专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

EP1927890A1 Method of manufacturing a projection objective and projection objective manufactured by that method 审中-公开
标题翻译：一种用于制造投影透镜的过程和通过该方法的投影透镜产生
公开(公告)号：EP1927890A1
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：EP06024789.7
申请日：2006-11-30
申请人： Carl Zeiss SMT AG
发明人： Feldmann, Heiko , Gruner, Toralf , Epple, Alexander
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70891 , G03F7/70225 , G03F7/70275 , G03F7/705 , G03F7/70983
摘要： A method of manufacturing a projection objective including the steps of defining an initial design for a projection objective and optimizing the design using a merit function having a plurality of merit function components (AB,IRRAD EFF ), each of which reflects a particular quality parameter. One of that merit function components defines a maximum irradiance requirement requiring that a normalized effective irradiance value representing an effective irradiance (IRRAD EFF ) normalized to an effective irradiance in an image surface of the projection objective does not exceed a predefined irradiance threshold value (IRRTV) on each optical surface of the projection objective except for a last optical surface directly adjacent to an image surface of the projective objective. Optical surfaces positioned within caustic regions and/or critically small effective sub-apertures on optical surfaces are thereby systematically avoided.
摘要翻译：一种制造投影物镜包括限定初始设计的用于投射物镜和使用具有优质函数组分（AB，IRRAD EFF），其中的每个反射特定质量参数的多个A评价函数优化设计的步骤的方法。人做了评价函数分量的定义最大辐照要求需要做在有效辐照度表示（IRRAD EFF）归一化到在投射物镜的大小限制在预定的辐照度阈值的像面有效辐照度的归一化有效辐照值（IRRTV）在投射物镜的除了一个负载光学表面直接相邻的投影物镜的像面每个光学表面。光学表面上的苛性区域和/或严重小有效子孔径内定位的光学表面从而系统地避免。

2. 发明公开

EP2101209A1 Symmetrical objective having four lens groups for microlithography 审中-公开
标题翻译： Symmetrisches Objektiv mit vier Linsengruppenfürdie Mikrolithographie
公开(公告)号：EP2101209A1
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：EP09008347.8
申请日：2007-05-04
申请人： Carl Zeiss SMT AG
发明人： Shafer, David , Dodoc, Aurelian , Ulrich, Wilhelm , Walter, Holger , Fürter, Gerhard , Zellner, Johannes , Feldmann, Heiko , Löring, Ulrich , Krähmer, Daniel
IPC分类号： G02B13/14 , G02B13/26 , G03F7/20
CPC分类号： G02B13/143 , G02B13/26 , G03F7/70241
摘要： The invention features a system for microlithography that includes a mercury light source emitting radiation at multiple mercury emission lines, a projection objective positioned to receive radiation emitted by the mercury light source, and a stage to position a wafer relative to the projection objective. During operation, the projection objective directs radiation from the light source to the wafer, where the radiation at the wafer includes energy from more than one of said emission lines. Optical lens systems for use in said projection objective comprise four lens groups, arranged symmetrically, each having two lenses made of silica, the first and second lens groups using two different materials and are designed to optimise chromatism and image curvature.
摘要翻译：本发明的特征在于一种用于微光刻的系统，其包括在多个汞发射线处发射辐射的水银光源，用于接收由水银光源发射的辐射的投影物镜，以及相对于投影物镜定位晶片的台。在操作期间，投影物镜将来自光源的辐射引导到晶片，其中晶片处的辐射包括来自多于一个所述发射线的能量。用于所述投影物镜的光学透镜系统包括对称布置的四个透镜组，每个透镜组具有由二氧化硅制成的两个透镜，第一透镜组和第二透镜组使用两种不同的材料，并被设计为优化色差和图像曲率。

3. 发明公开

EP1855160A3 Projektionsbelichtungsanlage, Projektionsbelichtungsverfahren und Verwendung eines Projektionsobjektivs 有权转让
标题翻译：投影曝光装置，投影曝光方法和使用的投影透镜的
公开(公告)号：EP1855160A3
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：EP07008471.0
申请日：2007-04-26
申请人： Carl Zeiss SMT AG
发明人： Rostalski, Hans-Jürgen , Feldmann, Heiko , Ulrich, Wilhelm
IPC分类号： G03F7/20 , G02B17/08
CPC分类号： G03F7/70225 , G02B17/0892 , G03F7/70275
摘要： Eine Projektionsbelichtungsanlage zur Belichtung eines im Bereich einer Bildfläche eines Projektionsobjektivs angeordneten strahlungsempfindlichen Substrats mit mindestens einem Bild eines im Bereich einer Objektfläche des Projektionsobjektivs angeordneten Musters einer Maske hat eine Lichtquelle zur Abgabe von Ultraviolettlicht aus einem Wellenlängenband mit einer Bandbreite Δλ > 10 pm um eine zentrale Arbeitswellenlänge λ > 200 nm; ein Beleuchtungssystem zum Empfang des Lichtes der Lichtquelle und zur Formung von auf das Muster der Maske gerichteter Beleuchtungsstrahlung; und ein Projektionsobjektiv zur Abbildung der Struktur der Maske auf ein lichtempfindliches Substrat. Das Projektionsobjektiv ist ein katadioptrisches Projektionsobjektiv mit mindestens einem Konkavspiegel, der im Bereich einer Pupillenfläche des Projektionsobjektivs angeordnet ist. In unmittelbarer Nähe des Konkavspiegels ist in einem pupillennahen Bereich eine Negativgruppe mit mindestens einer Negativlinse angeordnet ist, wobei in dem pupillennahen Bereich die Randstrahlhöhe der Abbildung größer ist als die Hauptstrahlhöhe.

