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    • 8. 发明公开
    • Verfahren zur Herstellung eines optischen Bauteils aus synthetischem Quarzglas mit erhöhter Strahlenbeständigkeit, sowie Rohling zur Herstellung des Bauteils
    • 一种用于具有增加的耐辐射性制造光学合成石英玻璃部件,以及空白的制造过程组件
    • EP1982963A1
    • 2008-10-22
    • EP08154312.6
    • 2008-04-10
    • Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG
    • KUEHN, BodoKAISER, SteffenKASSUBE, DenisMERGET, Kerstin
    • C03B20/00C03B32/00C03C3/06C03C4/00
    • C03B25/02C03B19/1453C03B32/00C03B2201/075C03B2201/21C03C3/06C03C4/0085C03C2201/21C03C2201/23C03C2203/42C03C2203/52Y02P40/57
    • Um ein optisches Bauteil aus synthetischem Quarzglas, bei dem ein Quarzglasrohling einer mehrstufigen Temperbehandlung unterzogen wird, hinsichtlich Kompaktierung und zentraler Doppelbrechung zu optimieren, wird erfindungsgemäß ein Verfahren vorgeschlagen, das folgende Verfahrensschritte umfasst:
      (a) eine erste Behandlungsphase, während der der Quarzglasrohling in einem oberen Temperaturbereich zwischen 1130 °C und 1230 °C behandelt wird,
      (b) ein Abkühlen des Quarzglasrohlings mit einer ersten, - höheren - mittleren Abkühlrate auf eine Abschrecktemperatur unterhalb von 1100 °C, wobei sich im Quarzglas eine fiktive Temperatur mit einem hohen Mittelwert von 1100 °C oder mehr einstellt,
      (c) eine zweite Behandlungsphase, die ein Abkühlen des Quarzglasrohlings mit einer zweiten - niedrigeren - mittleren Abkühlrate umfasst, und bei der der Quarzglasrohling in einem unteren Temperaturbereich zwischen 950 °C und 1100 °C derart behandelt wird, dass sich im Quarzglas eine fiktive Temperatur mit einem niedrigen Mittelwert einstellt, der um mindestens 50 °C niedriger liegt als der hohe Mittelwert der fiktiven Temperatur gemäß Verfahrensschritt (b).
    • 为了优化,其中的多级退火的石英玻璃坯料相对于压实和中央双折射进行光学合成石英玻璃部件,提出一种方法,用本发明,包括以下步骤:(a)第一处理阶段,在此期间石英玻璃坯料中 1130℃与1230℃之间的更高温度范围进行处理,(b)冷却该石英玻璃坯料与第一, - 高 - 平均冷却速率低于1100℃的淬火温度,其中所述二氧化硅玻璃具有高平均值的假想温度 1100℃或更多组,(c)第二处理阶段,所述石英玻璃的冷却坯件与第二 - 下 - 包括平均冷却速度,并且其中,所述石英玻璃坯料是在较低的温度范围内以这样的方式处理的950℃和1100℃之间 的是,在石英玻璃具有假想Ť emperature套具有低平均值至少是50℃比在处理步骤(b)的假想温度的高平均值低。