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1. 发明授权

EP3252830B1 PROCÉDÉ DE RÉALISATION DE MOTIFS PAR IMPLANTATIONS IONIQUES 有权
公开(公告)号：EP3252830B1
公开(公告)日：2019-01-02
申请号：EP17173571.5
申请日：2017-05-30
申请人： Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
发明人： LANDIS, Stefan , BARNOLA, Sébastien , DAVID, Thibaut , NOURI, Lamia , POSSEME, Nicolas
IPC分类号： H01L31/0236 , B82Y40/00 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L33/00 , H01J37/317 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L31/18 , H01L21/306

2. 发明公开

EP3252830A1 PROCÉDÉ DE RÉALISATION DE MOTIFS PAR IMPLANTATIONS IONIQUES 有权
标题翻译：离子注入实现模式的方法
公开(公告)号：EP3252830A1
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：EP17173571.5
申请日：2017-05-30
申请人： Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
发明人： LANDIS, Stefan , BARNOLA, Sébastien , DAVID, Thibaut , NOURI, Lamia , POSSEME, Nicolas
IPC分类号： H01L31/0236 , B82Y40/00 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L33/00 , H01J37/317 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L31/18
CPC分类号： H01J37/3175 , B82Y40/00 , H01J37/3053 , H01J37/3171 , H01J2237/08 , H01L21/26586 , H01L21/30608 , H01L31/02363 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L33/005 , H01L33/20 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： L'invention porte notamment sur un procédé de formation de reliefs à la surface (101) d'un substrat (100), le procédé comprenant au moins les étapes suivantes:
- une première implantation d'ions dans le substrat (100) selon une première direction (112) ;
- une deuxième implantation d'ions dans le substrat (100) selon une deuxième direction (132) différente de la première direction (112);
- au moins l'une des première et deuxième implantations est réalisée à travers au moins un masque (121, 221) présentant au moins un motif (120, 220);
- une gravure de zones (106, 108, 208) du substrat (100) ayant reçu par implantation une dose supérieure ou égale à un seuil, sélectivement aux zones (107, 109) du substrat (100) n'ayant pas reçu par implantation une dose supérieure audit seuil ;
les paramètres des première et deuxième implantations étant réglées de manière à ce que uniquement des zones (106, 108, 208) du substrat (100) ayant été implantées à la fois lors de la première implantation et lors de la deuxième implantation reçoivent une dose supérieure ou égale audit seuil.
摘要翻译：本发明尤其涉及一种在衬底（100）的表面（101）上形成浮雕的方法，该方法至少包括以下步骤：在衬底（100）中根据第一方向（112）; 以不同于所述第一方向（112）的第二方向（132）在所述衬底（100）中进行第二离子注入; 通过具有至少一个图案（120,220）的至少一个掩模（121,221）执行第一和第二植入中的至少一个; 具有通过注入剂量大于或等于阈值接收到的衬底（100）的蚀刻区域（106，108，208），选择性地向区域（107，109）的衬底（100）不具有通过注入接收的 - 高于所述阈值的剂量; 调整第一和第二植入的参数，使得在第一植入期间和第二植入期间仅植入基板（100）的区域（106,108,208）接收较高剂量或等于所述阈值。

3. 发明授权

EP3358631B1 FORMATION DE RELIEFS À LA SURFACE D'UN SUBSTRAT 有权
公开(公告)号：EP3358631B1
公开(公告)日：2019-07-31
申请号：EP18154922.1
申请日：2018-02-02
申请人： Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
发明人： NOURI, Lamia , LANDIS, Stefan , POSSEME, Nicolas
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/26 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/3065