4. 发明公开

EP1855160A2 Projektionsbelichtungsanlage, Projektionsbelichtungsverfahren und Verwendung eines Projektionsobjektivs 有权转让
标题翻译： Projektionsbelichtungsanlage，Projektionsbelichtungsverfahren und Verwendung eines Projektionsobjektivs
公开(公告)号：EP1855160A2
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：EP07008471.0
申请日：2007-04-26
申请人： Carl Zeiss SMT AG
发明人： Rostalski, Hans-Jürgen , Feldmann, Heiko , Ulrich, Wilhelm
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70225 , G02B17/0892 , G03F7/70275
摘要： Eine Projektionsbelichtungsanlage zur Belichtung eines im Bereich einer Bildfläche eines Projektionsobjektivs angeordneten strahlungsempfindlichen Substrats mit mindestens einem Bild eines im Bereich einer Objektfläche des Projektionsobjektivs angeordneten Musters einer Maske hat eine Lichtquelle zur Abgabe von Ultraviolettlicht aus einem Wellenlängenband mit einer Bandbreite Δλ > 10 pm um eine zentrale Arbeitswellenlänge λ > 200 nm; ein Beleuchtungssystem zum Empfang des Lichtes der Lichtquelle und zur Formung von auf das Muster der Maske gerichteter Beleuchtungsstrahlung; und ein Projektionsobjektiv zur Abbildung der Struktur der Maske auf ein lichtempfindliches Substrat. Das Projektionsobjektiv ist ein katadioptrisches Projektionsobjektiv mit mindestens einem Konkavspiegel, der im Bereich einer Pupillenfläche des Projektionsobjektivs angeordnet ist. In unmittelbarer Nähe des Konkavspiegels ist in einem pupillennahen Bereich eine Negativgruppe mit mindestens einer Negativlinse angeordnet ist, wobei in dem pupillennahen Bereich die Randstrahlhöhe der Abbildung größer ist als die Hauptstrahlhöhe.
摘要翻译：该系统具有用于接收光并用于形成针对掩模图案的照射辐射的光源和曝光装置。反射折射投影透镜使用投影光在感光基板上成像掩模的结构，并且具有布置在透镜的光瞳表面（P3）的区域中的凹面镜（CM）。具有负透镜（N1，N2）的阴性组（NG）被布置在瞳孔闭合区域中与镜子直接接近的位置，其中图像的边缘光线高度大于瞳孔闭合区域中的主光线高度。还包括用于投影曝光方法的独立权利要求，用于曝光布置在投影透镜的图像表面的区域中的辐射敏感基板。

5. 发明公开

EP2085824A1 Optical system of a microlithographic exposure system 审中-公开
标题翻译： Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
公开(公告)号：EP2085824A1
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：EP09160251.6
申请日：2006-09-13
申请人： Carl Zeiss SMT AG
发明人： Totzeck, Michael , Beder, Susanne , Clauss, Wilfried , Feldmann, Heiko , Krähmer, Daniel , Dodoc, Aurelian
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G02B5/3083 , G02B27/286 , G03F7/70566 , G03F7/70966
摘要： The present invention relates to a microlithographic projection exposure apparatus comprising an illumination system and a projection lens, wherein said illumination system and/or said projection lens comprises an optical element comprising a first lens component (942a) embedded in a second lens component (942b), wherein said first lens component (942a) is made from a cubic crystal material with a refractive index larger than 1.7 at λ≈ 193nm and wherein said second lens component (942b) is made from an optically isotropic material.
摘要翻译：本发明涉及包括照明系统和投影透镜的微光刻投影曝光装置，其中所述照明系统和/或所述投影透镜包括光学元件，该光学元件包括嵌入第二透镜部件（942b）中的第一透镜部件（942a），其中所述第一透镜部件（942a）由在»193nm处具有大于1.7的折射率的立方晶体材料制成，并且其中所述第二透镜部件（942b）由光学各向同性材料制成。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式