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1. 发明公开

EP3818566A1 DÉTECTEUR BI-SPECTRAL AMÉLIORÉ 有权
公开(公告)号：EP3818566A1
公开(公告)日：2021-05-12
申请号：EP19732639.0
申请日：2019-06-21
申请人： THALES , Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
发明人： DELGA, Alexandre , REVERCHON, Jean-Luc
IPC分类号： H01L27/146

2. 发明公开

EP3190621A1 DISPOSITIF HYBRIDE DE DETECTION MULTISPECTRALE A BASE D ELEMENTS MONOLITHIQUES 有权转让
标题翻译：基于单片元件的混合多光谱检测装置
公开(公告)号：EP3190621A1
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：EP17150548.0
申请日：2017-01-06
申请人： Thales , COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
发明人： DARTOIS, Thierry , RENARD, Christophe , REVERCHON, Jean-Luc
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/762
CPC分类号： H01L27/14634 , H01L21/76251 , H01L27/14621 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/1465 , H04N5/3692
摘要： La présente invention concerne un dispositif hybride de détection (10) multispectrale comprenant un premier détecteur (21) implanté dans un substrat silicium (31), comprenant une pluralité de premiers capteurs (101) juxtaposés, et sensible au rayonnement visible et proche infrarouge, un deuxième détecteur (22) implanté dans un matériau absorbant (32) composé d'un matériau III-V comprenant une pluralité de deuxièmes capteurs juxtaposés et sensible au rayonnement infrarouge, un premier et un deuxième filtre interférentiel (25) recouvrant respectivement le premier et le deuxième détecteur, chaque filtre ayant une fenêtre de transmission spectrale différente et un gabarit contraint, un circuit de lecture (310) commun aux deux détecteurs, implanté dans le substrat silicium, et configuré pour intégrer simultanément et de façon synchrone les signaux issus des différents capteurs. Le deuxième détecteur est collé sur le substrat silicium, chaque capteur du deuxième détecteur comprenant au moins une connexion configurée pour faire transiter les signaux du capteur au circuit de lecture.
摘要翻译：本发明涉及一种包括多个（101）并列的第一传感器的检测混合装置（10）的多光谱，其包括第一检测器（21），在硅衬底中注入（31），以及响应于可见光和近红外辐射，位于在包括多个并置的第二传感器，并且响应于红外辐射，一个第一和一个第二干涉滤光器覆盖第一和分别III-V材料（25）构成的吸收材料（32）第二检测器（22）第二检测器，每个滤波器具有不同的光谱透射窗和约束模板，一读出电路（310）通用于所述硅衬底中注入的两个传感器，并且被配置为同时同步的信号从各种传感器集成。第二检测器被结合到硅衬底，第二检测器的每个传感器包括被配置为将信号从传感器传递到读取电路的至少一个连接。

3. 发明授权

EP2641113B1 HUBLOT OPTRONIQUE TRANSPARENT IR ET REFLECHISSANT RF 有权
标题翻译：采用IR透明度和RF反射光电WINDOW
公开(公告)号：EP2641113B1
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：EP11784484.5
申请日：2011-11-15
申请人： THALES
发明人： CZARNY, Romain , REVERCHON, Jean-Luc , PATE, Michel , LOISEAUX, Brigitte , BERGINC, Gérard
IPC分类号： G02B1/10 , H05K9/00 , H01L31/0352
CPC分类号： H05K9/0058 , G02B5/204 , G02B5/207 , G02B2207/121 , H01L31/1016 , H01L31/109 , H05K1/0274 , H05K9/0094

4. 发明公开

EP3482421A1 DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ET IMAGEUR ASSOCIÉ 有权
公开(公告)号：EP3482421A1
公开(公告)日：2019-05-15
申请号：EP17737264.6
申请日：2017-07-07
申请人： Thales , Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
发明人： EVIRGEN, Axel , REVERCHON, Jean-Luc
IPC分类号： H01L31/109

5. 发明公开

EP3482419A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PHOTODÉTECTEUR COMPRENANT UN EMPILEMENT DE COUCHES SUPERPOSÉES 有权
公开(公告)号：EP3482419A1
公开(公告)日：2019-05-15
申请号：EP17734768.9
申请日：2017-07-06
申请人： Thales , Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
发明人： REVERCHON, Jean-Luc , EVIRGEN, Axel , LE GOFF, Florian
IPC分类号： H01L27/146

