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1. 发明公开

EP0446438A3 Verfahren zur definierten Spannungseinstellung bei überkopfzündfesten Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelemente mit definierter Überkopfzündspannung 失效
标题翻译：在具有稳定电压断路器的半导体器件中设定电压的方法和具有良好的断开电压的半导体器件
公开(公告)号：EP0446438A3
公开(公告)日：1992-04-22
申请号：EP90123238.9
申请日：1990-12-04
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Kuhnert, Reinhold, Dr. , Schwarzbauer, Herbert, Dr. , Türkes, Peter, Dr.
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/04 , H01L29/74 , H01L29/861 , H01L21/3063
CPC分类号： H01L21/30608 , H01L21/3083 , H01L29/7424 , H01L29/861
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur definierten Spannungseinstellung bei überkopfzündfesten Halbleiterbauelementen, mit definierter Überkopfzündspannung, wobei an einer dafür vorgesehenen Stelle, mit Hilfe einer Vertiefung V P bzw. V PS in der Oberfläche, ein darunterliegendes Dotierungsgebiet 2 so gestaltet wird, daß es der Vertiefungskontur im Bereich unterhalb der Vertiefung folgt und sich die Dotierungsgrenzfläche D P bzw. D PS ausbilden. Ist die Vertiefungsform fest vorgegeben, so hängt damit die Überkopfzündspannung nur noch vom gut zu beherrschenden Dotierungsprofil ab und kann dadurch definiert und reproduzierbar eingestellt werden. Erfindungsgemäß kann eine fest vorgegebene, zum Beispiel pyramiden- bzw. pyramidenstumpfförmige Vertiefung, durch die Wahl des Wafermaterials, durch die Form und Orientierung der Maskenöffnung und bei anisotroper Ätzung, auf einfache Weise erzeugt werden. Wird anschließend von der Seite der Vertiefung aus dotiert, so entsteht ein entsprechend der Vertiefung definiert geformtes Dotierungsgebiet.

2. 发明公开

EP0242626A2 Verfahren zur Befestigung von elektronischen Bauelementen auf einem Substrat 失效
标题翻译：一种用于在基板上安装电子部件的方法。
公开(公告)号：EP0242626A2
公开(公告)日：1987-10-28
申请号：EP87104440.0
申请日：1987-03-25
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Schwarzbauer, Herbert, Dr.
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/4828 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/27848 , H01L2224/29339 , H01L2224/8319 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/83948 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/1301 , H01L2924/13091 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , Y10S148/012 , Y10S148/054 , H01L2924/00
摘要： Bei der Befestigung von elektronischen Bauelementen (B), insbesondere von großflächigen Leistungshalbleitern, auf einem Substrat (S) wird zunächst eine aus Metallpulver, vorzugsweise Silberpulver, und einem Lösungsmittel bestehende Paste (P) schichtförmig auf die Kontaktierungsschicht (KS) des Bauelements (B) und/oder die Kontaktoberfläche (KO) des Substrats (S) aufgetragen und dann getrocknet. Nach dem Trocknen der Paste (P) wird dann das Bauelement (B) auf das Substrat (S) aufgesetzt, worauf die gesamte Anordnung unter gleichzeitiger Ausübung eines mechanischen Druckes von mindestens 900 N/cm², vorzugsweise von mindestens 1500 N/cm², auf Sintertemperatur erwärmt wird. Diese Verbindung durch Drucksintern bei relativ niedrigen Sintertemperaturen von vorzugsweise 180°C bis 250°C ist insbesondere für die Befestigung von in MOS-Technik hergestellten Leistungshalbleitern auf einem Substrat (S) geeignet.
摘要翻译：当基板（S），首先，将金属粉末，优选为银粉末，在电子部件（B），特别是大面积的功率半导体，安装和现有涂覆到所述接触层中的组分（KS）（B）的溶剂膏（P）和/或基板（S）的接触面（KO），然后干燥。干燥后，将膏（P）放置，则组分（B）与基体（S），于是整个组件具有至少900N / cm的机械压力的同时运动，优选至少1500N /平方厘米，以烧结温度被加热。这在优选为180℃的相对低的烧结温度到250℃的连接由压力烧结特别适合的基板（S）上在MOS技术的功率半导体器件制造的附着。

