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1. 发明授权

EP1052520B1 Magnetoelectric device 有权
标题翻译：磁电设备
公开(公告)号：EP1052520B1
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：EP99303615.1
申请日：1999-05-10
申请人： HITACHI EUROPE LIMITED
发明人： Tsukagoshi, Kazuhito , Alphenaar, Bruce W. , Mizuta, Hiroshi
IPC分类号： G01R33/09 , H01F10/08 , G11B5/33
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , H01F1/0072 , H01F10/324

2. 发明授权

EP0809128B1 Optical switch 失效
公开(公告)号：EP0809128B1
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：EP96303692.6
申请日：1996-05-23
申请人： HITACHI EUROPE LIMITED
发明人： Baumberg, Jeremy John , Heberle, Albert P.
IPC分类号： G02F1/015
CPC分类号： B82Y20/00 , G02F1/01716 , G02F1/3515

3. 发明授权

EP0849697B1 A hand gesture recognition system and method 失效
标题翻译：一种用于识别手势的方法和系统
公开(公告)号：EP0849697B1
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：EP96650057.1
申请日：1996-12-20
申请人： HITACHI EUROPE LIMITED
发明人： Smith, Anthony V. W. , Sutherland, Alistair I. , Lemoine, Arnaud , McGrath, Sean A.
IPC分类号： G06K9/00 , G06K9/46
CPC分类号： G06K9/4647 , G06K9/00355

4. 发明公开

EP1262911A1 Quantum computer 审中-公开
标题翻译： Quantenrechner
公开(公告)号：EP1262911A1
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：EP01304745.1
申请日：2001-05-30
申请人： HITACHI EUROPE LIMITED
发明人： Williams, David , Cain, Paul
IPC分类号： G06N1/00
CPC分类号： G06N99/002 , B82Y10/00
摘要： A quantum computer (57) comprises a trench-isolated channel region (2) formed in a boron-doped silicon germanium layer which has narrow channel regions (7, 8, 9) which form tunnel barriers and wide channel regions (10, 11) which define first and second quantum dots (10, 11). Tunnelling between the first and second quantum dots is controlled by a side gate (58) and/or a surface gate (69). The quantum states used to represent a qubit may be defined as |an excess hole on the first quantum dot〉 and |an excess hole on the second quantum dot〉. A Hadamard Transformation U H of an initial state maybe effected by application of a pulse to the side or surface gate. The first and second tunnel quantum dots are of unequal size which helps decouple the quantum computer from the environment.
摘要翻译：量子计算机（57）包括形成在硼掺杂硅锗层中的沟槽隔离沟道区（2），其具有形成隧道势垒和宽沟道区（10,11）的窄沟道区（7,8,9）其限定第一和第二量子点（10,11）。在第一和第二量子点之间的隧道由侧栅极（58）和/或表面栅极（69）控制。用于表示量子位的量子态可以被定义为第一量子点上的过量孔和第二量子点上的多余的孔。初始状态的Hadamard变换UH可以通过向侧面或表面栅施加脉冲来实现。第一和第二隧道量子点具有不相等的大小，这有助于将量子计算机与环境分离。

5. 发明公开

EP1235170A1 Performing a purchasing transaction 审中-公开
标题翻译： Ausführeneiner Einkaufstransaktion
公开(公告)号：EP1235170A1
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：EP01301547.4
申请日：2001-02-21
申请人： HITACHI EUROPE LIMITED
发明人： Ito, Atsushi
IPC分类号： G06F17/60
CPC分类号： G06Q30/02
摘要： A system for performing a purchasing transaction utilises a mobile station (1) to make a purchase through a mobile network (PLMN3) that has a network accounting server (18) which bills network subscriber charges to the subscriber. The mobile station (1) acts as a client station and sends an order for a selected purchase to a vending server (16) that offers at least one purchasing opportunity to the mobile station through the network. The vending server may be coupled to the mobile network through the Internet. The vending server then transmits invoice information for the selected purchase to the mobile station, which is then forwarded to the network accounting server (18) for billing to the subscriber along with the usual network usage charges in a common bill. The network accounting server then generates receipt information corresponding to the invoice information and forward the receipt information to the vending server to enable delivery of the purchase. The invoice and receipt information may be digitally signed for authentication purposes.
摘要翻译：用于执行购买交易的系统利用移动台（1）通过具有网络计费服务器（18）的移动网络（PLMN3）进行购买，所述网络计费服务器向帐户收取网络用户费用。移动台（1）充当客户站，并向所述移动台通过网络提供至少一个购买机会的售货服务器（16）发送所选购买的订单。售货服务器可以通过因特网耦合到移动网络。然后，售货服务器将所选择的购买的发票信息发送到移动台，随后将其发送到网络计费服务器（18），以便在通用帐单中与通常的网络使用费一起向用户计费。然后，网络记帐服务器生成与发票信息相对应的收据信息，并将收据信息转发到售货服务器以实现购买交货。发票和收据信息可以进行数字签名以进行认证。

