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1. 发明公开

EP3141960A2 FERTIGUNGSANLAGE ZUR HERSTELLUNG VON INTEGRIERTEN SCHALTKREISEN AUS HALBLEITER-WAFERN SOWIE WAFFELELEMENT FÜR EINE FERTIGUNGSANLAGE 有权转让
标题翻译：制造工厂半导体晶片和WAFFLE元素的集成电路期制造商厂生产
公开(公告)号：EP3141960A2
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：EP16001979.0
申请日：2016-09-12
申请人： M+W Group GmbH
发明人： Schneider, Hartmut , Eberle, Freyja , Köhler, Steffen , Csàtary, Peter , Blaschitz, Herbert
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： E04F15/02177 , E04B5/43 , E04B5/48 , E04F2290/02 , E04H5/02 , G03F7/702 , G03F7/708 , G03F7/70991 , H01L21/67225
摘要： Die Fertigungsanlage dient zur Herstellung von integrierten Schaltkreisen auf Halbleiter-Wafern und hat wenigstens einen Strahlungserzeuger, der eine EUV-Strahlung erzeugt. Sie wird wenigstens einer Lithografie-Maschine zur Belichtung der Wafer zugeführt. Die Lithografie-Maschine ist in einem Fabrikationsgebäude (1) untergebracht. Der Strahlungserzeuger befindet sich in einem vom Fabrikationsgebäude (1) getrennten Gebäude (3) oder Gebäudeabschnitt. Die EUV-Strahlung wird über wenigstens eine Strahlführung (9) dem Fabrikationsgebäude (1) zugeführt. Von der Strahlführung (9) zweigt unter einem stumpfen Winkel wenigstens eine Zuleitung (21) ab, über die wenigstens ein Teil der EUV-Strahlung der Lithografie-Maschine (2) zugeführt wird. Das Waffelelement (22) hat wenigstens einen Durchlass (27), der rechteckigen Umriss aufweist und mit einer Mittelebene des Waffelelementes (22), in Draufsicht auf das Waffelelement (22) gesehen, einen spitzen Winkel (α) einschließt. Die Fertigungsanlage sowie das Waffelelement (22) ermöglichen eine kostengünstige und einfache Gestaltung der Zuführung der EUV-Strahlung zur Lithografie-Maschine (2).
摘要翻译：用于在半导体晶片上制造集成电路的生产设施，并具有产生的EUV辐射的至少一个辐射发生器。它被馈送到至少一个光刻机以暴露晶片。在厂房光刻机（1）容纳。辐射发生器位于厂房中的一个（1）独立的建筑（3）或建筑的部分。 EUV辐射是通过至少一个光束导向（9）的制造建筑物（1）提供。束导管（9）在从至少一个进料管线（21）的钝角分支，经由光刻机（2）的EUV辐射的至少一部分供电。晶片构件（22）具有矩形轮廓的至少一个通道（27）和具有在晶片元件（22），在晶片元件（22）的俯视的中央平面中，锐角（±）包括。制造系统和晶片构件（22）允许所述EUV辐射的供给到光刻机（2）的廉价且简单的结构。

2. 发明授权

EP3141960B1 FERTIGUNGSANLAGE ZUR HERSTELLUNG VON INTEGRIERTEN SCHALTKREISEN AUS HALBLEITER-WAFERN SOWIE WAFFELELEMENT FÜR EINE FERTIGUNGSANLAGE 有权转让
公开(公告)号：EP3141960B1
公开(公告)日：2019-10-09
申请号：EP16001979.0
申请日：2016-09-12
申请人： M+W Group GmbH
发明人： Schneider, Hartmut , Eberle, Freyja , Köhler, Steffen , Csátary, Peter , Blaschitz, Herbert
IPC分类号： G03F7/20 , F24F3/16 , E04B5/48 , H01L21/67 , E04B5/43 , E04F15/02 , E04H5/02

3. 发明公开

EP3141960A3 FERTIGUNGSANLAGE ZUR HERSTELLUNG VON INTEGRIERTEN SCHALTKREISEN AUS HALBLEITER-WAFERN SOWIE WAFFELELEMENT FÜR EINE FERTIGUNGSANLAGE 有权转让
标题翻译：制造工厂半导体晶片和WAFFLE元素的集成电路期制造商厂生产
公开(公告)号：EP3141960A3
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：EP16001979.0
申请日：2016-09-12
申请人： M+W Group GmbH
发明人： Schneider, Hartmut , Eberle, Freyja , Köhler, Steffen , Csàtary, Peter , Blaschitz, Herbert
IPC分类号： G03F7/20 , F24F3/16 , E04B5/48
CPC分类号： E04F15/02177 , E04B5/43 , E04B5/48 , E04F2290/02 , E04H5/02 , G03F7/702 , G03F7/708 , G03F7/70991 , H01L21/67225
摘要： Die Fertigungsanlage dient zur Herstellung von integrierten Schaltkreisen auf Halbleiter-Wafern und hat wenigstens einen Strahlungserzeuger, der eine EUV-Strahlung erzeugt. Sie wird wenigstens einer Lithografie-Maschine zur Belichtung der Wafer zugeführt. Die Lithografie-Maschine ist in einem Fabrikationsgebäude (1) untergebracht. Der Strahlungserzeuger befindet sich in einem vom Fabrikationsgebäude (1) getrennten Gebäude (3) oder Gebäudeabschnitt. Die EUV-Strahlung wird über wenigstens eine Strahlführung (9) dem Fabrikationsgebäude (1) zugeführt. Von der Strahlführung (9) zweigt unter einem stumpfen Winkel wenigstens eine Zuleitung (21) ab, über die wenigstens ein Teil der EUV-Strahlung der Lithografie-Maschine (2) zugeführt wird. Das Waffelelement (22) hat wenigstens einen Durchlass (27), der rechteckigen Umriss aufweist und mit einer Mittelebene des Waffelelementes (22), in Draufsicht auf das Waffelelement (22) gesehen, einen spitzen Winkel (α) einschließt. Die Fertigungsanlage sowie das Waffelelement (22) ermöglichen eine kostengünstige und einfache Gestaltung der Zuführung der EUV-Strahlung zur Lithografie-Maschine (2).
摘要翻译：用于制造在半导体晶片上的集成电路的处理设施上设置有至少一个辐射发生器确实产生EUV（极远紫外线）辐射率也被提供给至少一个光刻机，安置在一个厂房，对于半导体晶片的曝光。放射线生成器是在建筑物或建筑物部分从所述厂房分开饲养。至少一个光束导向从建筑物或建筑物部到厂房，worin EUV辐射从建筑物或通过所述至少一个光束导向到厂房建筑部供给延伸。在在从工厂建筑物内的所述至少一个光束导引钝角关闭至少一个供电线路分支，worin至少EUV辐射的一部分通过所述至少一个供给管线到光刻机提供。

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