3. 发明公开

EP0477600A1 Verfahren zum Befestigen eines mit wenigstens einem Halbleiterbauelement versehenen Halbleiterkörpers auf einem Substrat 失效
标题翻译：一种用于安装方法在基板上的设置有至少一个半导体器件的半导体主体。
公开(公告)号：EP0477600A1
公开(公告)日：1992-04-01
申请号：EP91114776.7
申请日：1991-09-02
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Schwarzbauer, Herbert, Dr.
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/58
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/31 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L29/0657 , H01L2221/68327 , H01L2224/27505 , H01L2224/29339 , H01L2224/743 , H01L2224/83191 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/94 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/10158 , H01L2924/1301 , H01L2924/14 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/27
摘要： Verfahren zum Befestigen eines mit wenigstens einem Bauelement versehenen Halbleiterkörpers (1) auf einem Substrat, bei dem die Unterseite des Halbleiterkörpers (1) mit einer ersten Kontaktierungsschicht (6) und einer diese abdeckenden Metallpulverschicht (10) und die Oberseite des Substrats mit einer zweiten Kontaktierungsschicht versehen werden und die beschichteten Flächen des Halbleiterkörpers und des Substrats unter Erhitzen zusammengepreßt werden. Besteht der Halbleiterkörper (1) aus einem Teil einer Halbleiterscheibe (11), die eine Vielzahl von gleichartigen oder ähnlichen Teilen aufweist, so werden die erste Kontaktierungsschicht (6) und die Metallpulverschicht (10) nach der Erfindung auf der Rückseite der Halbleiterscheibe (11) für alle Halbleiterkörper gemeinsam aufgebracht, wonach die Metallpulverschicht angesintert wird, die Halbleiterscheibe auf eine Klebefolie aufgeklebt wird, die Halbleiterscheibe anschließend entlang von den Halbleiterkörper umgebenden Trennungslinien an-oder durchgesägt wird und der vereinzelte Halbleiterkörper von der Klebefolie abgezogen und auf dem Substrat befestigt wird.
摘要翻译：（1）设置有至少一个组件附接的半导体本体的方法的基板，其中，所述半导体主体（1）的下侧设置有第一接触层（6）和金属粉末层（10）覆盖后者与所述基板的上侧设置有第二接触层，并在加热的同时在半导体本体和所述基板的涂布面被压到一起。如果半导体主体（1）besteht的半导体晶片的一部分（11），其包含相同或类似的部分的雅丁多个，所述第一接触层（6）和金属粉末层（10）与本发明是共同施加到所有半导体本体的半导体晶片（11）的后侧。此金属粉末层烧结上之后，将半导体晶片粘附在粘合剂电影，半导体晶片然后部分锯或完全呼叫沿着围绕半导体本体和分离的半导体主体隔离线锯通过剥离的粘性膜并连接到基底上。 ... ...

4. 发明公开

EP0389862A3 Abschaltbarer Thyristor 失效
标题翻译：关闭晶闸管
公开(公告)号：EP0389862A3
公开(公告)日：1990-12-19
申请号：EP90104736.5
申请日：1990-03-13
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Oppermann, Klaus-Günter, Dipl.-Phys. , Schwarzbauer, Herbert, Dr. , Stengl, Reinhard, Dr. Dipl.-Phys.
IPC分类号： H01L29/74 , H03K17/73
CPC分类号： H01L29/7408 , H01L29/0649 , H01L29/0839 , H01L29/7455 , H03K17/732
摘要： Ein Emitter des Thyristors ist in eine Vielzahl von Emittergebieten (2 bis 5) aufgeteilt. Diese werden in einer Hauptfläche (1a) des Thyristors von ersten Elektroden (10 bis 13) kontaktiert, die über individuell zugeordnete Widerstandselemente (Rv) mit einem Hauptanschluß (K) des Thyristors verbunden sind. Neben den Emittergebieten sind weitere Elektroden (14 bis 17) vorgesehen, über die jeweils parallele Abschaltstrompfade (18 bis 21) von der an die Emittergebiete angrenzenden Basis (6) über Feldeffekttransistoren (T1 bis T4) zu dem genannten Hauptanschluß (K) hin verlaufen. Durch die Widerstandselemente (Rv) wird sichergestellt, daß sich die auf die einzelnen Emittergebiete (2 bis 5) entfallenden Laststromanteile sämtlich zuverlässig abschalten lassen.
摘要翻译：晶闸管的发射极被分成多个发射极区域（2至5）。这些是在第一电极（10〜13）触点的晶闸管的主面（1a）中，通过单独分配电阻元件（RV）与晶闸管的主端子（K）被连接。除了通过各个并行Abschaltstrompfade从邻近发射区基座设置另外的电极的发射极区（14至17）（18至21）（6）的场效应晶体管（T1至T4）向所述主终端（K）向延伸。电阻元件（Rv）确保可归因于各个发射极区域（2至5）的负载电流分量都可靠地切断。