6. 发明公开

EP1229590A1 Correlated charge transfer device and a method of fabricating a correlated charge transfer device 审中-公开
标题翻译： Korrelative Ladungsverschiebungsanordnung und Verfahren zur Herstellung
公开(公告)号：EP1229590A1
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：EP01300880.0
申请日：2001-01-31
申请人： Japan Science and Technology Corporation , HITACHI EUROPE LIMITED , CAMBRIDGE UNIVERSITY TECHNICAL SERVICES LIMITED
发明人： Kamiya, Toshio , Durrani, Zahid Ali Khan , Tan, Young Tong , Ahmed, Haroon, Master's Lodge , Mizuta, Hiroshi , Furuta, Yoshikazu
IPC分类号： H01L29/76
CPC分类号： B82Y10/00 , H01L29/66439 , H01L29/7613
摘要： A single-electron transistor (1) has a point-contact channel (2) and side gates (5) formed in a granular layer (6). The granular layer is fabricated by depositing a nanocrystalline silicon layer (6') using plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD), carrying out oxidation in dry oxygen at 750 °C and performing an anneal in argon at 1000 °C. The granular layer comprises crystalline conductive regions (9) and amorphous insulating regions (10), wherein the amorphous region forms a tunnel barrier with a height greater than 100 meV. The single-electron transistor exhibits Coulomb blockade at room temperature.
摘要翻译：单电子晶体管（1）具有形成在颗粒层（6）中的点接触通道（2）和侧栅极（5）。通过使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）沉积纳米晶硅层（6'），在750℃的干燥氧气中进行氧化并在1000℃的氩气中进行退火来制造颗粒层。颗粒层包括晶体导电区域（9）和非晶绝缘区域（10），其中非晶区域形成高度大于100meV的隧道势垒。单电子晶体管在室温下表现出库仑阻滞。

7. 发明授权

EP0581723B1 An automatic design process and apparatus 失效
标题翻译：自动设计方法及装置
公开(公告)号：EP0581723B1
公开(公告)日：2001-09-19
申请号：EP93650027.1
申请日：1993-07-28
申请人： HITACHI EUROPE LIMITED
发明人： Cunningham, Padraig, Dr. , Smyth, Barry
IPC分类号： G06F9/44 , G06F17/50
CPC分类号： G06N5/022 , G06F17/50

8. 发明公开

EP1120791A1 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译： HALBLEITERSCHALTUNG
公开(公告)号：EP1120791A1
公开(公告)日：2001-08-01
申请号：EP99969937.4
申请日：1999-09-29
申请人： Hitachi, Ltd. , HITACHI EUROPE LIMITED
发明人： ITO, Kiyoo Ctr. Res. Lab., Hitachi, Ltd. , NAKAZATO, Kazuo Hitachi Europe Limited
IPC分类号： G11C11/40 , G11C16/04 , H01L27/108
CPC分类号： H01L27/108 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C16/04
摘要： [Object] A conventional large capacity DRAM (dynamic random access memory) tends to become unstable in operation because of the low read signal voltage of the memory cell. If the memory cell is provided with a gain to raise the signal voltage, then the memory cell area will increase. Therefore a memory cell stable in operation, small in area and capable of RAM operation is called for.
[Constitution] For instance, an MOS transistor for holding an information voltage, a write transistor for providing the information voltage (e.g. a tunnel transistor) and a capacitor for controlling the gate voltage may be three-dimensionally structured into a memory cell. [Effect] An inexpensive semiconductor capable of fast and stable operation can be realized. Furthermore, even a nonvolatile RAM function can be added.
摘要翻译： Ä对象由于存储单元的低信号电压，传统的大容量DRAM（动态随机存取存储器）在操作中往往变得不稳定。如果存储单元被提供增益以提高信号电压，则存储器单元区域将增加。因此，需要在操作中稳定的存储单元，面积小并且能够进行RAM操作。例如，用于保持信息电压的MOS晶体管，用于提供信息电压的写晶体管（例如隧道晶体管）和用于控制栅极电压的电容器可以被三维地构造成存储单元。 ÄEffectÜ可以实现能够快速稳定运行的便宜的半导体。此外，甚至可以添加非易失性RAM功能。

9. 发明公开

EP0965872A1 An optically active device 失效
标题翻译： Optisch aktive Vorrichtung
公开(公告)号：EP0965872A1
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：EP98304870.3
申请日：1998-06-19
申请人： HITACHI EUROPE LIMITED
发明人： Baumberg, Jeremy J.
IPC分类号： G02F1/015
CPC分类号： B82Y20/00 , G02F1/017
摘要： A p-i-n electroabsorption modulator uses GaAs/AlGaAs quantum wells (7a, 7b, 7c, 7d, 7e) to absorb light (25) at a resonant frequency (λ 1 ). By arranging the wells in such a way that they become optically coupled, light is absorbed through a delocalised absorption mode called a polariton. This results in a resonance (9) with a narrower spectral linewidth (Δλ Σ' ) than has previously been achieved and is used to increase the switching efficiency of the device. Using this new absorbing mode, the performances of waveguides and non-linear optical switches are also improved.
摘要翻译： p-i-n电吸收调制器使用GaAs / AlGaAs量子阱（7a，7b，7c，7d，7e）以共振频率（λ1）吸收光（25）。通过以这样的方式布置阱，使得光被光耦合，光被称为极化子的离域吸收模式吸收。这导致具有比先前已经实现的更窄的谱线宽（DELTA lambda SIGMA'）的共振（9），并且用于提高器件的开关效率。使用这种新的吸收模式，波导和非线性光开关的性能也得到提高。

10. 发明授权

EP0735509B1 Image processing for facial feature extraction 失效
标题翻译：用于检测面部特征的图像处理方法
公开(公告)号：EP0735509B1
公开(公告)日：1999-01-27
申请号：EP95650009.4
申请日：1995-03-31
申请人： HITACHI EUROPE LIMITED
发明人： Smith, Anthony , Sako, Hiroshi , Sutherland, Alistair , Abe, Masahiro
IPC分类号： G06T7/00
CPC分类号： G06K9/00228 , G06T7/73

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