基于Si，Cr和Al的总量计，Al含量为3原子％或更高;以及使得Si-C溶液24的表面区域中的温度梯度y（℃/ cm）满足下式（1）：y≥0.15789x+ 21.52632（1）其中x表示Al含量（at％） Si-C解决方案。

9. 发明公开

EP2183410A1 METHODS AND APPARATUSES FOR MANUFACTURING CAST SILICON FROM SEED CRYSTALS 审中-公开
标题翻译：制造方法和制造铸造硅从种子DEVICES
公开(公告)号：EP2183410A1
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：EP08826605.1
申请日：2008-07-16
申请人： BP Corporation North America Inc.
发明人： STODDARD, Nathan, G. , WU, Bei , CLARK, Roger, F. , CLIBER, James, A.
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/06 , H01L31/18 , F27B14/06
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/02 , C30B19/067 , C30B29/06 , F27B14/06 , H01L31/0312 , H01L31/036 , H01L31/1804 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10T117/1092 , Y10T428/12528
摘要： Methods and apparatuses are provided for casting silicon for photovoltaic cells and other applications. With these methods, an ingot can be grown that is low in carbon and whose crystal growth is controlled to increase the cross-sectional area of seeded material during casting.

10. 发明授权

EP3040452B1 N-TYPE SIC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME 有权
标题翻译： N型SIC单晶及其制造方法
公开(公告)号：EP3040452B1
公开(公告)日：2017-07-19
申请号：EP14839731.8
申请日：2014-07-23
申请人： TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
发明人： SHIRAI, Takayuki
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/04 , C30B17/00 , C30B9/10 , C30B19/12 , C30B19/06
CPC分类号： C30B19/04 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/12 , C30B23/00 , C30B29/36 , C30B29/66
摘要： A n-type SiC single crystal with low resistivity and low threading dislocation density is provided, which is achieved by a n-type SiC single crystal containing germanium and nitrogen, wherein the density ratio of the germanium and the nitrogen [Ge/N] satisfies the relationship 0.17
摘要翻译：通过含有锗和氮的n型SiC单晶实现了具有低电阻率和低穿透位错密度的n型SiC单晶，其中锗和氮的密度比[Ge / N]满足关系0.17 <[Ge / N] <1.60。

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