5. 发明公开

EP0389862A2 Abschaltbarer Thyristor 失效
标题翻译： Abschaltbarer晶闸管。
公开(公告)号：EP0389862A2
公开(公告)日：1990-10-03
申请号：EP90104736.5
申请日：1990-03-13
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Oppermann, Klaus-Günter, Dipl.-Phys. , Schwarzbauer, Herbert, Dr. , Stengl, Reinhard, Dr. Dipl.-Phys.
IPC分类号： H01L29/74 , H03K17/73
CPC分类号： H01L29/7408 , H01L29/0649 , H01L29/0839 , H01L29/7455 , H03K17/732
摘要： Ein Emitter des Thyristors ist in eine Vielzahl von Emittergebieten (2 bis 5) aufgeteilt. Diese werden in einer Hauptfläche (1a) des Thyristors von ersten Elektroden (10 bis 13) kontaktiert, die über individuell zugeordnete Widerstandselemente (Rv) mit einem Hauptanschluß (K) des Thyristors verbunden sind. Neben den Emittergebieten sind weitere Elektroden (14 bis 17) vorgesehen, über die jeweils parallele Abschaltstrompfade (18 bis 21) von der an die Emittergebiete angrenzenden Basis (6) über Feldeffekttransistoren (T1 bis T4) zu dem genannten Hauptanschluß (K) hin verlaufen. Durch die Widerstandselemente (Rv) wird sichergestellt, daß sich die auf die einzelnen Emittergebiete (2 bis 5) entfallenden Laststromanteile sämtlich zuverlässig abschalten lassen.
摘要翻译：晶闸管的发射极分为多个发射极区域（2〜5）。通过分别指定的电阻元件（Rv）连接到晶闸管的主触点（K）的第一电极（10至13）在晶闸管的主面（1a）中对后者进行接触。除了发射极区域之外，还提供了另外的电极（14至17），通过该电极，断开电流通路（18至21）在所有情况下平行，从邻近发射极区域的基极（6）经过场效应晶体管（T1至T4）连接到所述主触点（K）。电阻元件（Rv）确保分配给各个发射极区域（2至5）的所有负载电流分量可以被可靠地关闭。

6. 发明公开

EP0764978A2 Verfahren zur Befestigung elektronischer Bauelemente auf einem Substrat durch Drucksintern 失效
标题翻译：法国电影电视台电视台电视台
公开(公告)号：EP0764978A2
公开(公告)日：1997-03-26
申请号：EP96112831.1
申请日：1996-08-08
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Schwarzbauer, Herbert, Dr.
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/29 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/743 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/29339 , H01L2224/8319 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/1301 , H01L2924/00
摘要： Bei einem aus der EP-0 242 626 B1 bekannten Verfahren zur Befestigung elektronischer Bauelemente auf einem Substrat durch Drucksintern muß auf zumindest einer Komponente eine Schicht (3) aus einem sinterfähigen Metallpulver erzeugt werden. Diese Schicht wird erfindungsgemäß durch Abscheiden eines durch Verdampfen und Kondensieren eines Metalls gewonnenen nanokristallinen Metallpulvers auf der betreffenden Komponente erzeugt.
摘要翻译：为了将电子部件安装并固定到基板上，通过加压烧结，将可烧结的粉末层（3）施加到基板（1）的部件和/或接触表面（11）的接触表面上，。将接触表面压在一起，并加热至烧结温度。以烧结结合层（3）。通过蒸发和冷凝金属沉积层（3），其中在表面上形成纳米晶体金属粉末的气体压力为100-1000Pa。层（3）是银，沉积在He气氛中以生长和发展成层结构。

7. 发明公开

EP0446438A2 Verfahren zur definierten Spannungseinstellung bei überkopfzündfesten Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelemente mit definierter Überkopfzündspannung 失效
标题翻译：过程在überkopfzündfesten半导体部件和具有限定Überkopfzündspannung半导体器件限定的电压设置。
公开(公告)号：EP0446438A2
公开(公告)日：1991-09-18
申请号：EP90123238.9
申请日：1990-12-04
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Kuhnert, Reinhold, Dr. , Schwarzbauer, Herbert, Dr. , Türkes, Peter, Dr.
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/04 , H01L29/74 , H01L29/861 , H01L21/3063
CPC分类号： H01L21/30608 , H01L21/3083 , H01L29/7424 , H01L29/861
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur definierten Spannungseinstellung bei überkopfzündfesten Halbleiterbauelementen, mit definierter Überkopfzündspannung, wobei an einer dafür vorgesehenen Stelle, mit Hilfe einer Vertiefung V P bzw. V PS in der Oberfläche, ein darunterliegendes Dotierungsgebiet 2 so gestaltet wird, daß es der Vertiefungskontur im Bereich unterhalb der Vertiefung folgt und sich die Dotierungsgrenzfläche D P bzw. D PS ausbilden. Ist die Vertiefungsform fest vorgegeben, so hängt damit die Überkopfzündspannung nur noch vom gut zu beherrschenden Dotierungsprofil ab und kann dadurch definiert und reproduzierbar eingestellt werden. Erfindungsgemäß kann eine fest vorgegebene, zum Beispiel pyramiden- bzw. pyramidenstumpfförmige Vertiefung, durch die Wahl des Wafermaterials, durch die Form und Orientierung der Maskenöffnung und bei anisotroper Ätzung, auf einfache Weise erzeugt werden. Wird anschließend von der Seite der Vertiefung aus dotiert, so entsteht ein entsprechend der Vertiefung definiert geformtes Dotierungsgebiet.
摘要翻译：本发明涉及一种在其中对导通击发抗性和具有良好定义的转折点火电压的半导体器件良好定义的方式设定电压的方法。在该方法中，在所规定的目的的位置上，一掺杂区2下方有凹陷VP或VPS的在搜索表面帮助下形成的方式没有它遵循在该区域的凹陷轮廓的凹陷和掺杂下方边界表面DP或DPS形成。如果凹部的形状是固定的，导通点火电压只取决于掺杂轮廓，它可以很好的控制，并因此可以在一个良好定义的和可重复的方式进行设置。。根据本发明，一个固定的，例如，锥体形或截头棱锥凹陷可以容易地通过晶片材料，形状和掩模开口的方向，的选择范围，通过使用各向异性蚀刻来制造。如果掺杂，然后从该凹陷的一侧进行时，产生具有良好限定的形状和对应于该凹部的掺杂区域。