6. 发明公开

EP2786412A1 BLOC DETECTEUR OPTIQUE 有权转让
标题翻译：光学探测单元
公开(公告)号：EP2786412A1
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：EP12798673.5
申请日：2012-11-29
申请人： Thales , Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives , ALCATEL LUCENT
发明人： GIFFARD, Benoit , HUGON, Xavier , MOUSSY, Norbert , REVERCHON, Jean-Luc , BOIS, Philippe
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14649 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14647 , H01L27/1465 , H01L27/14652 , H01L27/14683 , H01L27/1469 , H04N5/32 , H04N5/378
摘要： This optical detector unit is a hybrid unit operating in a given wavelength range and comprises, superposed: a first optical detector (12) comprising detecting elements (18) formed in a semiconductor structure (20), each detecting element (18) being intended to convert a flux of incident photons into an electrical signal; and a first read circuit for reading the electrical signal from each detecting element (18). The optical detector unit (10) furthermore comprises an imaging system (14) comprising a second optical detector (28) intended to increase the operating wavelength range of the optical detector unit (10) and a second read circuit for reading electrical signals from detecting elements (18) of the second optical detector (28). The first and second read circuit are integrated together, so as to form a common read circuit (30).

7. 发明授权

EP3482419B1 PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PHOTODÉTECTEUR COMPRENANT UN EMPILEMENT DE COUCHES SUPERPOSÉES 有权
公开(公告)号：EP3482419B1
公开(公告)日：2020-04-08
申请号：EP17734768.9
申请日：2017-07-06
申请人： Thales , Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
发明人： REVERCHON, Jean-Luc , EVIRGEN, Axel , LE GOFF, Florian
IPC分类号： H01L27/146

8. 发明公开

EP3391414A1 ELÉMENT DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT ET IMAGEUR COMPRENANT UN ENSEMBLE D'ÉLÉMENTS DÉTECTEURS DE RAYONNEMENT 有权
公开(公告)号：EP3391414A1
公开(公告)日：2018-10-24
申请号：EP16819864.6
申请日：2016-12-16
申请人： Thales , Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
发明人： LEGOFF, Florian , REVERCHON, Jean-Luc , KAZMIERSKI, Christophe , DECOBERT, Jean
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14694 , H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L27/14636 , H01L27/14638 , H01L27/14649 , H01L27/14652
摘要： The invention relates to a radiation detector element (10) comprising a stack (15) of layers superimposed in a stacking direction (Z), the stack (15) comprising a first face (25) and a second face (30) and comprising a radiation absorbing layer (35) produced from a first semiconductor material having a first bandgap value and at least one barrier layer (40) produced from a second semiconductor material having a second bandgap value, the second bandgap value being strictly greater than the first bandgap value. The stack (15) also delimits a primary hole (32) passing through each of the layers of the stack (15), the primary hole (32) at least partially accommodating a primary electrode (55). The barrier layer (40) comprises a first conductive area (75) having a free-carrier density greater than or equal to 1.1017 cm-3.

9. 发明公开

EP4358156A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PHOTODIODES À HÉTÉROJONCTIONS DURCIES AUX IRRADIATIONS 审中-公开
公开(公告)号：EP4358156A1
公开(公告)日：2024-04-24
申请号：EP23204117.8
申请日：2023-10-17
申请人： THALES , Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
发明人： DEMIGUEL, Stéphane , REVERCHON, Jean-Luc , BENFANTE, Marco
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L27/146 , H01L31/105
CPC分类号： H01L27/14649 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/105 , H01L27/14683
摘要： La présente invention propose un procédé de fabrication d'un composant optoélectronique comprenant au moins une photodiode, les étapes du procédé permettant de déplacer le champ électrique de collection des porteurs dans la couche la moins sensible aux radiations, réduisant ainsi l'influence de l'irradiation sur le courant d'obscurité.

10. 发明公开

EP3353818A1 PHOTODÉTECTEUR COMPRENANT UN EMPILEMENT DE COUCHES SUPERPOSÉES 审中-公开
公开(公告)号：EP3353818A1
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：EP16778718.3
申请日：2016-09-23
申请人： THALES , Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
发明人： REVERCHON, Jean-Luc , BOIS, Philippe
IPC分类号： H01L31/09
CPC分类号： H01L31/109 , H01L31/02161 , H01L31/03046 , H01L31/035272 , H01L31/09
摘要： The present invention relates to a photodetector which includes, in series along a stacking direction: a first layer (C1) forming a substrate of a first semiconductor material; a second layer (C2) forming a photoabsorbent layer of a second semiconductor material having a second gap; a third layer (C3) forming a barrier layer of a third semiconductor material; and a fourth layer (C4) forming a window layer of a fourth semiconductor material, the first material, the third material and the fourth material each having a gap larger than the second gap, the fourth material being n-doped or non-doped and the third material being non-doped or lightly p-doped when the second material is n-doped, and the fourth material being p-doped or non-doped and the third material being non-doped or lightly n-doped when the second material is p-doped.

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