4. 发明公开

EP3249468A1 PROCÉDÉ DE RÉALISATION DE MOTIFS 有权
标题翻译：实现模式的方法
公开(公告)号：EP3249468A1
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：EP17172346.3
申请日：2017-05-23
申请人： Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
发明人： POSSEME, Nicolas , LANDIS, Stefan , NOURI, Lamia
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/02694 , G02B3/0012 , G03F7/0005 , H01L21/02304 , H01L21/033 , H01L21/30608 , H01L21/3083 , H01L21/3213
摘要： L'invention concerne notamment un procédé de réalisation de motifs dans une couche à graver (410), à partir d'un empilement comprenant au moins la couche à graver (410) et une couche de masquage (420) surmontant la couche à graver (410), la couche de masquage (420) présentant au moins un motif (421), le procédé comprenant au moins:
a) une étape de modification d'au moins une première zone (411a) de la couche à graver (410) par implantation d'ions (500a) à travers la couche de masquage (420);
b) au moins les étapes suivantes:
b1) une étape de dépôt d'au moins une couche tampon (430a-430n)
b2) une étape de modification d'au moins une autre zone (411b-411 n) de la couche à graver (410), par implantation d'ions jusqu'à une profondeur (e500b-e500n) supérieure à la profondeur (e550a) d'implantation de l'étape précédente de modification ;

c) au moins une étape de retrait de ladite au moins une couche tampon (430a-430n) ;
d) une étape de retrait de la couche de masquage (420) ;
e) une étape de retrait des zones modifiées (411a-411n) sélectivement aux zones non modifiées (412) de la couche à graver (410).
摘要翻译：特别是本发明涉及从包含至少所述层的堆叠的图案的层形成方法将被蚀刻（410）将被蚀刻（410）和覆盖在该层上的掩模层（420）将被蚀刻（ 410），所述掩模层（420）具有至少一个图案（421），所述方法至少包括：a）通过以下步骤修改要蚀刻的层（410a）的至少第一区域（411a）通过掩模层（420）注入离子（500a）; b）至少以下步骤：b1）中沉积至少一个缓冲层的步骤（430A-430N）B2）修改所述层的至少一个其它区域（411B-411 n）的步骤将被蚀刻（410），通过离子注入到大于前一修改步骤的注入深度（e550a）的深度（e500b-e500n）; c）去除所述至少一个缓冲层（430a-430n）的至少一个步骤; d）去除掩模层（420）的步骤; e）选择性地将待修改区域（411a-411n）去除到待蚀刻层（410）的未修改区域（412）的步骤。

5. 发明授权

EP3249468B1 PROCÉDÉ DE RÉALISATION DE MOTIFS 有权
公开(公告)号：EP3249468B1
公开(公告)日：2018-12-26
申请号：EP17172346.3
申请日：2017-05-23
申请人： Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
发明人： POSSEME, Nicolas , LANDIS, Stefan , NOURI, Lamia
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/02694 , G02B3/0012 , G03F7/0005 , H01L21/02304 , H01L21/033 , H01L21/30608 , H01L21/3083 , H01L21/3213

6. 发明公开

EP3358631A1 FORMATION DE RELIEFS À LA SURFACE D'UN SUBSTRAT 有权
公开(公告)号：EP3358631A1
公开(公告)日：2018-08-08
申请号：EP18154922.1
申请日：2018-02-02
申请人： Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
发明人： NOURI, Lamia , LANDIS, Stefan , POSSEME, Nicolas
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L21/266 , B81B2207/056 , B81C1/00031 , H01L21/26506 , H01L21/26526 , H01L21/30608 , H01L21/3065 , H01L21/3086 , H01L31/18 , H01L33/0079
摘要： La présente invention concerne un procédé de formation de reliefs sur une face (101) d'un substrat (100), caractérisé en ce qu'il comprend successivement une formation d'un écran de protection d'au moins une première zone (240) de la face (101); une implantation configurée pour introduire au moins une espèce comprenant du carbone dans le substrat depuis ladite face, la formation d'un écran et l'implantation étant configurées pour former dans le substrat au moins une couche modifiée (230) carbonée présentant une concentration de carbone implanté supérieure ou égale à un seuil de gravure uniquement depuis une deuxième zone (221) de ladite face non protégée par l'écran de protection; un retrait de l'écran de protection; et une gravure du substrat depuis la première zone sélectivement à la deuxième zone.

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