9. 发明授权

EP0446438B1 Verfahren zur definierten Spannungseinstellung bei überkopfzündfesten Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelemente mit definierter Überkopfzündspannung 失效
标题翻译：过程用于在具有限定Überkopfzündspannungüberkopfzündfesten半导体组件和半导体器件限定的电压设定
公开(公告)号：EP0446438B1
公开(公告)日：1996-05-01
申请号：EP90123238.9
申请日：1990-12-04
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Kuhnert, Reinhold, Dr. , Schwarzbauer, Herbert, Dr. , Türkes, Peter, Dr.
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/04 , H01L29/74 , H01L29/861 , H01L21/3063
CPC分类号： H01L21/30608 , H01L21/3083 , H01L29/7424 , H01L29/861

10. 发明公开

EP0460286A2 Verfahren und Anordnung zum Verbinden von einem Halbleiter mit einem Substrat oder zur Nachbehandlung einer Halbleiter/Substrat-Verbindung durch berührungsfreies Pressen 失效
标题翻译：方法和装置，用于连接半导体与衬底或用于按压后处理的半导体/底物化合物的通过非接触。
公开(公告)号：EP0460286A2
公开(公告)日：1991-12-11
申请号：EP90123453.4
申请日：1990-12-06
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Schwarzbauer, Herbert, Dr.
IPC分类号： H01L21/603
CPC分类号： H01L21/67121 , H01L21/565 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L2224/27505 , H01L2224/29339 , H01L2224/75305 , H01L2224/75745 , H01L2224/83002 , H01L2224/83136 , H01L2224/8319 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/83907 , H01L2224/8392 , H01L2224/83951 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/19043
摘要： Die Erfindung betrifft Verfahren, bei denen durch ein chemisch inertes und nicht festes Medium Druck auf eine Halbleiteroberfläche (0) ausgeübt wird,wobei zum Beispiel mit Hilfe einer Abdichtung (6a) verhindert wird, daß sich ein Gegendruck in einer Zwischenschicht (2) aufbaut. Eine Verbindung zwischen dem Halbleiter (3) und dem Substrat (1) erfolgt durch Drucksintern oder durch Diffusionsschweißen. Eine Berührung zwischen einem aktivem, inneren Bereich des Halbleiters und einem Preßkolben kann dadurch vermieden werden, daß der Preßkolben einen erhabenen und ringförmigen äußeren Bereich zur Abdichtung besitzt und der eigentliche Preßdruck durch das Druckmedium über eine im Preßkolben befindliche Bohrung bewirkt wird. Dieser erhabene Rand zur Abdichtung kann sich, anstatt auf dem Preßkolben, auch auf dem Halbleiter befinden. Wird ein Halbleiterbauelement mit einer Kunststoffschmelze umspritzt, so kann diese Kunststoffschmelze selbst als Druckmedium dienen.
摘要翻译：本发明涉及其中在半导体表面上的压力（0）是由化学惰性和非实体介质所施加的，从而防止，例如，通过密封件（图6a）的方式处理，在中间层（2）的反压力被建立。半导体（3）和所述基板（1）之间的连接是通过加压烧结或扩散焊接制成。能够避免在半导体的有源，内部区域和柱塞之间的接触，所述柱塞具有用于密封和由通过位于孔中的柱塞的压力介质的实际加压力的升高和环状外部区域。为密封该凸起的边缘也可以是在柱塞，还对半导体。是封装有塑料熔体的半导体器件，该塑料熔化物本身可以用作打印介质上。

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