专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

3. 发明公开

EP2562784A2 Sensoranordnung zur Charakterisierung von Plasmabeschichtungs-, Plasmaätz- und Plasmabehandlungsprozessen sowie Verfahren zur Ermittlung von Kenngrößen in diesen Prozessen 有权
标题翻译：用于参数在这些过程中的确定等离子喷涂，等离子蚀刻和等离子处理过程和程序的表征传感器布置
公开(公告)号：EP2562784A2
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：EP12005982.9
申请日：2012-08-22
申请人： Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH
发明人： Ellmer, Klaus , Harbauer, Karsten
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32935 , G01B7/066 , H01J37/32917 , H05H1/0075
摘要： Bei der beanspruchten Sensoranordnung ist die dem Plasmaätz-, Plasmabeschichtungs- oder Plasmabehandlungsprozess ausgesetzte Frontelektrode (2) des Schwingquarzes (1) isoliert gegen das Gehäuse (5) der Anordnung und als planare Langmuir-Sonde ausgebildet und mit einem außerhalb der Plasmaanlage angeordneten Strom-Spannungs-Kennlinien-Messgerät (14) zur Messung der Langmuir-Kennlinie (I L (U)) verbunden, gegenüber der Rückelektrode (3) des Schwingquarzes (1) ist ein pyrometrischer Sensor (4) zur Messung der mittleren Temperatur (T Q ) der Rückelektrode (3) des Schwingquarzes (1) angeordnet und der Schwingquarz (1) mit seiner als planare Langmuir-Sonde ausgebildeten Frontelektrode (2) und der pyrometrische Sensor (4) bilden einen Kombinationssensor (10), der in einem Sensorgehäuse (5) angeordnet ist, das eine der Frontelektrode (2) des Schwingquarzes (1) gegenüber liegende Öffnung aufweist, außerhalb des Sensorgehäuses (5) zwischen dessen Öffnung und der Plasmaquelle in der Plasmaanlage eine schwenkbare Abschirmblende (9) angeordnet ist, der Kombinationssensor (10) verfahrbar ausgebildet und mit Mess-(12, 13, 14) und Auswerteeinheiten und diese mit einem Rechner (15) zur Datenaufnahme, -auswertung und -darstellung verbunden sind, wobei der Schwingquarz (1) mit einer Messeinheit (13) für die Bestimmung der Schwingquarzfrequenz (f Q ) und die planare Langmuir-Sonde (14) mit einer Messeinheit für die Messung ihrer Strom-Spannungs-Kennlinie (I L (U)) und der pyrometrische Sensor (4) mit einem Messverstärker (12) verbunden ist, und der Rechner (15) mittels eines Messprogramms aus diesen Messgrößen die Abscheide - bzw. Ätzrate (R(t)), die Plasmadichte (n e bzw. n i ), die Elektronentemperatur (T e ) und den totalen Energieeintrag (E ein ) der Plasmaprozesse ermittelt.
摘要翻译：一种用于在等离子体系统表征等离子体涂层 - 和等离子体蚀刻的传感器装置，包括：至少一个石英晶体（1）与前电极（2）和背面电极（3），其中，所述水晶的正面电极暴露于等离子体蚀刻或等离子体涂层，是绝缘的相对于壳体（5）的布置的，并且形成为平坦的朗缪尔探针; 用于测量所述背面电极的平均温度的测温传感器（4）; 和枢轴能够筛选隔膜布置在所述等离子体单元的开口与等离子体源之间的传感器壳体的外部。一种用于在等离子体系统表征等离子体涂层 - 和等离子体蚀刻的传感器装置，包括：至少一个石英晶体（1）与前电极（2）和背面电极（3），其中，所述水晶的正面电极暴露于等离子体蚀刻或等离子体涂层，是绝缘的相对于壳体（5）的装置的，并形成为平面朗缪尔探针，并与等离子体系统外的安排下，用于测量所述朗缪尔特性的电流 - 电压特性曲线的测量装置相连接曲线; 一个测温传感器（4）设置成相对于背面电极，用于测量所述背面电极的平均温度，并用它的前电极的石英形成为平坦的朗缪尔探针和所述测温传感器，形成一个组合的传感器，所有这一切都被布置在传感器壳体，并具有开口以相对置到前电极; 和枢轴能够筛选隔膜布置在所述等离子体单元的开口与等离子体源之间的传感器壳体的外部。组合传感器是可移动的，并且具有测量 - 和评估单元，其被连接到用于数据采集， - 分析和-display的计算机。与水晶的确定性采矿频率的测量单元和所述平面朗缪尔探针的石英与测量单元连接的用于测量其电流电压特性曲线，以及测温传感器与测量放大器相连。计算机确定性地雷沉积或蚀刻速率，和等离子体密度，电子温度和等离子体工艺的总能量输入，使用测量程序从所测量的量。因此独立claimsoft包括用于确定性采矿在等离子体系统中的等离子体涂层和等离子体蚀刻的特点，用于生产薄的层，其包含（i）同时测量（a）所述的石英晶体的共振频率，（b）该IU特性平面朗缪尔探针，和（c）的后电极的在与毫秒的时间分辨率，以秒的等离子体腔室中的传感器组合的位置处的平均温度，（ii）所述测量数据传送给计算机进行数据的曲线采集， - 分析和-display，和（iii）确定的采矿等离子体涂覆或等离子体蚀刻,:的参数，如由手段层厚度或沉积或蚀刻速率，等离子体密度，电子温度和能量输入从反式mitted数据计算机程序，其中，石英晶体和朗缪尔探针的几何尺寸的层厚度，或沉积或蚀刻速率，等离子体密度和e的确定期间被认为是 Lectron温度和能量输入校准因子总能量流入的确定期间考虑。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式